英飛凌OptiMOS™源極底置功率MOSFET系列新添PQFN封裝的40 V裝置

2020-11-26 電子產品世界

當代的電源系統設計需要高功率密度等級和精巧的外型尺寸，以期得到最高的系統級性能。英飛凌科技股份公司近日通過專注於強化元器件產品達到系統創新，來應對這一挑戰。繼2 月份推出 25 V 裝置後，英飛凌又推出了 OptiMOS™ 40 V 低電壓功率 MOSFET，採用源極底置 (SD, Source-Down) PQFN 封裝，尺寸為 3.3mm x 3.3 mm。這款 40 V SD MOSFET 適用於伺服器的 SMPS、電信和 OR-ing，還適用於電池保護、電動工具和充電器等應用。

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202011/419942.htm

SD 封裝的內部採用上下倒置的晶片。如此一來，讓源極電位 (而非汲極電位) 能通過導熱片連接至 PCB。與現有技術相比，此版本最終可使 RDS(on)大大降低 25%。相較於傳統的 PQFN 封裝，接面與外殼間的熱阻 (RthJC)亦獲得大幅改善。SD OptiMOS 可承受高達 194 A 的高連續電流。此外，經過優化的配置可能性和更有效的 PCB 利用，可實現更高的設計靈活性和出色的性能。

OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本：標準版和中央柵極版。中央柵極版針對多部裝置並聯作業進行了優化。採用源極底置 (SD) PQFN 封裝的裝置尺寸為 3.3mm x 3.3 mm，可使 RDS(on)大大降低 25%，接面與外殼間的熱阻 RDS(on)亦獲得大幅改善

供貨情況

OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本：標準版和中央柵極版。中央柵極版針對多部裝置並聯作業進行了優化。兩個版本皆採用 PQFN 3.3mm x 3.3 mm封裝，已開始接受訂購。

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