CISSOID宣布推出用於電動汽車的三相碳化矽(SiC)MOSFET智能功率模塊

各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布，將繼續致力於應對汽車和工業市場的挑戰，並推出用於電動汽車的三相碳化矽（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺。這項新的智能功率模塊技術提供了一種一體化解決方案，即整合了內置柵極驅動器的三相水冷式碳化矽MOSFET模塊。

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202003/410623.htm

這個全新的可擴展平臺同時優化了功率開關的電氣、機械和散熱設計及其臨界控制，對於電動汽車（EV）整車廠和願意快速採用基於碳化矽的逆變器以實現更高效、更簡潔電機驅動的電動機製造商而言，該平臺可以幫助他們加快產品上市時間。

該可擴展平臺中的第一款產品是一個三相1200V/450A碳化矽MOSFET智能功率模塊，它具有低導通損耗特性，導通電阻為3.25毫歐（mOhm），同時具有低開關損耗特性，在600V/300A時導通和關斷能量分別為8.3mJ和11.2mJ。相比最先進的IGBT功率模塊，其將損耗降低了至少三倍。新模塊通過一個輕質的鋁碳化矽（AlSiC）針翅底板進行水冷，結到流體的熱阻為0.15°C / W。該智能功率模塊可承受高達3600V的隔離電壓（經過50Hz、1分鐘的耐壓測試）。

內置的柵極驅動器包括3個板載隔離電源（每相1個），可提供每相高達5W的功率，從而可以在高達125°C的環境溫度下輕鬆驅動頻率高達25KHz的功率模塊。高達10A的峰值柵極電流和對高dV/dt（> 50KV/µs）的抗擾性可實現功率模塊的快速開關和低開關損耗。還具備欠壓鎖定（UVLO）、有源米勒鉗位（AMC）、去飽和檢測和軟關斷（SSD）等保護功能，以確保一旦發生故障時可以安全地驅動功率模塊並提供可靠的保護。

「開發和優化快速開關碳化矽功率模塊並可靠地驅動它們仍是一個挑戰，」CISSOID執行長Dave Hutton表示。「這款新型碳化矽智能功率模塊是在功率模塊和柵極驅動器方面進行多年開發的成果，這源於我們和汽車與交通運輸領域領導者們的密切合作。我們很樂意向早期的碳化矽器件採用者提供首批智能功率模塊樣品，從而去支持汽車行業向高效的電動汽車解決方案過渡。」