穩了，強壓之下中芯國際率先突破，國產8nm晶片最快年底試產

文/數碼新一

9月15日美國針對華為的禁令正式生效，這意味著在接下來的一段時間內華為將面臨沒有新晶片誕生的窘境，用一點就少一點，直到庫存的1.3億枚晶片耗盡。如果短時間內找不到替代方案，華為可能真的要被迫放棄手機業務了。

這對國內科技企業絕對是一個巨大的威脅，一旦你做到了行業頂尖的位置，就有可能遭受到美國的打壓，所以走到現在華為的生死存亡關乎的不只是自己的安危，更是代表著中國科技的發展命運，所以華為絕對不能倒下。

隨著晶片的禁令的的生效，國內對自研半導體生產線的呼聲越來越高，突破行業壁壘打破美國技術封鎖已是迫在眉睫。

如何突破技術限制呢?要知道晶片發展至今早已形成一套完整的技術生產鏈，而這個生產鏈的核心技術大都掌握在國外（美國），而其中最關鍵的就是國內缺少EUV光刻機（極紫外光光刻機），它是製造10nm製程以下晶片的基礎，沒有它國內晶片代工廠商就無法更近一步突破到10nm內。

10nm就像一個分水嶺，阻擋著國內晶片代工廠前進的腳步，只有突破了才能加入高端晶片製造的競爭行列，也就有了與國外抗衡的資格。不過想要做到這一步可不容易，EUV光刻機始終是一個無法繞過的難題。光刻機為何這麼難造？原因是它並非是一個國家能夠單獨完成的，而是集合了美、德、日、法等全球幾十個國家的尖端技術，總部件更是誇張到10萬個，少一個都不行，而最終匯集到荷蘭的ASML公司完成組裝調試，不僅如此，每年還需要大量的科研人員定期維護。說到這裡你就理解一臺EUV光刻機有多難得，中國造不出來的原因了吧。

難道沒有EUV光刻機就真的無法製造出先進的晶片嗎？正常情況下是毫無疑問的。不過面對美國的重壓之下，國內半導體企業中芯國際另闢蹊徑率先做出突破，一種不需要依賴頂尖光刻機的晶片技術問世。

FinFET N+1是一種全新的晶片製造方案，它將幫助國產晶片的進程突破到8nm時代。實際上這種技術已經不是首次出現，早在2019年中芯國際就用FinFET技術實現14nm晶片的量產，而這次N+1在今年的9月18日正式宣布突破技術限制，這意味著中芯國際將成為大陸首個突破到10nm工藝內的廠家，這絕對是讓人慶賀的事情。

值得注意的是，目前該工藝已經進入導客階段，也就是說這種技術已經具備試產晶片的條件，不再是一場夢。如果順利的話，年底實現小批量試產是沒有問題的，按照中芯國際的算法，晶片的製程應該算是8nm工藝，與上一代相比它的功耗降低了7%而性能提升了20% 左右，非常給力。

不過也不能太過驕傲，晶片代工的龍頭企業臺積電已經能夠大批量量產5nm晶片了，麒麟9000和蘋果的A14都是此等工藝；而且更為厲害的是，臺積電很有可能在明年實現3nm工藝晶片的量產，穩坐晶片代工一個位置。而排第二的三星雖不如臺積電晚了一步，但最遲也在明年上半年實現5nm量產，與他們相比，國內還是要落後一大截。

當然不管怎麼說，中芯國際此次的突破恰逢時機，在美國不擇手段的打壓下前進一大步，給國產掙得了臉面，知道我們也不是那麼容易被打敗的。

最後為中國加油，為中芯國際點讚。