第三代半導體上市公司龍頭一覽

2020-12-05 至誠財經網

　　第三代半導體材料在禁帶寬度、熱導率、介電常數、電子漂移速度方面的特性使其適合製作高頻、高功率、高溫、抗輻射、高密度集成電路;其在禁帶寬度方面的特性使其適合製作發光器件或光探測器等。其中碳化矽材料在功率半導體和器件工藝較為熱門，氮化鎵材料外延生長和光電子比重較大。第三代半導體相關專利申請自2000年以來快速增長，美國早期領銜全球專利增長，近些年我國的申請量快速增長，超越美國。

　　國家戰略新興產業政策中多次提到以碳化矽、氮化鎵為代表的第三代半導體器件，隨著國內多家企業開始重視該領域，積極布局相關項目，我國的第三代半導體材料及器件有望實現較快發展。

　　市場空間有多大?

　　天風證券認為，碳化矽功率器件具有高頻、 高效、 高溫、 高壓等優勢，是下一代功率器件的發展方向。受高效電源、電動汽車等行業的需求驅動，碳化矽功率器件未來市場容量將以超過30%的年複合增長率發展，預計2027年市場容量達到120億美元。

　　專家認為，碳化矽器件目前在價格上是矽器件的1.5-2倍左右，有望在2023-2025年左右形成競爭格局。未來5-10年，如果氮化鎵在電壓性能和可靠性能上能進一步的提升，那麼在電動汽車動力系統領域會和碳化矽形成一定的競爭。

　　國泰君安認為，從全產業鏈角度，以5年的維度來看，第三代半導體器件和系統的成本(包括後期運行期間的能耗節省)，比矽基器件和系統將會具備性價比優勢，從而快速地推動行業的發展。單從材料本身的成本來講，碳化矽氮化鎵不太可能和矽片形成競爭。

　　興業證券認為，光伏、半導體成長性明確，先進碳基材料滲透率有望提升。隨著5G和物聯網等應用快速發展，對矽晶圓整體需求快速提升，全球新一輪半導體資本開支啟動，自主可控有望打開關鍵設備、材料端的國產替代空間。光伏和半導體產業矽片大尺寸化趨勢明確，對強度、純度、導熱係數等指標提出了更高的要求，傳統石墨材料安全性、經濟性不足，先進碳基複合材料有望逐步對其替代，滲透率提升，成為光伏、半導體產業晶矽製造熱場系統部件主流材料。

　　招商證券認為，氮化鎵(GaN)是第三代半導體材料的典型代表，法國研究機構Yole預測，到2023年氮化鎵射頻器件的市場規模將達到13億美元，複合增速為22.9%。隨著第三代半導體材料的崛起，基於新材料的IGBT也將站上歷史舞臺。IGBT主要應用領域之一的新能源汽車也已經打開市場，未來空間巨大。碳化矽基IGBT將加速發展，建議關注第三代半導體材料與IGBT產業鏈。碳化矽(SiC)因其在高溫、高壓、高頻等條件下的優異性能，在交流和直流轉換器等電源轉換裝置中得以大量應用。目前，我國碳化矽(SiC)在高端市場領域，如智能電網、新能源汽車、軍用電子系統等尚處於發展初期。根據IHS預測，到2025年，全球碳化矽功率半導體的市場規模有望達到30億美元。

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