象由芯生:如何讓功率器件插上智能的翅膀?

2020-12-24 千龍網·中國首都網

本周,以「象由芯生·科技服務人民」為主題的2020紫光展銳市場峰會在上海召開。

同期舉行的「智能功率專題論壇」上,紫光展銳攜手來自三安集成電路、晨宸辰科技、迦美信芯、成都電子科技大學、西安交通大學、東南大學等產學研合作夥伴的專家開展「智能功率專題論壇」,深度分享了有關射頻前端、射頻濾波器以及功率器件領域的技術發展洞見,共同推進產業技術進步發展。

 5G時代射頻前端器件面臨新挑戰

射頻前端,是移動通信設備的重要組成部分。據預測,到2025年全球射頻前端市場規模將達258億美金,年複合增長率超過8%。其中濾波器和 PA是射頻前端領域最大的兩個細分市場,合計佔市場的61%。全球射頻前端市場集中度較高,細分市場均為日美巨頭壟斷。前四大廠商佔據全球約85%的市場份額。目前全球貿易保護主義盛行,射頻前端市場的國產替代迫在眉睫。

隨著5G時代的到來,為滿足5G大帶寬、低時延、大連接的新要求,同時為了滿足終端小型化、高集成度的需求,對射頻前端器件也提成眾多新挑戰。

紫光展銳高級副總裁宓曉瓏

紫光展銳高級副總裁宓曉瓏指出:5G時代,射頻前端器件不但需要採用新材料、新工藝,更需要注入新設計理念;同時5G能耗的增加對功率器件也提出了更高要求,功率器件要向更高效的方向發展。面對如此複雜挑戰,紫光展銳必須承擔好自身的義務與責任,更需要產業上下遊共同努力和應對,共同推動產業技術進步,讓功率器件插上智能的翅膀。

據介紹,紫光展銳的射頻前端部門2007年推出2G PA,2011年推出3G PA,2015年推出4GPA,2020年推出5G PA,目前已在海信5G手機中先行量產。紫光展銳射頻前端產品從2G到5G的不同產品已突破眾多品牌客戶,年出貨量超過1億顆。

紫光展銳陳景

紫光展銳陳景博士分析了射頻濾波器的機遇與挑戰--伴隨5G核心技術,如CA、Massive MIMO以及高階QAM等射頻前端元器件數量和市場份額的大幅度增加,其中濾波器增長速度最快。手機濾波器的市場趨勢來看,分立和模組化的濾波器數量均呈快速上漲趨勢,集成濾波器產品的增長勢頭強勁。總體來看,目前射頻濾波器市場主要被美日韓壟斷,但增長的濾波器市場滋養了各種創新與創業的機會,射頻前端濾波器面臨本土化的機遇,同時也面對智慧財產權、多工器設計以及產品模組化等諸多挑戰。

 新材料、新工藝、新設計理念

說到射頻前端器件需要採用新材料、新工藝、注入新設計理念的趨勢,眾多合作夥伴在論壇演講中進行了精彩分享。

晨宸辰科技總經理陳飛

晨宸辰科技總經理陳飛解析了5G射頻前端中晶圓級濾波器模組實現的挑戰和機會--5G射頻前端集成度大幅提升,5G射頻方案的複雜性導致成本增加,模組方案需要更多製造產能。實現SAW濾波器的低成本晶圓級封裝是射頻前端模組的關鍵。為此,晨宸辰推出晶圓級封裝方案:第一代WLAP和第二代WLAP濾波器,晨宸辰已經部署月產一萬片晶圓級濾波器封測產能和月產一千萬顆的SiP封測產能;未來晨宸辰將持續部署月產兩萬片晶圓濾波器級封測產能和月產三千萬顆的SiP封測產能。

成都電子科技大學教授吳傳貴

成都電子科技大學教授吳傳貴介紹了新一代單晶壓電薄膜射頻濾波器晶片技術,針對布拉格反射型聲學器件結構,其團隊建立了涵蓋材料仿真計算、材料製備方法、器件結構設計、器件製備工藝和表徵方法的完整技術鏈條新材料方面,突破了現有聲學濾波器長期以來的帶寬和頻率雙重瓶頸;新結構方面,提高工作頻率,大幅減小晶片尺寸,滿足模組化發展;新工藝方面,開發獨創的製造工藝,減少流片步驟,降低製造成本。

