-
CISSOID宣布推出用於電動汽車的三相碳化矽(SiC)MOSFET智能功率模塊
這項新的智能功率模塊技術提供了一種一體化解決方案,即整合了內置柵極驅動器的三相水冷式碳化矽MOSFET模塊。本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202003/410623.htm這個全新的可擴展平臺同時優化了功率開關的電氣、機械和散熱設計及其臨界控制,對於電動汽車(EV)整車廠和願意快速採用基於碳化矽的逆變器以實現更高效、更簡潔電機驅動的電動機製造商而言,該平臺可以幫助他們加快產品上市時間。
-
基於IGBT模塊和驅動器IC的電機驅動和逆變器設計方案
半導體製造商提供了許多合適的柵極驅動器,作為集成解決方案,具有多種功能和能力。因此,為 IGBT 模塊配套合適的柵極驅動器非常重要。 IGBT 模塊有多種封裝類型(圖 4)。最大規格的額定電壓為 3,300 伏或以上,設計用於兆瓦級裝置,如可再生能源系統、不間斷電源和超大型電機驅動。
-
ADI公司推出小型隔離式柵極驅動器
(ADI)今天宣布推出小型隔離式柵極驅動器,這些產品專門針對SiC(碳化矽)和GaN(氮化鎵)等電源開關技術所需的更高開關速度和系統尺寸限制而設計,同時仍然提供對IGBT(絕緣柵雙極型電晶體)和MOSFET(金屬氧化物半導體場效應電晶體)配置的開關特性的可靠控制。
-
三相1200V/450A SiC MOSFET電動汽車智能功率模塊
首席技術官,Pierre Delatte 越來越多的領先電動汽車製造商正在將碳化矽(SiC MOSFET)功率場效應管用於牽引逆變器,其中有些還採用了非傳統的分立器件封裝。但是,目前很難找到針對電動機驅動而優化的 SiC 功率模塊來適配不同的應用。更進一步,將快速開關的 SiC 功率模塊與柵極驅動器、去耦及水冷等整合為驅動總成,還要面對一些新的挑戰。因此,經過完全優化和高度集成的智能功率模塊解決方案,可以為客戶節省大量的開發時間和工程資源。
-
羅姆推出車載用柵極驅動器BM6103FV-C
「BM6103FV-C」,最適合作為電動汽車(EV)和混合動力車(HEV)逆變迴路中IGBT以及功率MOSFET的驅動元件。另外,與傳統的光耦方式相比,可大幅降低耗電量,而且由於具備了所有必要的保護功能和品質要求,可減少設計時的工作量。 不僅如此,還支持作為新一代功率半導體備受期待的SiC(Silicon carbide:碳化矽)的功率MOSFET的高速開關,非常有助於實現更加高效、更加低功耗的新一代電動汽車。
-
IGBT和SiC MOSFET差異 柵極驅動器電路設計
但是,並聯模塊的主要原因是技術原因,這些原因對於SiC MOSFET而言比對IGBT更為重要,原因如下: 多個封裝可以散布在散熱器上並改善冷卻效果。這樣可以從更昂貴的SiC MOSFET模塊提供更多電流。 較大的物理封裝由於機械間距以及用於承載較高電流的螺釘端子連接的使用,在電源迴路和柵極驅動器電路中均具有較高的電感。
-
安森美半導體的碳化矽(SiC)功率模塊 將支持臺達的太陽能光伏逆變器
SiC技術的使用提供了實現太陽能逆變器等應用中所要求高能效水平所需的低反向恢復和快速開關特性。安森美半導體先進電源分部高級副總裁Asif Jakwani說:「碳化矽技術有潛力變革能源市場。安森美半導體開發的全SiC集成功率模塊解決了太陽能逆變器在提升功率水平下對更高系統能效的需求,並證實SiC技術的成熟。」
-
智能功率模塊助力業界加速邁向基於碳化矽(SiC)的電動汽車
當前,新型快速開關的碳化矽(SiC)功率電晶體主要以分立器件或裸晶片的形式被廣泛供應,SiC器件的一系列特性,如高阻斷電壓、低導通電阻、高開關速度和耐高溫性能,使系統工程師能夠在電機驅動控制器和電池充電器的尺寸、重量控制和效率提升等方面取得顯著進展,同時推動SiC器件的價格持續下降。
-
1月新品推薦:SoC、傳感器、柵極驅動器、整流器
s8Vesmc柵極驅動器1月14日CISSOID宣布,推出為Wolfspeed提供強勁可靠的柵極驅動器,以支持其XM3碳化矽(SiC)MOSFET功率模塊。該新型柵極驅動器板旨在為高功率密度轉換器提供支持,可以安全地驅動快速開關碳化矽功率模塊以實現低損耗,同時可以在空間受限的電機驅動器、緊湊型電源或快速電池充電器內部的高溫環境中運行。
-
碳化矽JFET助推功率轉換電路的設計方案
與傳統的MOSFET器件相比,JFET不易發生故障,適合斷路器和限流應用。例如,如果你用1毫安的電流偏置一個JFET的柵極,並監控柵極電壓Vgs,見圖1,你可以監控器件的溫度,因為Vgs隨溫度線性降低。此屬性對於需要功率場效應管(Sic JFET)的功率模塊應用程式特別有用,它可以監視其自身的運行狀況。
-
Cissoid推出電動汽車用三相SiC智能功率模塊
