臺積電再出「王炸」!公布全新巨型晶片,華為將徹底無緣

2020-09-05 王石頭科技

日前臺積電全球技術論壇如期舉行,論壇上除了分享正在量產的5nm工藝以外,還透露了第二代5nm、4nm等先進工藝方面的信息,但在5nm已經投產的情況下,外界更期待的其實是5nm之後的下一個全新工藝節點3nm工藝。

臺積電透露,和第一代5nm工藝相比,3nm工藝將使晶片的性能提升10%到15%,能耗則可以降低25%到30%,臺積電還承諾3nm工藝的電晶體密度將是5nm工藝的1.7倍。按照計劃,3nm工藝將在明年進入風險試產,2022年下半年大規模量產。

但臺積電明顯察覺到了一個新的問題,隨著高性能計算需求的與日俱增,還有半導體工藝的日益複雜,未來單靠升級製程工藝升級,肯定是無法解決所有問題的,還需從最根本的封裝技術上多下一些功夫,CoWoS-S晶圓級封裝技術其實已經使用很多年了。

臺積電CoWoS-S晶圓級封裝技術針對高端市場,連線數量和封裝尺寸都比較大,極大的突破了光刻掩膜尺寸的限制,晶片越做越大的今天,內部封裝的小晶片也越來越多了,所以這也是臺積電不斷變強,成為全球第一大晶片代工廠的原因。

官方資料顯示,臺積電2016年就做到了1.5倍於掩模尺寸的規模,在單晶片內部能夠實現4顆HBM高帶寬內存晶片封裝,2019年臺積電又達成了2倍尺寸,6顆HBM晶片,並計劃在2021年實現3倍尺寸、8顆HBM,2023年做到4倍尺寸,內部可封裝多達12顆HBM。

按照這樣的速度發展,加上主晶片13顆,HBM晶片12顆,意味著總面積估計可達到3200平方毫米。相比之下,性能強大的英偉達安培架構的GA100核心,其核心面積只有826平方毫米,不過這是7nm工藝下的極限了,可見臺積電還要將面積提升4倍之多。

隨著HBM顯存技術的發展,未來無論是容量還是帶寬都將超越很多人的想像,可能實現TB/s的速度都不是難題吧,目前三星HBM2e已經做到單顆12層堆疊,數據傳輸率3200MT/s,帶寬至少4.92TB/s,速度相當驚人。

然而令人感到遺憾的是,臺積電如此高級的封裝技術華為可能徹底無緣了,因為按照禁令計劃,9月15日之後華為晶片將無法由臺積電代工生產,旗下高性能處理器同樣將絕版,無論是對華為還是對中國,都是巨大的損失,不禁感嘆一聲,真的太可惜了!

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  • 下一代的首批晶片與華為無緣,臺積電3nm產能幾乎被蘋果包圓了
    根據最新消息稱,在臺積電已經將5nm工藝製程的晶片大規模投產後,他們已經將研發重心放在了下一代的重大晶片製程工藝,即3nm晶片。 而根據消息人士透露,臺積電的3nm工藝準備了4波產能,而首波產能中的絕大部分,將會留給他們的大客戶蘋果。
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    華為手機被美國甩出「王炸」後該怎麼辦?可以說很多人都沒有看到,華為的「王炸」早就扔出去了,甚至比美國的「王炸」還要早,只是對方一直沒有注意到,它的老大才是後勁!餘承東透露,華為 Mate 40有望成為「絕版」機型,其中包含兩層含義,一是說明麒麟9000晶片已供貨完畢並被完全封裝在手機中;二是說明麒麟9000手機庫存充足。
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    ,或許也是因為「實體清單」並不能夠徹底的遏制華為5G技術、華為晶片、華為手機等核心業務的發展,所以美商務部在2020年5月15日,再次對華為海思晶片頒發了全新的「晶片斷供禁令」,試圖全面切斷華為海思晶片的全球供應鏈,限制全球各大晶片巨頭繼續代工華為晶片產品;
  • 臺積電、華為玩了一出「障眼法」?這才緩解了華為晶片庫存問題
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  • 華為徹底被踢出局,臺積電積極與蘋果合作,海思晶片陷入困局。
    美國5月15日發出了制裁華為的晶片禁令,禁止晶片代工企業在沒有取得出口許可證的情況下給華為製造晶片,在美國的壓力下,全球最大晶圓代工企業臺積電也表示積極遵守美國禁令。臺積電選擇為蘋果代工和研發晶片。本月初,臺灣有媒體稱,臺積電在四季度將徹底取消華為晶片訂單,將原來給華為準備的產能分劈給蘋果和高通等美國公司。
  • 國家再出重拳,這是要徹底解決華為晶片危機!
    科技實力對國內公司來說是一個弱點,根據數據,這些公司每年進口超過3000億美元晶片等科技產品。這是因為國內企業很少能夠獨立開發晶片而華為只是其中之一。 在晶片製造和加工方面,國內製造商甚至更弱。幾乎所有先進晶片都是由臺積電根據合同生產的。因此,美國一直切斷對國內公司的晶片供應,從而打壓國內公司。
  • 臺積電公布訂單詳情,華為晶片訂單被撤,蘋果成大贏家
    臺積電公布7nm和5nm晶片訂單詳情對華為比較關注的朋友應該知道,華為絕大部分的晶片都是通過臺積電進行代工,臺積電總營收的14%都是來自於華為,而華為也因此成為了臺積電第二大客戶。華為在6月8號,臺積電公布了第四季的晶片訂單,由於美國禁令的實施日期推後了120天,因此目前華為的所有晶片訂單可在該期限內交付。