迦美信芯CEO倪文海博士介紹了Sub-6GHz 5G NR平臺上基於矽SOI CMOS工藝的核心射頻器件。他指出,Sub-6GHz 5G NR平臺上,濾波器其實還有很多是基於矽工藝的,這個特殊工藝叫SOI CMOS,需要核心射頻器件。迦美信芯的差異化優勢包括:一是專注細分領域,專注於射頻前端的天線開關,天線調諧器和低噪放的產品開發與合作,與紫光展銳的5G平臺合作是互補的關係;二是單襯底的SOI CMOS工藝設計,採用成熟的晶圓和封裝工藝,做出高性能的產品;三是穩定的供應鏈,晶圓和封測都採用國內一流的供應商,供貨穩定,封裝與國際公司產品兼容,容易推廣和備貨;四是高性能的產品,從130nm到 110nm再到 55nm的技術路線圖,產品技術指標達到國際水準,能滿足國際品牌客戶需求,產品品類齊全,滿足各種不同的應用需求。

東南大學王海明教授介紹了智慧天線射頻設計技術。伴隨著無線移動通信快速發展,工作頻率越來越高,天線及射頻電路的結構和設計日趨複雜,由此帶來了越來越高的計算負擔。對天線及射頻電路的優化及敏感性分析等問題而言,可靠的全波電磁仿真所耗費的計算資源和優化算法對參數與性能函數的調用次數形成了一對天然的矛盾。近年來,人工智慧被廣泛引入天線與射頻的設計領域,用以緩解全波電磁仿真帶來的計算壓力,從而大幅加速天線及射頻設計。包括人工神經網絡、支持向量機和高斯過程回歸等機器學習方法被用來建立低計算複雜度的代理模型,從而對未知設計點處的天線及射頻性能做出快速預測。通過機器學習與全局優化方法的結合,能夠為複雜的天線及射頻電路設計帶來全新的解決方案。

西安交通大學教授王來利介紹了寬禁帶功率半導體器件的高密度封裝集成技術。由於其優異的開關性能和高溫工作性能,寬禁帶功率器件未來將對應用帶來革命性變化,但同時也對器件的封裝技術帶來了巨大的挑戰:寬禁帶半導體的開關頻率可以顯著提高,因此可以實現功率變換的高功率密度、高頻化、高效率的目標。但是,在高開關頻率下,如何降低寄生電感影響,如何提升電磁元件的性能是面臨的主要問題。未來希望通過互連技術、封裝結構優化等方法,實現系統集成,來減小寄生參數的影響。在高溫工作方面,主要的挑戰來自於器件的面積減小,發熱集中,如何解決低熱阻散熱、熱膨脹係數匹配等問題。所以必須在封裝材料,封裝結構等方面尋找解決方案。此外,由於器件的工作溫度大幅高於傳統的矽器件,挑戰主要來自於由功率循環引起的對封裝結構機械應力的耐受。必須在封裝材料、結構等方面進行升級,才能真正發揮寬禁帶器件的優勢。

三安功率器件技術市場總監葉念慈闡述了第三代半導體電力電子器件的優勢:一是低導通電阻,可以降低導通損耗;二是高頻開關,可以減小無源器件尺寸;三是器件容許的工作溫度升高,可以減小散熱器體積。現在第三代半導體的量還很小,市場應用暫時還沒有鋪開,業界要想辦法把一些製造優勢或設計優勢能夠集中展現,先度過比較困難的時期,之後才會有一個比較好的發展。

本周,以「象由芯生·科技服務人民」為主題的2020紫光展銳市場峰會在上海召開。

同期舉行的「智能功率專題論壇」上,紫光展銳攜手來自三安集成電路、晨宸辰科技、迦美信芯、成都電子科技大學、西安交通大學、東南大學等產學研合作夥伴的專家開展「智能功率專題論壇」,深度分享了有關射頻前端、射頻濾波器以及功率器件領域的技術發展洞見,共同推進產業技術進步發展。

