東芝推出新款碳化矽MOSFET模塊,有助於提升工業設備效率和小型化

2021-03-01 第三代半導體產業網

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近日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（「東芝」）宣布，面向工業應用推出一款集成最新開發的雙通道碳化矽（SiC）MOSFET晶片（具有3300V和800A特徵）的模塊---「MG800FXF2YMS3」，該產品將於2021年5月投入量產。

為達到175℃的通道溫度，該產品採用具有銀燒結內部鍵合技術和高貼裝兼容性的iXPLV（智能柔性封裝低電壓）封裝。這款模塊可充分滿足軌道車輛和可再生能源發電系統等工業應用對高效緊湊設備的需求。

應用

用於軌道車輛的逆變器和轉換器

可再生能源發電系統

工業電機控制設備

特性

漏源額定電壓：VDSS＝3300V

漏極額定電流：ID＝800A雙通道

寬通道溫度範圍：Tch＝175℃

低損耗：

Eon＝250mJ（典型值）

Eoff＝240mJ（典型值）

VDS(on)sense＝1.6V（典型值）

低雜散電感：Ls＝12nH（典型值）

高功率密度的小型iXPLV封裝

主要規格

（除非另有說明，@Tc＝25℃）

如需了解相關新產品的更多信息，請訪問以下網址：

MG800FXF2YMS3

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/photorelay-mosfet-output/detail.MG800FXF2YMS3.html

如需了解相關東芝SiC功率器件的更多信息，請訪問以下網址：

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/sic-power-devices.html

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