眾所周知，光刻機是制約我們晶片製造技術發展的重要設備之一了。因為在晶片製造環節之中，光刻機的成本佔35%，工時佔到40%左右。
偏偏這麼重要的設備，國產的技術還是較為落後的，目前僅能生產90nm晶片製造的光刻機，而ASML的EUV光刻機，可以實現到3nm節點了。
所以如何提高國產光刻機技術，估計是國內眾多網友、晶片企業們關心的共同話題了。很多人認為掌握EUV光刻機，可能是至關重要的一步，這樣就可以直接搞定到10nm晶片，甚至7nm晶片。
但事實上，對於光刻機而言，不需要EUV光源，也是可以搞定10nm晶片光刻，甚至7nm晶片的光刻，而目前國產光刻機也就是卡在這一環節，只要跨過去，有望進入到10nm節點。
但需要的掌握浸潤式技術。我們知道目前在光刻機上有三種光源，一種是最原始的汞燈光源，不過那是好久前了，20年前使用的技術。
後來發展到DUV光源，又有三種，那就是KrF、ArF，後來在進入到F2時卡住了，如下圖，就是將光源波長減小到157時卡住了。
這時候臺積電的林本堅提出一個想法，那就是浸潤式，原來的光刻機使用的介質是空氣，那如果介質使用水呢？利用水的折射，是不是波長就變小了，精度更高了？
於是ASML第一個實驗，成功生產出第一臺浸潤式光刻機，利用193nm波長的光源，實現了等效134nm波長光源幹的事情。
最後經intel、臺積電、三星這樣的大廠實驗發現，這種使用193nm波長的光源的光刻機，加入浸潤式技術之後，可以一直使用到7nm的晶片製造。
目前國內最強的光刻機廠商上海微電子，已經在利用ArF光源，生產出的光刻機可以用於90nm的晶片製造，只要掌握浸潤式技術，就可以提升很大一步，直接到10nm、甚至7nm也是有可能的。
當然，這一步不容易邁出，但相信只要有付出，就會有收穫，目前國產替代已經無法阻擋了，相信上海微電子掌握浸潤式技術之後，國產光刻機會有長足發展，一定程度上緩解光刻機卡脖子的問題。