 5G時代射頻前端器件面臨新挑戰

射頻前端,是移動通信設備的重要組成部分。據預測,到2025年全球射頻前端市場規模將達258億美金,年複合增長率超過8%。其中濾波器和 PA是射頻前端領域最大的兩個細分市場,合計佔市場的61%。全球射頻前端市場集中度較高,細分市場均為日美巨頭壟斷。前四大廠商佔據全球約85%的市場份額。目前全球貿易保護主義盛行,射頻前端市場的國產替代迫在眉睫。

隨著5G時代的到來,為滿足5G大帶寬、低時延、大連接的新要求,同時為了滿足終端小型化、高集成度的需求,對射頻前端器件也提成眾多新挑戰。

紫光展銳高級副總裁宓曉瓏

紫光展銳高級副總裁宓曉瓏指出:5G時代,射頻前端器件不但需要採用新材料、新工藝,更需要注入新設計理念;同時5G能耗的增加對功率器件也提出了更高要求,功率器件要向更高效的方向發展。面對如此複雜挑戰,紫光展銳必須承擔好自身的義務與責任,更需要產業上下遊共同努力和應對,共同推動產業技術進步,讓功率器件插上智能的翅膀。

據介紹,紫光展銳的射頻前端部門2007年推出2G PA,2011年推出3G PA,2015年推出4GPA,2020年推出5G PA,目前已在海信5G手機中先行量產。紫光展銳射頻前端產品從2G到5G的不同產品已突破眾多品牌客戶,年出貨量超過1億顆。

紫光展銳陳景

紫光展銳陳景博士分析了射頻濾波器的機遇與挑戰--伴隨5G核心技術,如CA、Massive MIMO以及高階QAM等射頻前端元器件數量和市場份額的大幅度增加,其中濾波器增長速度最快。手機濾波器的市場趨勢來看,分立和模組化的濾波器數量均呈快速上漲趨勢,集成濾波器產品的增長勢頭強勁。總體來看,目前射頻濾波器市場主要被美日韓壟斷,但增長的濾波器市場滋養了各種創新與創業的機會,射頻前端濾波器面臨本土化的機遇,同時也面對智慧財產權、多工器設計以及產品模組化等諸多挑戰。

 新材料、新工藝、新設計理念

說到射頻前端器件需要採用新材料、新工藝、注入新設計理念的趨勢,眾多合作夥伴在論壇演講中進行了精彩分享。

晨宸辰科技總經理陳飛

晨宸辰科技總經理陳飛解析了5G射頻前端中晶圓級濾波器模組實現的挑戰和機會--5G射頻前端集成度大幅提升,5G射頻方案的複雜性導致成本增加,模組方案需要更多製造產能。實現SAW濾波器的低成本晶圓級封裝是射頻前端模組的關鍵。為此,晨宸辰推出晶圓級封裝方案:第一代WLAP和第二代WLAP濾波器,晨宸辰已經部署月產一萬片晶圓級濾波器封測產能和月產一千萬顆的SiP封測產能;未來晨宸辰將持續部署月產兩萬片晶圓濾波器級封測產能和月產三千萬顆的SiP封測產能。

成都電子科技大學教授吳傳貴

成都電子科技大學教授吳傳貴介紹了新一代單晶壓電薄膜射頻濾波器晶片技術,針對布拉格反射型聲學器件結構,其團隊建立了涵蓋材料仿真計算、材料製備方法、器件結構設計、器件製備工藝和表徵方法的完整技術鏈條新材料方面,突破了現有聲學濾波器長期以來的帶寬和頻率雙重瓶頸;新結構方面,提高工作頻率,大幅減小晶片尺寸,滿足模組化發展;新工藝方面,開發獨創的製造工藝,減少流片步驟,降低製造成本。

