眾所周知，在2020年月中旬，美國針對華為事件進行了規則的整改，管轄範圍更是直接從美國本土擴展到全球晶片供應鏈。根據美國商務部所發布的公告顯示，全球晶片製造商，但凡使用了美國技術、設備、零部件、材料的晶片廠商，對華為供貨將會受到美國的連帶限制。
考慮到當前華為海思晶片僅完成了晶片架構設計技術，但關鍵的製造過程還需要依附在臺積電之上，所以美國新規的修改，必然也會對華為晶片的供應產生影響。所以在華為事件的持續發酵下，也使得國人對晶片製造環節的重視程度不斷提高，當然從現階段的發展情況來看，晶片製造實現獨立自主同樣也迫在眉睫。
縱觀全球晶圓代工市場，通常情況下都是由臺積電為主導，但有礙於臺積電當前無法脫離美國技術，在不確定的影響下必然處於被動，因此在關鍵時刻，作為我國晶圓代工巨頭的中芯國際也扛起了大旗。目前，中芯國際最領先的工藝製程為14nm，與主流7nm和5nm還有著很大的差距。
一直以來，國人對於中芯國際製程工藝總有一種恨鐵不成鋼的態度，可對於中芯國際而言，在所謂的抱怨下也存在著眾多無奈。畢竟在晶片製造的過程中，光刻機這一關鍵設備就是當前整個晶片產業最大的短板，尤其是在《瓦森納協定》和美國的幹擾下，使得中芯國際根本無法購買到荷蘭ASML的高端EUV。
目前，ASML是全球唯一一家能夠生產高端EUV的光刻機廠商，在業內處於壟斷市場的地位。不過，在ASML出貨的57臺EUV光刻機中，卻沒有一臺出售給中國內陸代晶片代工廠商。即便在2018年，中芯國際訂購了一臺ASML光刻機，後者也欣然接單，可至今都沒有音訊。因此，在高端EUV的缺乏下，也阻礙了中國晶片製造業的發展。好在中國晶片巨頭打造了更好的替代方案，繞開ASML的光刻機以實現7nm晶片的量產。
據悉，目前中芯國際公布了N+1技術，與7nm工藝相差不大。根據數據顯示，與14nm工藝製程相比，中芯國際N+1工藝使得SOC面積與邏輯面積分別縮小55%和63%，同時功耗也縮減57%。在性能方面，N+1方案相比14nm提升20%，所以在數據的對比下，中芯國際也可以在不使用荷蘭光刻機的前提下，達到7nm工藝。
不可否認，中芯國際的全新晶片製造方案，能夠力助我國晶片產業在不藉助EUV光刻機的情況下，打破ASML在光刻機市場上的壟斷，讓中國芯迎來發展曙光，至於荷蘭ASML，也不再是困擾中國晶片發展的阻礙。對此，大家怎麼看？