臺積電開始建造2納米製造工廠 2024 年實現量產

2020-12-27 科技快報網

據報導，全球領先的半導體代工廠臺積電(TSMC)已開始建設其2納米製造工廠。根據@chiakokhua在Twitter上翻譯的DigiTimes報告，除了建造2 nm研發中心外，TSMC還已經開始建造該節點的製造設施，因此它將及時準備就緒。請注意，節點名稱不代表電晶體的大小，因此實際上不會是2 nm寬。新設施將位於臺灣新竹科學園區臺積電總部附近。該報告還確認了有關該節點的第一個細節，特別是它將使用Gate-All-Around(GAA)技術。此外，還有一個關於甚至更小的節點的有趣信息，根據消息來源，已經開始計劃1 nm節點。

除先進節點外，臺積電還制定了明確計劃，以加速推進先進封裝技術。其中包括SoIC，InFO，CoWoS和WoW。所有這些技術都被公司歸類為「 3D Fabric」，即使其中一些是2.5D。這些技術將從2021年下半年開始在「竹南」和「 NanKe」工廠大量生產，並有望為公司的利潤做出重大貢獻。另據報導，競爭的代工廠三星擁有自己的3D封裝技術X-cube，但是由於新技術的高成本，它吸引客戶的速度比臺積電慢得多。

臺積電第一次作出將 MBCFET 設計用於其電晶體而不是交由晶圓代工廠的決定。三星於去年 4 月宣布了其 3nm 製造工藝的設計，該公司的 MBCFET 設計是對 2017 年與 IBM 共同開發和推出的 GAAFET 電晶體的改進。三星的 MBCFET 與 GAAFET 相比，前者使用納米線。這增加了可用於傳導的表面積，更重要的是，它允許設計人員在不增加橫向表面積的情況下向電晶體添加更多的柵極。

臺積電預計其 2 納米工藝晶片的良率在 2023 年將達到驚人的 90%。若事實如此，那麼該晶圓廠將能夠很好地完善其製造工藝，並輕鬆地於 2024 年實現量產。

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    臺灣傳媒報導，臺積電（2330.TW）2納米製程研發獲重大突破，根據供應鏈消息，該公司2納米製程將改為採用全新的多橋通道場效電晶體（MBCFET）架構，而非3納米與5納米所採用的鰭式場效電晶體（FinFET）架構。
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    臺積電董事長劉德音也表示，計劃擴建工廠提升2nm晶片的產能。2nm晶片技術上取得了重大突破，雖然目前尚未透露具體細節。但有消息稱，2nm工藝有望在2023年下半年進行風險性實驗，並於2024年進入量產階段。臺積電還表示，2nm的突破將再次拉大與競爭對手的差距，並繼續推進1nm工藝的研發。
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    近期有關臺積電在美建設晶片代工廠的消息廣受關注，雖然開發協議已經批准，但鳳凰城還需要和臺積電籤署協議之後才能生效，而這具體取決於臺積電為其製造工廠選擇的最終站點。臺積電當時稱，該工廠將採用5納米製程工藝來生產半導體晶片，規劃產能為20000片/月，可創造多達1600個工作崗位，還可以在半導體產業生態系統中創造上千個工作機會。臺積電計劃投資120億美元在當地興建工廠。
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    【新智元導讀】據臺積電發布的消息稱，3nm工廠已經竣工，會在2021年下半年開始小量試產，2022年會大規模量產，不出意外的話，蘋果的A16處理器會是3nm首發。與5nm工藝相比，臺積電3nm的電晶體密度提升70%，性能提升15%，功耗降低30%，同時繼續使用FinFET工藝，技術成熟度更高。
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    最新的消息進行顯示：臺灣半導體製造公司（TSMC）在 2nm 半導體製造節點的研發方面取得了重要突破，這就是意味著在明年或者是不久的將來，臺積電的技術是有了質的飛越的，不知道市場上臺積電的地位會不會再次發生變化呢？
  • 臺積電最先進工廠落戶新竹，美國想本土量產新一代晶片願望或落空
    臺積電公司5月份曾宣布，其將在美國的亞利桑那州建造和運營一家用於生產5nm半導體晶片的先進晶圓廠，按規劃，該工廠月產能將達到2萬片，將於2021年動工，2024年量產，總投資在120億美元。奠基於N5技術，臺積公司預計於2021年量產加強版的N5P製程，速度可再增快5%，功耗再降低10%。此外，臺積公司揭示了5奈米家族的最新成員－N4製程，N4進一步提升效能、功耗、以及密度來滿足多樣化產品的需求，除了減少光罩層來簡化製程，N4可藉助5奈米完備的設計生態系統順利從N5升級，N4製程預計於2021年第四季開始試產，2022年進入量產。
  • 臺積電美國建廠開始瘋狂招人!四年後在美國量產5納米
    臺灣《經濟日報》11 月 3 日消息，臺積電近期在線上求職平臺領英（LinKedIn）發出數十項招聘信息，工作地點位於美國亞利桑那州鳳凰城。外界對此解讀稱，臺積電大規模召募在美工作的人才，主要是為美國 12吋新廠建設與量產預作準備。
  • 臺積電工藝將從2024年開始落後?
    確實，在今年年初的一篇文章中，我已經注意到臺積電本身並沒有特別快地發展，也落後於摩爾定律曲線：臺積電正從5nm過渡（N5 ）到3nm（N3）的周期比通常的2.5年更長，而密度的增加也遠少於摩爾定律所要求的2.0倍：例如，SRAM密度僅提高了1.2倍。為此，我認為，這將給英特爾一個追趕的機會，但是英特爾隨後推遲了其7納米製程。
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    23日，據中央通信等媒體報導，世界最大半導體委託生產企業臺灣TSMC（臺灣積體電路製造股份有限公司）在美國亞利桑那州建設新半導體工廠的計劃已獲得批准。據媒體報導，臺灣經濟部前一天宣布，臺積電授權在亞利桑那州建立半導體工廠。
  • 臺積電有望在2024年量產2nm工藝晶片
    臺積電在2nm半導體製造節點方面取得重大研究突破，有望在2023年中期進入2nm工藝試生產階段，並在一年後開始批量生產。目前，臺積電的最新製造工藝是5nm工藝，已用於生產A14仿生晶片。據介紹，臺積電的2nm工藝將採用差分電晶體設計。
  • 臺積電2nm技術取得重大突破 預計2024年正式量產
    中國科技新聞網9月23日訊(孔辰) 9月23日，有臺媒報導稱，臺積電2nm製程研發獲重大突破。以目前的研發進度研判，預計臺積電將於2023年下半年可望進入風險性試產，2024年正式量產。有助於其未來持續拿下蘋果、輝達等大廠先進位程大單。
  • ASML與臺積電攜手並進,方向:1納米製程工藝
    臺積電臺積電1納米工藝已經提上日程現在的臺積電剛剛實現了對5nm工藝晶片的量產，而按照臺積電的計劃，近兩年要實現對3納米工藝的量產，至於2納米，現在宣傳的時間則是2024年，雖然存在一定的變數，但是卻也說明臺積電在先進位程工藝方面，一直在保持不斷的創新。