迦美信芯CEO倪文海博士介紹了Sub-6GHz 5G NR平臺上基於矽SOI CMOS工藝的核心射頻器件。他指出,Sub-6GHz 5G NR平臺上,濾波器其實還有很多是基於矽工藝的,這個特殊工藝叫SOI CMOS,需要核心射頻器件。迦美信芯的差異化優勢包括:一是專注細分領域,專注於射頻前端的天線開關,天線調諧器和低噪放的產品開發與合作,與紫光展銳的5G平臺合作是互補的關係;二是單襯底的SOI CMOS工藝設計,採用成熟的晶圓和封裝工藝,做出高性能的產品;三是穩定的供應鏈,晶圓和封測都採用國內一流的供應商,供貨穩定,封裝與國際公司產品兼容,容易推廣和備貨;四是高性能的產品,從130nm到 110nm再到 55nm的技術路線圖,產品技術指標達到國際水準,能滿足國際品牌客戶需求,產品品類齊全,滿足各種不同的應用需求。

東南大學王海明教授介紹了智慧天線射頻設計技術。伴隨著無線移動通信快速發展,工作頻率越來越高,天線及射頻電路的結構和設計日趨複雜,由此帶來了越來越高的計算負擔。對天線及射頻電路的優化及敏感性分析等問題而言,可靠的全波電磁仿真所耗費的計算資源和優化算法對參數與性能函數的調用次數形成了一對天然的矛盾。近年來,人工智慧被廣泛引入天線與射頻的設計領域,用以緩解全波電磁仿真帶來的計算壓力,從而大幅加速天線及射頻設計。包括人工神經網絡、支持向量機和高斯過程回歸等機器學習方法被用來建立低計算複雜度的代理模型,從而對未知設計點處的天線及射頻性能做出快速預測。通過機器學習與全局優化方法的結合,能夠為複雜的天線及射頻電路設計帶來全新的解決方案。

西安交通大學教授王來利介紹了寬禁帶功率半導體器件的高密度封裝集成技術。由於其優異的開關性能和高溫工作性能,寬禁帶功率器件未來將對應用帶來革命性變化,但同時也對器件的封裝技術帶來了巨大的挑戰:寬禁帶半導體的開關頻率可以顯著提高,因此可以實現功率變換的高功率密度、高頻化、高效率的目標。但是,在高開關頻率下,如何降低寄生電感影響,如何提升電磁元件的性能是面臨的主要問題。未來希望通過互連技術、封裝結構優化等方法,實現系統集成,來減小寄生參數的影響。在高溫工作方面,主要的挑戰來自於器件的面積減小,發熱集中,如何解決低熱阻散熱、熱膨脹係數匹配等問題。所以必須在封裝材料,封裝結構等方面尋找解決方案。此外,由於器件的工作溫度大幅高於傳統的矽器件,挑戰主要來自於由功率循環引起的對封裝結構機械應力的耐受。必須在封裝材料、結構等方面進行升級,才能真正發揮寬禁帶器件的優勢。

三安功率器件技術市場總監葉念慈闡述了第三代半導體電力電子器件的優勢:一是低導通電阻,可以降低導通損耗;二是高頻開關,可以減小無源器件尺寸;三是器件容許的工作溫度升高,可以減小散熱器體積。現在第三代半導體的量還很小,市場應用暫時還沒有鋪開,業界要想辦法把一些製造優勢或設計優勢能夠集中展現,先度過比較困難的時期,之後才會有一個比較好的發展。

