英飛凌推出適用於5G和LTE宏基站的全新柵極驅動IC

2021-01-08 電子發燒友
打開APP
英飛凌推出適用於5G和LTE宏基站的全新柵極驅動IC

英飛凌 發表於 2021-01-04 13:49:55

  【2021年1月4日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX/OTCQX:IFNNY) 推出全新 EiceDRIVER™ 2EDL8 柵極驅動 IC 產品系列,以滿足行動網路基礎設備DC-DC 電信磚的增長需求。這些雙通道接面隔離式柵極驅動 IC 能為隔離式 DC-DC 降壓轉換器/電信磚提供高功率密度、高效率和耐用度,助力打造 5G 和 LTE 電信基礎設備的宏基站。

  新款 2EDL8 系列包含四個版本,分為兩種不同的上拉電流和兩種不同的輸入配置。3A(安培) 版本適合用於改裝設計,領先業界的 4A(安培) 版本則適用於降低 MOSFET 開關耗損。

  2EDL802x 的雙通道可分別獨立運作,是一次側對角驅動全橋及二次側同步整流級用於降低續流(freewheeling)損耗的理想選擇。2EDL812x 採用差分輸入結構,並內置直通(shoot-through)保護,是 DC-DC 磚式轉換器非對角驅動一次側半橋級的完美選擇。

  

  2EDL8 具備整合式 120V自舉二極體和精準的通道對通道傳播延遲匹配 (典型值 ± 2 ns)。此系列所有產品皆採用符合業界標準的 PG-VDSON-8 無引線封裝和引腳輸出。

