三安光電子公司完成碳化矽MOSFET量產平臺打造

2020-12-11 東方財富網

原標題：三安光電子公司完成碳化矽MOSFET量產平臺打造

　　

　　12月6日，中國證券報記者從三安光電(600703)子公司三安集成獲悉，該公司近期宣布已經完成碳化矽MOSFET器件量產平臺的打造。首發1200V 80mΩ產品已完成研發並通過一系列產品性能和可靠性測試，其可廣泛適用於光伏逆變器、開關電源、脈衝電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機驅動等應用領域，有助於減小系統體積，降低系統功耗，提升電源系統功率密度。目前多家客戶處於樣品測試階段。

　　據不完全統計，2020年有8家企業計劃投資總計超過430億元，碳化矽、氮化鎵材料半導體建設項目出現「井噴」。三安集成表示，「良性競爭有助於產業鏈上下遊協同發展，我們會加快新產品的推出速度和產能建設，以便保持先發優勢。」據悉，三安集成碳化矽肖特基二極體於2018年上市後，已完成了從650V到1700V的產品線布局，並累計出貨達百餘萬顆，器件的高可靠性獲得客戶一致好評。

　　三安集成方面介紹，本次推出的1200V 80mΩ 碳化矽MOSFET，與傳統的矽基IGBT功率器件相比，寬禁帶碳化矽材料擁有「更高、更快、更強」的特性——更高的耐壓和耐熱、更快的開關頻率，更低的開關損耗。優異的高溫和高壓特性使得碳化矽MOSFET在大功率應用中表現出色，尤其是高壓應用中，在相同的功率下，碳化矽MOSFET自身器件損耗小，極大減小了器件的散熱需求，使系統朝著小型化，輕量化，集成化的方向發展。這對「寸土寸金」的電源系統來說至關重要，比如新能源車載充電器OBC、服務器電源等。

（文章來源：中證網）

(責任編輯：DF052)

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