電晶體的歷史

2020-11-25 電子發燒友

電晶體的歷史

旺材晶片 發表於 2020-11-19 14:07:55

現代計算機通過執行幾十年前幾乎不可能實現的任務,正在不斷改變我們的生活。各種各樣的創新使現代計算機(如我們今天所知)得以實現。但是,有一項基本發明幾乎是所有其他事物所依賴的,那就是不起眼的電晶體。讓我們看看這個不起眼的設備是如何變成的。

對電晶體的需求

從本質上講,所有計算機基本上都是執行數學運算的機器。最早的是手動計數設備,例如算盤,而將來開發的設備是使用機械零件。使這些設備成為「計算機」的原因是擁有一種成功代表數字的方法和一種操縱數字的系統。電子計算機以相同的方式工作,但是數字代替物理布置,而是用電壓表示。布爾邏輯只有兩個可能的值– true(1)和false(0),在電子計算機中開始發揮作用。在電子計算機中,方程是通過產生1或0輸出的邏輯門電路執行的。對於更高級的操作,這些電路被融合在一起。電腦程式由一組指令組成,詳細說明了如何執行這些操作。

       但是,該系統需要可靠且準確的方法來控制電流。    早期的電子計算機,例如1946年開發的ENIAC(電子數值積分器和計算器),使用一種稱為真空管的設備來控制電壓。在這種計算機中使用的真空管笨重且不可靠。它們還消耗了荒謬的功率並產生了過多的熱量,從而縮短了這些燈管的使用壽命。另一方面,該電晶體要比真空管小得多,並且所用的功率要少得多。另外,由於電晶體使用較少的功率,所以產生的熱量最小。因此,它不會像真空管那樣經常失敗。該電晶體使用半導體代替真空管中使用的電極。用不同的元素(例如磷和硼)處理半導體(例如矽),以生成發射電子的「 N型」和吸收電子的「 P型」。它們被安排為NPN(典型的NPN電晶體),並在發射極,基極和集電極各放置一個端子。在這種電晶體中,輸入電壓的微小變化可用於在高電壓和低電壓之間快速切換。  

  電晶體使現代計算機得以發展。ENIAC是一臺重達30噸的大型計算機,有網球場那麼大!相比之下,單個具有指甲大小的微處理器(包含數十億個電晶體)現在可以超越ENIAC的功能。底座和收集器。在這種電晶體中,輸入電壓的微小變化可用於在高電壓和低電壓之間快速切換。電晶體使現代計算機得以發展。ENIAC是一臺重達30噸的大型計算機,只有網球場那麼大!相比之下,單個具有指甲大小的微處理器(包含數十億個電晶體)現在可以超越ENIAC的功能。  

尋求替代解決方案的動力

在1920年代,研究人員開始研究使用半導體來放大和切換電話設備中的信號。在1930年代,貝爾實驗室的美國物理學家和工程師Marvin Kelly決定尋求製造某種形式的固態設備。他決定挑戰William Shockley,Jack Scaff,Russell Ohl等許多同事,研究替代真空管的半導體技術。他知道真空管太不可靠了,無法成為無縫電子產品的最終解決方案。    Russel Ohl開始研究矽晶體,以及如果獲得N型或P型矽,矽晶體的製備會如何影響。整流發生的方向定義了矽的類型。Ohl還能夠開發出一個樣品,其中頂部為p型區域,而底部為n型區域。他發現當光照射到它上時,它會產生電壓。  

  第二次世界大戰後的1945年,Shockley開始試驗改良的半導體材料,這些材料是為戰爭中使用的雷達探測器開發的。他研究了一種場效應放大器,該放大器類似於奧匈帝國物理學家Julius E. Lilienfeld於1926年以及德國物理學家Oskar Heil博士於1934年申請的專利。但是,當物理學家John Bardeen提出存在於半導體表面的電子可能阻礙電場向材料中的滲透時,這一突破就來了。在William Shockley的支持和另一位物理學家Walter Brattain幫助下,John Bardeen開始研究這些「表面狀態」的行為。    到1947年11月下旬,Bardeen和Brattain設法製造出一種可工作的電晶體,直到1947年12月16日,他們一直在不斷改進這種電晶體。在這一天,他們的研究最終達到了用矽製成的工作「點接觸」電晶體的頂峰。坐在鍺晶體上的兩個金箔觸點。它也被稱為「 PNP點接觸鍺電晶體」。他們於12月23日進行了巡迴演示,向貝爾實驗室展示了該固態設備的工作原理。Bardeen和Brattain還花了一些時間為其發明申請專利,並批准將其公開發布給軍隊。1948年6月,貝爾實驗室正式宣布了革命性的固態設備,他們稱之為「電晶體」。  

  然而,Shockley繼續構建由Bardeen和Brattain創建的第一個工作電晶體的更可靠和可複製的版本。他很成功,並於1952年推出了他的雙極結型電晶體。它是由沒有觸點的固態半導體材料製成的。本發明優於點接觸型,並在接下來的30年中主導了整個行業。他申請了電晶體效應和電晶體放大器的專利。1956年,貝爾實驗室的所有三位物理學家,William Shockley, Walter Brattain 和 John Bardeen 因其貢獻而被授予諾貝爾物理學獎。   

改進和商業採用

1952年,結型電晶體首次用於商業產品,即Sonotone助聽器。此後,在1954年,製造了第一臺電晶體收音機Regency TR1。不斷開發不同的製造方法以生產更快,更便宜和更可靠的電晶體。另一個重要的進步是1954年製造的矽電晶體,首先是貝爾實驗室的Morris Tanenbaum製造的,此後不久,由化學家Willis Adcock領導的德州儀器(TI)的一個團隊製造了這種電晶體。到50年代末,矽已成為製造電晶體的行業首選材料,德州儀器(TI)成為主要的半導體供應商。   位於加利福尼亞州矽谷的一家初創公司創建了Fairchild公司。1958年,他們推出了雙擴散矽臺面電晶體,並在商業上取得了巨大成功。此後不久,瑞士物理學家Jean Hoerni創造了革命性的平面工藝,將電晶體的製造過程從半手工操作轉變為大批量的自動化生產過程。這也為現代IC(集成電路)的開發鋪平了道路。   

       1959年,Lilienfeld和Heil的想法激發了韓國電氣工程師Dawon Kahng的興趣,他建造了第一個成功的場效應電晶體(FET),該電晶體由金屬,氧化物和矽層組成。通常被簡化為MOS的MOSFET(金屬,氧化物,矽場效應電晶體)有望成為更小,更便宜且功耗更低的電晶體。Fairchild和RCA等公司於1964年向公眾推出了商用MOS電晶體。然而,僅僅十年後,它們就被計算機中的IC所取代。但是,在構建高密度IC時,MOS電晶體被證明是最實用的方法。現在,每天製造的數十億個電晶體是MOS器件。 

責任編輯:xj

原文標題:科普 | 電晶體的起源

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