全矽MEMS振蕩器介紹

2021-01-08 電子產品世界

無論是電子工程師還是元器件採購者,在選擇時鐘組件時都會經過全面嚴謹的評估。因為一顆健康、穩定、持久的「心臟」,將直接影響到電子系統的功能和可靠性。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/185524.htm

時鐘組件可分為無源晶振、有源晶振和多輸出時鐘發生器三大類產品。在過去60年中,石英作為時鐘市場的主流技術,一直佔據著霸主地位。但由於其受到傳統製造工藝的限制以及下遊原材料(起振電路和基座)市場的壟斷,因此性價比無法進一步提升。為了滿足電子市場對元器件提出的更小、更可靠、更靈活的需求,時鐘組件必須走上全面矽化的道路。這篇文章將主要介紹全矽MEMS振蕩器和傳統石英的區別,以及全矽IC技術所解決的問題。

石英和全矽MEMS時鐘振蕩器簡介

傳統的石英振蕩器是由壓電石英加上簡單的起振晶片和金屬封裝組成的,其生產工藝包括:石英切割鍍銀、購買基座、起振晶片,以及將石英及晶片以特殊黏膠結合後至於基座上,然後充填氮氣,用金屬封裝進行密封。而不同頻率、不同工作電壓振蕩器的產生,則是由石英的不同形狀、鍍銀厚度及所佩的起振晶片所決定。所以,從生產工藝角度,石英產業是一個人工密集型的半自動化傳統產業,其產品也受到傳統原材料和工藝的限制:

1. 複雜的生產程序導致供貨期的拖長及缺貨應急困難的現象;

2. 不同振蕩器規格需不同原料不同工藝,從而使成品缺乏靈活性,無法為滿足不同應用而進行實時配置;

3. 壓電石英對溫度敏感度高的特性,造成石英振蕩器的溫飄煩惱;

4. 石英易碎怕摔老化的弱點需靠生產工藝和質量管理來解決,缺乏質量和長期可靠性的一致性。

電子系統廠商為求從根本上解決石英的內在弱點,因此在時鐘組件的選料上開始轉向全矽MEMS振蕩器。與傳統石英振蕩器截然不同,MEMS振蕩器採用了全矽的產品結構,有一個全矽MEMS諧振器和一個可編程Analog CMOS驅動晶片堆棧,並以標準QFN IC封裝方式完成。圖1為SITIME MEMS振蕩器透視圖。

圖1 全矽MEMS振蕩器展示圖

與傳統石英相比,全矽MEMS振蕩器不管從生產工藝還是組件設計結構上,都更符合現代電子產品的標準,也是對傳統石英產品的升級換代。

* 高性能模擬溫補技術使全矽MEMS振蕩器具有優秀的全溫頻率穩定性,徹底解除溫飄問題;

* 可編程的平臺為系統設計和縮短新產品開發周期提供必要的靈活性;

* 完善的半導體生產鏈可讓全矽MEMS供貨期全面縮短,並提升需求應急的能力;

* 全自動生產的IC結構在質量和可靠性方面有無可置疑的優良的一致性。

全矽MEMS振蕩器的全溫性能優勢

頻率穩定性,特別是在不同溫度下的穩定性,是電子工程師在選擇振蕩器時考慮的主要參數之一。因為每一個設計,都需要保證系統在整個工作溫度範圍內正常運作。而溫飄(頻率隨溫度而顯著變化的現象)則是傳統石英產品的弱點,難以單純從製造上克服。圖2是石英和全矽MEMS振蕩器在頻率穩定性方面的比較。

圖2 全矽MEMS振蕩器25PPM頻率穩定性超越石英

圖2的深黑色曲線顯示出一個工業級(-40℃-85℃)石英振蕩器要達到全溫頻率穩定性25PPM在技術上的難度。從圖中可看到,在高低溫的情況下,石英作為參考時鐘其設計餘量較不充分,由此也增加了整體系統在工業級全溫產生不穩定運行的可能性。

圖2同時也顯示了各種色彩的平衡線,代表了110個SiTime全矽MEMS振蕩器在-40℃-85℃範圍內的實際總頻差。與石英振蕩器相比,這些工業級MEMS振蕩器頻率穩定性不但可保持在15PPM以下,其曲線更具有線性特徵,為系統提供更大的設計餘量。

正由於全矽MEMS振蕩器利用溫度補償的技術,從振蕩器設計上解決了石英溫飄的煩惱,因此電子工程師在選料時有了更大的餘地。他們可以選擇50PPM的MEMS振蕩器來替代很多25PPM的石英,既可滿足系統所需規格,又可降低成本。或者,他們可採用25PPM的MEMS振蕩器來提升系統總體穩定性。

全矽MEMS振蕩器的可編程規格組合

傳統石英振蕩器的主要規格參數如輸出頻率、頻率穩定性是由石英切割的形狀、厚度及在加工過程中鍍銀老化等步驟來實現的。這也決定了石英一個頻率、一個工作電壓、一個頻率穩定性對應一個料號的固定頻率的商業模式。

從圖3也可看到,從技術角度,高頻率的石英振蕩器一般無法支持1.8V的工作電壓,或25PPM的頻率穩定性,因為壓電石英的基本波振蕩是限制在60MHz以下。60MHz以上的頻率則需利用3次,5次或7次倍頻,再加上過濾電路來實現,造成有限的規格選擇和居高不下的成本。

圖3 傳統石英一般只支持常用固定品率和規格

因此,石英的傳統模式雖有簡單明了的優點,但卻缺乏了現代電子廠商在產品開發、供貨周期和備貨成本管理上所需要的靈活性。

與石英相比,全矽MEMS振蕩器是由MEMS諧振器和高性能模擬CMOS晶片組成的一個可編程的時鐘平臺,其主要規格參數都在設計時整合進了CMOS,利用內嵌的NVM(非易失性存儲器)來實現振蕩器參數即MEMS振蕩器的實時配置。

圖4 全矽ME振蕩器平臺提供不同頻率,電壓和PPM的組合

圖4展示了SiTime 的SiT9102差分振蕩器的靈活性,同一個基本料號可通過編程來實現不同參數規格組合。

除圖中所示,SiT9102還可通過編程方式達到民用級(0℃-70℃)、超民用級(-20℃-70℃)或工業級(-40℃-85℃)等不同工作溫度,以及一般高頻振蕩器無法支持的10PPM頻率穩定性。

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