相關焦點

  • 談談超結功率半導體器件
    現代功率半導體技術已被廣泛應用於國民經濟的方方面面,從傳統的工業電子、擴展到信息通訊、計算機、消費和汽車領域,新能源、軌道交通、電動汽車和智能電網正成為功率半導體市場增長的強大引擎。超結的出現,使得器件比導通電阻大幅降,被國際上譽為「功率MOS器件的裡程碑」,超結的優越特性也帶來了巨大的市場需求,有人預計2020年市場規模將高達22億美元,功率晶片已被視為中國半導體破局的重要領域。
  • 移動辦公時代 如何讓數碼複合機插上騰飛的翅膀
    【PConline 技術解析】我們的辦公經歷了紙筆這般如此費時費力的時代後,人們發現通過電腦和網絡可以進行更為高效的信息傳遞,而當智能移動終端(智慧型手機、平板電腦)產品的普及,人們更是想無時不刻的可以進行辦公操作,在當今移動辦公時代下,負擔企業文印主力輸出任務的數碼複合機產品如何能插上一雙騰飛的翅膀呢?
  • 詳解微波射頻器件極限功率損耗與分散
    每個器件都有一個最大的功率極限,不管是有源器件(如放大器),還是無源器件(如電纜或濾波器)。理解功率在這些器件中如何流動有助於在設計電路與系統時處理更高的功率電平。但隨著微波真空管(如行波管 (TWT))和核心有源器件(如矽橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)電晶體和氮化鎵(GaN)場效應電晶體(FET))的功率電平的日益增加,當安 裝在精心設計的放大器電路中時,它們也將受到連接器等器件甚至印刷電路板(PCB)材料的功率處理能力的限制。了解組成大功率器件或系統的不同部件的限制 有助於回答這個長久以來的問題。
  • 2021年功率器件的現狀和發展趨勢 - 中國功率器件市場調研與發展...
    第一章 中國功率器件行業發展綜述  第一節 功率器件行業定義及分類    一、行業概念及定義    二、行業主要產品大類    三、行業在國民經濟中的地位  第二節 功率器件行業統計標準    一、功率器件行業統計部門和統計口徑    二、功率器件行業統計方法
  • 如何正確使用合適的功率器件以滿足工業電源要求
    使用本質上有助於提高能效的有源和無源元件;對於功率器件 (MOSFET) 和某些二極體,則表示要改用基於 SiC 工藝技術的元器件。 憑藉較小的導通電阻及其在高溫下的卓越性能,如今 SiC 已成為下一代低損耗開關和阻斷元件最可行的候選材料。
  • 0歲就聽莫扎特,酷小狗早教機為音樂啟蒙插上」智能+「的翅膀
    0歲就聽莫扎特,酷小狗早教機為音樂啟蒙插上」智能+「的翅膀 2019年03月13日 17:22作者:網絡編輯:王動   大部分有早教意識的家長都會用講故事的方式來進行早教。
  • 臺基股份:國內最具規模的功率半導體器件生產企業之一!
    臺基股份,題材概念解析梳理泛在電力物聯網:公司自主開發的固態脈衝功率開關系列,近年來已經在多個國家智能電網示範項目、前沿科技工程等項目中標和應用。國產晶片:公司在冶金鑄造領域、電機控制領域優勢領先,是國內最具規模的功率半導體器件生產企業之一;公司採用垂直整合(IDM)一體化的經營模式,專注於功率半導體晶片及器件的研發、製造、銷售及服務,主要產品為功率晶閘管、整流管、IGBT、電力半導體模塊等功率半導體器件。
  • 為社會救助插上科技的翅膀
    為社會救助插上科技的翅膀 2020-07-09 18:37 來源:澎湃新聞·澎湃號·政務
  • 臻驅科技融資1.5億,發力下一代功率器件
    近年來,新能源汽車逐步流行,新一代具有節能和智能化的電動汽車代表汽車行業的主流發展方向,同時對於功率器件和電控系統提出了新的要求。碳化矽技術作為下一代高功率密度器件核心,已經成為功率半導體廠商布局的重點方向。很明顯,臻驅科技已經看到這一機會。
  • 如何考入耀華——英語給我插上了飛翔的翅膀