  供貨情況

  EiceDRIVER 2EDL 系列所有四個產品版本現已開始供應。

打開APP閱讀更多精彩內容

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容圖片侵權或者其他問題,請聯繫本站作侵刪。 侵權投訴

相關焦點

  • 英飛凌推出GPS用的集成式接收前端模塊
    通過推出全新的BGM系列器件,英飛凌可幫助設計人員滿足智慧型手機以及筆記本、數位相機和手錶等可攜式設備的個人導航和基於位置的應用的需求。  英飛凌科技股份公司推出了EiceDRIVER™ X3 Enhanced系列analog(1ED34xx)和digital(1ED38xx)柵極驅動器IC。
  • 輕鬆驅動CoolSiC™ MOSFET:柵極驅動設計指南
    為了避免這種效應,在硬開關變流器的柵極驅動設計中,通常採用負柵極電壓關斷。但是這對於CoolSiC™ MOSFET真的有必要嗎?藉助英飛凌的CoolSiC MOSFET技術,設計人員能夠選擇介於15-18 V之間的開通柵極電壓,從而讓開關擁有最佳的載流能力或抗短路能力。而柵極關斷電壓值只需要確保器件能夠安全地關斷。英飛凌建議設計人員將MOSFET分立器件的關斷電壓定為0 V,從而實現柵極驅動電路的簡化。
  • 英飛凌力推嵌入式安全晶片 鞏固硬體安全性
    英飛凌推出EiceDRIVER™ X3 Enhanced系列analog(1ED34xx)和digital(1ED38xx)柵極驅動器IC英飛凌科技股份公司推出了EiceDRIVER™ X3 Enhanced系列analog(1ED34xx)和digital(1ED38xx)柵極驅動器IC。
  • 英飛凌率先推出1200V碳化矽IPM的CoolSiC
    > 英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出了1200V碳化矽(SiC)集成功率模塊(IPM),並在今年大規模推出了SiC解決方案。該系列為變頻驅動應用中的三相交流電動機和永磁電動機提供了一種緊湊的變頻解決方案,具有出色的導熱性能和寬的開關頻率範圍。具體應用包括工業電機驅動器、泵驅動器和用於暖通空調(HVAC)的有源濾波器。
  • 芯旺微電子推出KungFu家族全新成員驅動IC系列CM6334
    打開APP 芯旺微電子推出KungFu家族全新成員驅動IC系列CM6334 芯旺微電子 發表於 2020-12-15 12:52:44
  • 12月新品推薦:ISP處理器、隔離IC、驅動IC、MOSFET、SiC IPM、光電二極體
    柵極驅動器IC12月18日,英飛凌科技推出了EiceDRIVER™ X3 Enhanced系列analog(1ED34xx)和digital(1ED38xx)柵極驅動器IC。這些器件具備3A、6A和9A的典型輸出電流,以及精確的短路檢測、米勒鉗位和軟關斷功能。此外,1ED34xx可通過外部電阻提供可調節退飽、濾波時間和軟關斷電流。由於減少了外部組件的數量,這些功能結合起來可縮短設計周期。1ED38xx通過I2C可配置多個參數,這增加了設計的靈活性,降低了硬體複雜性,縮短了評估時間。這些柵極驅動器適用於工業驅動、太陽能逆變器、不間斷電源、電動汽車充電樁和其他工業應用。
  • 12月新品推薦:ISP處理器、隔離IC、驅動IC、MOSFET、SiC IPM、光電...
    FYhesmc柵極驅動器IC12月18日,英飛凌科技推出了EiceDRIVER™ X3 Enhanced系列analog(1ED34xx)和digital(1ED38xx)柵極驅動器IC。這些器件具備3A、6A和9A的典型輸出電流,以及精確的短路檢測、米勒鉗位和軟關斷功能。
  • 德國英飛凌公司推出1700伏高電壓碳化矽功率器件
    原標題:德國英飛凌公司推出1700伏高電壓碳化矽功率器件【據英國電子周刊網站6月1日報導】近日,德國英飛凌在其CoolSiC MOSFET產品中增加了1700伏碳化矽場效應電晶體,其目標是三相轉換系統中的輔助電源,如電機驅動、可再生能源、充電基礎設施和高壓直流系統
  • 英飛凌給出了專業的應用建議
    Cree推出了首款商用900V SiC功率MOSFET,而且於近期宣布推出Wolfspeed 650V碳化矽MOSFET產品組合;Microchip和ROHM均已發布了新的SiC MOSFET和二極體;英飛凌在2017年底推出了氮化鎵器件,今年二月推出了八款650V CoolSiC MOSFET器件;另外,意法半導體和安森美半導體在WBG寬帶隙半導體材料方面也有相關投資;ADI公司已經生產出用於高頻應用的
  • 英飛凌推出CoolSiC™ CIPOS™ Maxi,全球首款採用轉模封裝的...
    打開APP 英飛凌推出CoolSiC™ CIPOS™ Maxi,全球首款採用轉模封裝的1200V碳化矽IPM 英飛凌 發表於 2020-12-11 17:01:08
  • 英飛凌新一代650V碳化矽MOSFET的性能和應用分析
    1)如何支持堅固性和可靠性•   新產品在柵極氧化層的可靠度方面做了很多優化。因此,它目前的堅固度已經很成熟了,媲美IGBT與CooIMOS的FIT率。•   為了防止「誤導通」,英飛凌把 VGS(TH) 重新設計在大於4V上,這樣可以降低一些噪音進來而引發的「誤導通」。
  • 英飛凌推出採用轉模封裝的1200V碳化矽IPM
    英飛凌科技股份公司近日推出了採用轉模封裝的1200 V碳化矽(SiC)集成功率模塊(IPM),並在今年大規模推出了SiC解決方案。 CIPOS Maxi IPM IM828系列是業界在這一電壓級別上的第一款產品。
  • 芯旺微電子推出三相電機預驅動IC-CM6334,正式邁入多元化IC芯時代
    2020年12月14日,芯旺微電子正式推出KungFu家族全新成員驅動IC系列 CM6334。從自主IP KungFu8內核到KungFu32內核,從基於全自主內核8位MCU到32位MCU,從DSP到驅動IC,芯旺微電子憑藉汽車、工業、AIoT領域十餘年服務經驗,秉承持續創新的發展理念,陸續推出具有市場競爭力的產品和服務。KungFu CM6334的量產標誌著芯旺微電子正式從一家MCU晶片供應商向多元化的IC元器件供應商進階,產品線縱橫雙向快速發展,加速KungFu生態全系布局。
  • 英飛凌OptiMOS™源極底置功率MOSFET系列新添PQFN封裝的40 V裝置
    當代的電源系統設計需要高功率密度等級和精巧的外型尺寸,以期得到最高的系統級性能。英飛凌科技股份公司近日通過專注於強化元器件產品達到系統創新,來應對這一挑戰。
  • 基於IGBT模塊和驅動器IC的電機驅動和逆變器設計方案
    由於低成本高性能 MCU 的不斷推出,FOC 不斷取代性能較低的單變量標量每赫茲伏特 (V/f) 控制。 目前使用的永磁電機主要有兩種,即無刷直流 (BLDC) 和永磁同步電機 (PMSM)。這兩種先進的電機設計都需要電力電子裝置進行驅動和控制。 無刷直流電機耐用、高效、成本低。PMSM 電機具有無刷直流電機的特性,但噪音更低,效率更高。
  • 實現IGBT/MOSFET隔離柵極驅動電路的設計考慮
    vItednc能夠在更長時間內提供/吸收更高柵極電流的驅動器,切換時間會更短,因而其驅動的電晶體內的開關功耗也更低。vItednc微控制器I/O引腳的拉電流和灌電流額定值通常可達數十毫安,而柵極驅動器可以提供高得多的電流。當功率MOSFET由微控制器I/O引腳以最大額定拉電流驅動時,觀察到切換時間間隔較長。
  • 南平英飛凌IGBT模塊價格多少
    ⑦四點安裝和兩點安裝類似,IGBT長的方向順著散熱器的紋路。產品介紹既具有輸入阻抗高、速度快、熱穩定性好和驅動電路簡單的特點,又具有通態電壓低、耐壓高和承受電流大等優點。它的簡易符號如圖1所示。IGBT是一個零電壓開關器件.它的開通與關斷由柵極電壓控制。當柵極電壓Vge施以正電壓時,IGBT導通,當Vge施以負電壓時,IGBT關斷。其柵極電壓與IGBT的通斷情況如圖2所示。根據這一原理,可以根據柵極電壓的波形佔空比的改變來調節從IGBT器件輸出電流的大小當柵極電壓信號佔空比增大時,電流增大.佔空比變小時,電流減小。
  • IGSS對柵極驅動漏電流的影響
    IGSS對柵極驅動漏電流的影響 玩轉單片機 發表於 2020-06-05 09:18:47 MOS管數據手冊上的相關參數有很多,以MOS管VBZM7N60為例,下面一起來看一看
  • 5g時代的到來,意味著移動終端產品的豐富化和專業化
    人類目前具備全球影響力的通信產品,每一款都是一個革命性的標誌,像是諾基亞全球互聯手機第一,微軟的xbox超越索尼;再像是已經創業上市的網易、超級高鐵設計和開發平臺,它們都已經成為人類歷史上過硬產品,改變了現在和未來。