網絡整理 發表於 2020-03-14 10:22:32
下面我們來看看CPU中電晶體是怎麼做出來的,步驟如下:
(1) 矽提純
生產CPU等晶片的材料是半導體,現階段主要的材料是矽Si,這是一種非金屬元素,從化學的角度來看,由於它處於元素周期表中金屬元素區與非金屬元素區的交界處,所以具有半導體的性質,適合於製造各種微小的電晶體,是目前最適宜於製造現代大規模集成電路的材料之一。 在矽提純的過程中,原材料矽將被熔化,並放進一個巨大的石英熔爐。這時向熔爐裡放入一顆晶種,以便矽晶體圍著這顆晶種生長,直到形成一個幾近完美的單晶矽。以往的矽錠的直徑大都是300毫米,而CPU廠商正在增加300毫米晶圓的生產。
(2)切割晶圓
矽錠造出來了,並被整型成一個完美的圓柱體,接下來將被切割成片狀,稱為晶圓。晶圓才被真正用於CPU的製造。所謂的「切割晶圓」也就是用機器從單晶矽棒上切割下一片事先確定規格的矽晶片,並將其劃分成多個細小的區域,每個區域都將成為一個CPU的內核(Die)。一般來說,晶圓切得越薄,相同量的矽材料能夠製造的CPU成品就越多。
(3)影印(Photolithography)
在經過熱處理得到的矽氧化物層上面塗敷一種光阻(Photoresist)物質,紫外線通過印製著CPU複雜電路結構圖樣的模板照射矽基片,被紫外線照射的地方光阻物質溶解。而為了避免讓不需要被曝光的區域也受到光的幹擾,必須製作遮罩來遮蔽這些區域。這是個相當複雜的過程,每一個遮罩的複雜程度得用10GB數據來描述。
(4)蝕刻(Etching)
這是CPU生產過程中重要操作,也是CPU工業中的重頭技術。蝕刻技術把對光的應用推向了極限。蝕刻使用的是波長很短的紫外光並配合很大的鏡頭。短波長的光將透過這些石英遮罩的孔照在光敏抗蝕膜上,使之曝光。接下來停止光照並移除遮罩,使用特定的化學溶液清洗掉被曝光的光敏抗蝕膜,以及在下面緊貼著抗蝕膜的一層矽。然後,曝光的矽將被原子轟擊,使得暴露的矽基片局部摻雜,從而改變這些區域的導電狀態,以製造出N井或P井,結合上面製造的基片,CPU的門電路就完成了。
(5)重複、分層
為加工新的一層電路,再次生長矽氧化物,然後沉積一層多晶矽,塗敷光阻物質,重複影印、蝕刻過程,得到含多晶矽和矽氧化物的溝槽結構。重複多遍,形成一個3D的結構,這才是最終的CPU的核心。每幾層中間都要填上金屬作為導體。Intel的Pentium 4處理器有7層,而AMD的Athlon 64則達到了9層。層數決定於設計時CPU的布局,以及通過的電流大小。
(6)封裝
這時的CPU是一塊塊晶圓,它還不能直接被用戶使用,必須將它封入一個陶瓷的或塑料的封殼中,這樣它就可以很容易地裝在一塊電路板上了。封裝結構各有不同,但越高級的CPU封裝也越複雜,新的封裝往往能帶來晶片電氣性能和穩定性的提升,並能間接地為主頻的提升提供堅實可靠的基礎。
首先,你得畫出來一個長這樣的玩意兒給Foundry(外包的晶圓製造公司)
A,B是輸入,Y是輸出。其中藍色的是金屬1層,綠色是金屬2層,紫色是金屬3層,粉色是金屬4層。
那電晶體(更正,題主的「電晶體」自199X年以後已經主要是MOSFET,即場效應管了)呢?
仔細看圖,看到裡面那些白色的點嗎?那是襯底,還有一些綠色的邊框?那些是ActiveLayer(也即摻雜層。)然後Foundry是怎麼做的呢?大體上分為以下幾步:
首先搞到一塊圓圓的矽晶圓,(就是一大塊晶體矽,打磨的很光滑,一般是圓的)
圖片按照生產步驟排列。但是步驟總結單獨寫出:
1、溼洗(用各種試劑保持矽晶圓表面沒有雜質)
2、光刻(用紫外線透過蒙版照射矽晶圓,被照到的地方就會容易被洗掉,沒被照到的地方就保持原樣。於是就可以在矽晶圓上面刻出想要的圖案。注意,此時還沒有加入雜質,依然是一個矽晶圓。)
3、離子注入(在矽晶圓不同的位置加入不同的雜質,不同雜質根據濃度/位置的不同就組成了場效應管。)
4.、幹蝕刻(之前用光刻出來的形狀有許多其實不是我們需要的,而是為了離子注入而蝕刻的。現在就要用等離子體把他們洗掉,或者是一些第一步光刻先不需要刻出來的結構,這一步進行蝕刻)。
5、溼蝕刻(進一步洗掉,但是用的是試劑,所以叫溼蝕刻)。---以上步驟完成後,場效應管就已經被做出來啦~但是以上步驟一般都不止做一次,很可能需要反反覆覆的做,以達到要求。---
6、等離子衝洗(用較弱的等離子束轟擊整個晶片)6、熱處理,其中又分為:
7、快速熱退火(就是瞬間把整個片子通過大功率燈啥的照到1200攝氏度以上,然後慢慢地冷卻下來,為了使得注入的離子能更好的被啟動以及熱氧化)
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