項目籤約
濟南市副市長孫斌致辭
槐蔭區委書記國承彥
槐蔭區委副書記、區長朱玉明主持會議
12月7日，以「產融合作 助力發展」為主題的「2018中國寬禁帶功率半導體技術論壇及產業發展峰會」在山東濟南舉行。本次大會由中國寬禁帶功率半導體及應用產業聯盟與國投創新投資管理有限公司聯合主辦，包括"技術交流"、"產業論壇"、「產融對接」等三大板塊，包括12個主題演講和多個項目籤約及產融對接活動。
國家部委及山東省濟南市政府主管部門領導和美國、澳大利亞以及中國科學院等機構的30多位頂級專家，中車集團、國家電網等寬禁帶半導體技術和產業領域內的160家企業，國家開發投資公司、國家開發銀行、國家集成電路大基金等40餘家知名金融機構，共計300多位嘉賓參會，共同研討寬禁帶功率半導體產業發展和產業鏈建設，開展產業與金融對接。
中國寬禁帶功率半導體及應用產業聯盟（以下簡稱「中寬聯」）理事長宗豔民在致辭中表示，與矽半導體相比，目前是我國新一代寬禁帶半導體與發達國家差距相對較小，是我國半導體產業趕超世界發達水平的最好機會。中寬聯以中國寬禁帶半導體產業走在世界前列為目標，將努力抓住歷史機遇，推動中國寬禁帶半導體產業發展。同時宗豔民表示，中寬聯誕生於山東濟南，非常希望中國的寬禁帶半導體能夠發展於山東，發展於濟南，打造中國寬禁帶半導體的創新和產業高地。
國家集成電路產業投資基金股份有限公司丁文武總裁在致辭中表示，寬禁帶半導體是新一代半導體的重要發展和突破方向，國家高度重視。國家集成電路產業投資基金也始終高度關注，大力支持我國寬禁帶半導體產業的發展。中寬聯是我國寬禁帶功率半導體領域的重要的行業社團組織，肩負起了"代表行業、服務行業、發展行業"的使命，在寬禁帶功率半導體技術及產業發展中發揮了重要作用。國家集成電路產業投資基金將繼續與中寬聯保持密切合作，共同推動我國寬禁帶功率半導產業的發展。
中國科學院微電子所所長葉甜春在致辭中表示，半導體產業難度高、周期長、投入大，我們國家發展半導體產業必須下定決心走自主創新，自主可控的發展道路，同時保持開放姿態，融入全球產業生態圈。他認為，只要政府和社會各界廣泛支持，推動行業穩定持續發展，我國的半導體產業，特別是寬禁帶半導體產業在未來10-15年內必將取得重大突破。
中國科學院院士郝躍、中國工程院院士湯廣福、美國美國紐約州立大學石溪分校教授Michael Dudley、澳大利亞昆士蘭微納米技術中心主任SimaDimitrijev等國內外專家和產業界人士分別就寬禁帶半導體的技術和應用進行12項專題技術報告，展示了寬禁帶半導體的最新技術進展和廣闊發展前景。
峰會同時舉行了以「產融合作，助力發展」為主題的產業論壇。國投創新投資管理有限公司董事總經理李鋼、山東天嶽公司營運長Ang TY和中科院微電子所所長葉甜春等業內產、學、研、金各方面代表圍繞我國寬禁帶半導體領域深化產融合作，推動產業發展了深入探討，提出了許多針對性意見和建議。
會上還舉行了《寬禁帶功率半導體發展路線圖》發布儀式。
據悉，中國寬禁帶功率半導體及應用產業聯盟於2013年12月在濟南成立，理事長單位為山東天嶽先進材料科技有限公司，作為世界上第一個寬禁帶半導體產業聯盟，在我國寬禁帶功率半導體技術及產業大重大政策研究支持和產業發展推動等方面發揮了重要作用，鼎力支持國家寬禁帶功率半導體技術及產業發展頂層設計，並在寬禁帶半導體技術和產業發展方向、標準制定、合作交流等方面開展了積極探索和紮實工作，在行業內具有十分重要的影響力。
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寬禁帶功率半導體介紹
寬禁帶功率半導體是繼矽半導體後新近發展起來的新的一代半導體材料，是國民經濟發展的戰略性、先導性產業，具有技術先進、應用領域廣泛等特點，是培育戰略性新興產業、發展電子信息經濟的重要支撐。它具有工作溫度高、高電壓、高頻率、大電流等卓越的性能優勢，在已經應用的照明、電力電子、微波通訊等領域表現出了顛覆性的效果：
在照明領域可以實現節能90%；在電力電子領域可以實現節能30%以上，系統體積減少三分之二的卓越效果；在微波通訊領域它實現了大功率長距離的輸送，是5G必須的基礎材料。一定程度上沒有碳化矽襯底材料就無法實現5G。國內外半導體技術和產業界一致認為，碳化矽功率半導體的應用和發展在人類發展史上具有裡程碑式的重大意義——金屬材料成就了機械化時代，矽半導體材料成就了信息化時代，碳化矽、氮化鎵等寬禁帶半導體將成就綠色、智能時代。它的廣泛應用將解決世界兩大難題：節能環保和人工智慧。發達國家都把發展寬禁帶功率半導體作為國家戰略，我國在中國製造2025和「十三五」規劃中也都做了重點布局。