資料來源:cissoid官方網站 據國外媒體報導,比利時Cissoid公司已經推出了一種可用於電動旅行的三相SiC智能功率模塊(IPM)。這款1200伏/450安集成電路模塊包括一個帶內部柵極驅動器的三相水冷碳化矽金屬氧化物半導體場效應電晶體模塊。在600伏/300安時,其導通電阻為3.25毫歐,導通能量和關斷能量分別為8.3毫歐和11.2毫歐。與最新的矽IGBT模塊相比,損耗至少減少了三分之一。 該功率模塊由輕型鋁矽擾流板底板水冷,結溫電阻為0.15癈/瓦。
-
Silicon Labs擴展隔離柵極驅動器產品系列
/825xx隔離柵極驅動器。新產品結合了更快更安全的開關、低延遲和高噪聲抑制等能力,可更靠近功率電晶體放置,實現緊湊的印製電路板(PCB)設計。這些柵極驅動器所取得的新進展可以幫助電源轉換器設計人員滿足甚至超越日益提高的能效標準及尺寸限制,同時支持使用碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)和快速Si FET等新興技術。
-
安森美半導體推薦的升壓及逆變器模塊
作為全球第二大功率分立和模塊半導體供應商,安森美半導體以豐富的電源專知提供廣泛的產品陣容,從矽到碳化矽(SiC),從分立器件到電源模塊,以及門極驅動器、運算放大器、光耦等,乃至完整的參考設計、在線設計工具WebDesigner+、雲平臺開發工具Strata Developer Studio和現場應用支援,幫助工程師解決設計挑戰,從而更快設計出具競爭優勢的方案。
-
3月新品推薦:光電模塊、MOSFET、光耦、電感
該模塊僅有3.7mm厚和5.5mm x 3.6mm的面積,可直接貼裝並大幅節省佔位空間,從而更輕鬆地將泛光照明器系統置於行動裝置當中。mYzesmcMerano Hybrid模塊是全球集成了VCSEL驅動器的最小雷射泛光照明器系統。高度光電轉換率的2W Merano-Hybrid適用於最新的3D傳感技術,包括飛行時間和結構光等方案。
-
關於博世碳化矽功率器件的幾個常識,你可能還不知道!
博世於2019年10月在德國正式宣布其開始碳化矽相關業務。功率碳化矽半導體生產基地位於德國羅伊特林根。博世碳化矽MOSFET以封裝或裸片形式提供。迅速開關會在導通和關斷切換過程中引起不可避免的寄生電感和電容振蕩,由此產生的功率和電壓峰值會使電路的組件過載。每個碳化矽MOSFET其內部電容和電感都參與在其中。為了改進,我們在柵極線上增加一個外部電阻可以在開關速度和電容振蕩趨勢之間進行折衷(圖4和5)。圖4:針對汽車逆變器應用進行了優化的1200V導通。
-
36氪首發|推出碳化矽功率半導體「模塊+」應用解決方案,「忱芯科技...
作為第三代半導體材料的一種,碳化矽具有耐高壓、耐高溫、能量損耗低而耐高頻運行的特點,例如相同規格的逆變器,使用碳化矽基MOSFET模塊的和使用矽基IGBT模塊的相比,其能量損耗小於後者的1/4,其體積也小於後者的1/2,可以大幅降低終端用戶成本支出。
-
東芝推出新款碳化矽MOSFET模塊,有助於提升工業設備效率和小型化
近日,東芝電子元件及存儲裝置株式會社(「東芝」)宣布,面向工業應用推出一款集成最新開發的雙通道碳化矽(SiC)MOSFET晶片(具有3300V和800A特徵)的模塊---「MG800FXF2YMS3」,該產品將於2021年5
-
碳化矽功率模塊及電控的設計、測試與系統評估
因此,很多人宣稱,當碳化矽功率器件應用於能源轉換後,變頻器系統將有更高的功率密度、更小的體積、更高的允許工作溫度,以及更低的損耗,從而給應用系統帶來更大優勢。 臻驅科技計劃將碳化矽晶片封裝至功率模塊,並應用於新能源車的電機驅動器中(以下簡稱「電控」),用於取代其現有的矽基IGBT功率模塊(峰值功率約為150 kW)。
-
碳化矽(SiC)功率器件或在電動汽車領域一決勝負
散熱容易:由於SiC材料的熱導率較高(是Si的三倍),散熱更容易,器件可工作在更高的環境溫度下。理論上,SiC功率器件可在175℃結溫下工作,因此散熱器的體積可以顯著減小。3.可以減小功率模塊的體積:由於器件電流密度高(如Infineon 產品可達700A/cm²),在相同功率等級下,全SiC 功率模塊(SiC MOSFETsSiC SBD)的封裝尺寸顯著小於Si IGBT 功率模塊。碳化矽功率器件發展中存在的問題:1.
-
集成自舉二極體和快速過流保護的600V三相柵極驅動器加速了三相...
三相電機運行需要三相逆變器,其一般組成為:6個功率電晶體(MOSFETs或IGBTs)、控制電晶體的柵極驅動器(一個或多個)、實現控制算法(速度、轉矩控制等)的控制邏輯電路(微控制器或微處理器)。本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202006/414807.htm柵極驅動器為數字控制和功率執行器之間的模擬橋梁,其必須可靠、抗噪聲和擾動魯棒、精確(保證控制算法和脈寬調製有效),且為保證安全運行,其在非常規條件下或在系統某一部分失效期間需具備保護和安全功能。