OptiMOS™線性場效應電晶體兼具低RDS(on)值與大安全工作區

2021-01-08 電子產品世界

　　英飛凌科技股份公司推出OptiMOS™線性場效應電晶體系列。這個全新產品系列兼具溝槽型功率場效應管的低導通電阻(RDS(on))與平面MOSFET的大安全工作區。這就解決了RDS(on)與線性模式功能之間的平衡問題。OptiMOS線性場效應電晶體可在增強模式MOSFET的飽和區工作。OptiMOS線性場效應電晶體最適合電信和電池管理系統(BMS)中常見的熱插拔、電子熔斷器和保護應用。

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201707/362414.htm

　　耐用的線性模式操作和更高的脈衝電流都有助於實現較低傳導損耗、更快啟動和更短的停機時間。通過限制較高的勵磁湧流，OptiMOS線性場效應電晶體可在發生短路的情況下防止負載損壞。

　　供貨

　　OptiMOS線性場效應電晶體現可供貨，有三個電壓等級：100 V、150 V和200 V。它們可採用D2PAK或D2PAK 7pin封裝。這些行業標準封裝兼容簡易替換元件。如需了解詳情，敬請訪問：www.infineon.com/optimos-linearfet。

 


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