    我明白,奧數杯賽成績只是開啟耀華之門的鑰匙,最終能否走入耀華,絕不能僅僅依賴數學,英語成績提高不了,就沒有把握和信心,就是沒有飛翔的翅膀!   我是幸運的,翅膀很快找到了!從此開始了我的四個多月的衝刺之旅,更是我跨入耀華之門的幸運之旅。   我的幸運之旅是從聽說「李麗」這個名字開始的。
  • 智慧檢查站讓服務效能插上翅膀
    智慧檢查站讓服務效能插上翅膀 2020-12-15 12:08 來源:澎湃新聞·澎湃號·政務
  • 給孩子的夢想插上科技的翅膀
    「當科學家是無數中國孩子的夢想,我們要讓科技工作成為富有吸引力的工作,成為孩子們尊崇嚮往的職業,給孩子們的夢想插上科技的翅膀,讓未來祖國的科技天地群英薈萃,讓未來科學的浩瀚星空群星閃耀!」習近平總書記在兩院院士大會上的這一重要論述飽含殷切期望。郭守敬小學有這樣一位科學老師,自2002年來到郭守敬小學,就將「責任與奉獻」當作從教生涯的追求與目標。
  • 讓夢想插上科技的翅膀!校長和你聊科技
    9月24日起,掌上春城推出「專家科普『雲課堂』」系列報導,邀請不同行業、不同種類、不同領域的各類科學專家參與線上,以最接地氣的語言,普及藏在生活中的科學小知識,助力科學惠民之翼騰飛。掌上春城訊每一個小小的夢想,都需要一雙翅膀來助力夢想起航。校園,是夢想萌芽的地方,也是夢想起航的地方。科技進校園,真正為農村孩子的夢想插上了科技的翅膀。
  • 「理想」不再是理想,為夢想插上「翅膀」理想one攜夢而行!
    2019年4月10日,理想ONE上市,車型僅一款最高配,全國統一零售價為32.80萬元首款沒有裡程焦慮的智能電動車——理想ONE。最開始對於官方公布的這個新聞我是不相信的,對於純電驅動來說其動力系統主要由四個部分組成:儲能系統、功率電子模塊、電動機、順序手動變速箱。
  • 如何讓SHU插上AI的翅膀?愛數人工智慧戰略解讀
    8月8日的愛數2019合作夥伴大會上,愛數公布了人工智慧戰略,讓SHU插上AI的翅膀。專用人工智慧的行業分類當人類社會進入智能時代,人工智慧技術不斷發展,滲透至各行各業,帶了許多創新的應用。人工智慧分為兩類,即通用人工智慧和專用人工智慧。
  • 【紅燭照丹心】覃小梅:為「折翼天使」插上「夢想的翅膀」
    【紅燭照丹心】覃小梅:為「折翼天使」插上「夢想的翅膀」 2020-09-07 11:56 來源:澎湃新聞·澎湃號·政務
  • 碳化矽功率器件市場火熱,你知道它的關鍵技術是什麼嗎
    功率器件行業發展到IGBT(絕緣柵雙極電晶體)時期,矽基器件的性能已經接近極限,邊際成本越來越高,而半導體器件產業仍對高功率、高頻切換、高溫操作、高功率密度等有著越來越多的需求,因此以SiC(碳化矽)、GaN(氮化鎵)等第三代半導體材料為核心的寬禁帶功率器件成為了研究熱點與新發展方向
  • 新型GaN功率器件的市場應用趨勢
    在整個功率器件發展的過程中,大家可以看這個圖,1970年有第一個可控矽出來,隨著時間和技術的推移會功率密度要求變得逐漸提升,後面是二級的電晶體,慢慢到90年代末出現了IGBT。2000年的時候在整個技術領域就提出了,現在矽基產品達到了物理極限。現在我們要讓開關頻率進一步提高,怎麼辦?現在整個市場上有兩個新材料,一個是我今天介紹的氮化鎵,還有一個是碳化矽。
  • Fundamentals of Power Electronics-4.2 功率半導體器件概述
    4.2 功率半導體器件概述「導讀:本節對功率半導體器件進行了概述,從器件結構及特性介紹了功率二極體、MOSFET以及IGBT等半導體器件。讀者可以重點關注二極體,MOSFET以及IGBT這幾種常用的功率半導體器件。由於涉及到較多半導體專業詞彙,這裡翻譯比較粗糙,甚至可能有較多錯誤,歡迎讀者勘誤並留言給小編進行改進!
  • 米黃大理石插上網際網路「翅膀」
    米黃大理石插上網際網路「翅膀」     北川探索「網際網路+大理石+股票」產業發展模式——□本報記者 鄒俊川    經濟下行壓力和房地產市場的低迷,讓北川米黃大理石產業受到波及。