在73年前的今天，1947年12月23日（農曆1947年11月12日），電晶體問世。
1947年12月23日，美國科學家巴丁博士、布菜頓博士和肖克萊博士，在導體電路中進行用半導體晶體放大聲音信號的實驗時，發明．了科技史上具有劃時代意義的成果一一電晶體。因它是在聖誕節前夕發明的，而且對人們未來的生活發生如此巨大的影響，所以被稱．為「獻給世界的聖誕節禮物」。
1947年12月，美國貝爾實驗室的肖克利、巴丁和布拉頓組成的研究小組，研製出一－種點接觸型的鍺電晶體。電晶體的問世，是20世紀的一項重大發明，是微電子革命的先聲。電晶體出現後，人們就能用一個小巧的、消耗功率低的電子器件，來代替體積大、功率消耗大的電子管了。電晶體的發明又為後來集成電路的誕生吹響了號角。20世紀最初的10年，通信系統已開始應用半導體材料。20世紀上半葉，在無線電愛好者中廣泛流行的礦石收音機，就採用礦石這種半導體材料進行檢波。半導體的電學特性也在電話系統中得到了應用。
電晶體是一－種半導體器件，放大器或電控開關常用。電晶體是規範操作電腦，手機，和所有其他現代電子電路的基本構建塊。由於其響應速度快，準確性高，電晶體可用於各種各樣的數字和模擬功能，包括放大，開關，穩壓，信號調製和振蕩器。電晶體可獨立包裝或在一個非常小的的區域，可容納一億或更多的電晶體集成電路的一部分。
電晶體的發展歷史
1947年12月：威廉·邵克雷（William Shockley）、約翰·巴頓（John Bardeen）和沃特·布拉頓（Walter Brattain）成功地在貝爾實驗室製造出第一個電晶體。
1950年：威廉·邵克雷開發出雙極電晶體（Bipolar Junction Transistor），這是現在通行的標準的電晶體。
1953年：第一個採用電晶體的商業化設備投入市場，即助聽器。
1954年10月18日：第一臺電晶體收音機Regency TR1投入市場，僅包含4隻鍺電晶體。
1961年4月25日：第一個集成電路專利被授予羅伯特·諾伊斯（Robert Noyce）。最初的電晶體對收音機和電話而言已經足夠，但是新的電子設備要求規格更小的電晶體，即集成電路。
1965年：摩爾定律誕生。當時，戈登·摩爾（Gordon Moore）預測，未來一個晶片上的電晶體數量大約每18個月翻一倍（至今依然基本適用），摩爾定律在Electronics Magazine雜誌一篇文章中公布。
1968年7月：羅伯特·諾伊斯和戈登·摩爾從仙童（Fairchild）半導體公司辭職，創立了一個新的企業，即英特爾公司，英文名Intel為「集成電子設備（integrated electronics）」的縮寫。
1969年：英特爾成功開發出第一個PMOS矽柵電晶體技術。這些電晶體繼續使用傳統的二氧化矽柵介質，但是引入了新的多晶矽柵電極。
1971年：英特爾發布了其第一個微處理器4004。4004規格為1／8英寸 x 1／16英寸，包含僅2000多個電晶體，採用英特爾10微米PMOS技術生產。
1972年，英特爾發布了第一個8位處理器8008。
1978年，英特爾發布了第一款16位處理器8086。含有2．9萬個電晶體。
1978年：英特爾標誌性地把英特爾8088微處理器銷售給IBM新的個人電腦事業部，武裝了IBM新產品IBM PC的中樞大腦。16位8088處理器為8086的改進版，含有2．9萬個電晶體，運行頻率為5MHz、8MHz和10MHz。8088的成功推動英特爾進入了財富（FORTUNE） 500強企業排名，《財富（FORTUNE）》雜誌將英特爾公司評為「70年代商業奇蹟之一（Business Triumphs of the Seventies）」。
1982年：286微處理器（全稱80286，意為「第二代8086」）推出，提出了指令集概念，即現在的x86指令集，可運行為英特爾前一代產品所編寫的所有軟體。286處理器使用了13400個電晶體，運行頻率為6MHz、8MHz、10MHz和12．5MHz。
1985年：英特爾386微處理器問世，含有27．5萬個電晶體，是最初4004電晶體數量的100多倍。386是32位晶片，具備多任務處理能力，即它可在同一時間運行多個程序。
1993年：英特爾·奔騰·處理器問世，含有3百萬個電晶體，採用英特爾0．8微米製程技術生產。
1999年2月：英特爾發布了奔騰·III處理器。奔騰III是1x1正方形矽，含有950萬個電晶體，採用英特爾0．25微米製程技術生產。
2002年1月：英特爾奔騰4處理器推出，高性能桌面桌上型電腦由此可實現每秒鐘22億個周期運算。它採用英特爾0．13微米製程技術生產，含有5500萬個電晶體。
2002年8月13日：英特爾透露了90納米製程技術的若干技術突破，包括高性能、低功耗電晶體，應變矽，高速銅質接頭和新型低－k介質材料。這是業內首次在生產中採用應變矽。
2003年3月12日：針對筆記本的英特爾·迅馳·移動技術平臺誕生，包括了英特爾最新的移動處理器「英特爾奔騰M處理器」。該處理器基於全新的移動優化微體系架構，採用英特爾0．13微米製程技術生產，包含7700萬個電晶體。
2005年5月26日：英特爾第一個主流雙核處理器「英特爾奔騰D處理器」誕生，含有2．3億個電晶體，採用英特爾領先的90納米製程技術生產。
2006年7月18日：英特爾安騰2雙核處理器發布，採用世界最複雜的產品設計，含有2．7億個電晶體。該處理器採用英特爾90納米製程技術生產。
2006年7月27日：英特爾·酷睿2雙核處理器誕生。該處理器含有2．9億多個電晶體，採用英特爾65納米製程技術在世界最先進的幾個實驗室生產。
2006年9月26日：英特爾宣布，超過15種45納米製程產品正在開發，面向臺式機、筆記本和企業級計算市場，研發代碼Penryn，是從英特爾酷睿微體系架構派生而出。2007年1月8日：為擴大四核PC向主流買家的銷售，英特爾發布了針對桌面電腦的65納米製程英特爾酷睿2四核處理器和另外兩款四核伺服器處理器。英特爾酷睿2四核處理器含有5．8億多個電晶體。
2007年1月29日：英特爾公布採用突破性的電晶體材料即高－k柵介質和金屬柵極。英特爾將採用這些材料在公司下一代處理器——英特爾酷睿2雙核、英特爾酷睿2四核處理器以及英特爾至強系列多核處理器的數以億計的45納米電晶體或微小開關中用來構建絕緣「牆」和開關「門」，研發代碼Penryn。
2010年11月，NVIDIA發布全新的GF110核心，含30億個電晶體，採用先進的40納米工藝製造。
2011年05月05 日：英特爾成功開發世界首個3D電晶體，稱為tri－Gate。除了英特爾將3D電晶體應用於22納米工藝之後，三星，GlobalFoundries，臺積電和臺聯電都計劃將類似於Intel的3D電晶體技術應用到14納米節點上 。
2015年，Intel的處理器晶片Knights Landing Xeon Phi，內含約zhi80億個電晶體，採用12納米制dao程。同年，IBM宣布了7納米製程研製成功。基於該技術的伺服器晶片將含200億個警電晶體。
2016年7月，發布的2015年國際半導體技術路線圖（ITRS）做出預測，經歷了50多年的微型化，電晶體的尺寸可能將在5年後停止縮減。