（全球TMT2020年12月3日訊）中國化合物半導體全產業鏈製造平臺 -- 三安集成於日前宣布，已經完成碳化矽MOSFET器件量產平臺的打造。首發1200V 80mΩ產品已完成研發並通過一系列產品性能和可靠性測試，其可廣泛適用於光伏逆變器、開關電源、脈衝電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機驅動等應用領域，有助於減小系統體積，降低系統功耗，提升電源系統功率密度。目前多家客戶處於樣品測試階段。
本次推出的1200V 80mΩ 碳化矽MOSFET，與傳統的矽基IGBT功率器件相比，寬禁帶碳化矽材料擁有「更高、更快、更強」的特性 -- 更高的耐壓和耐熱、更快的開關頻率，更低的開關損耗。
由於器件結構的原因，碳化矽MOSFET的體二極體是PiN二極體，器件的開啟電壓高，損耗大。在實際使用中，往往會通過並聯肖特基二極體作續流，減小系統損耗。三安集成的碳化矽MOSFET通過優化器件結構和布局，大大增強碳化矽體二極體的通流能力，不需要額外並聯二極體，降低系統成本，減小系統體積。
如何能夠得到優質的碳化矽柵氧結構是目前業界普遍的難題。柵氧質量不僅會影響MOSFET的溝道通流能力，造成閾值漂移現象，嚴重時會導致可靠性的失效。三安集成通過反覆試驗和優化柵氧條件，閾值電壓的穩定性得到明顯提高，1000hr的閾值漂移在0.2V以內。
目前行業內碳化矽MOSFET缺貨聲音不斷，三安集成加速碳化矽器件產能擴張。今年7月在長沙高新區開工建設的湖南三安碳化矽全產業鏈園區，計劃總投資160億元，佔地1000畝。目前項目一期工程建築主體已拔地而起，計劃將於2021年6月開始試產。不到1年的時間，在茅草荒地上建立一個全面涵蓋碳化矽晶體生長、襯底、外延、晶圓製造和封裝測試的全產業鏈現代化製造基地。