據臺灣工商時報報導，記憶體大廠華邦電宣布奪下去年NOR Flash全球最大供應商龍頭寶座。根據市場研究機構WebFeet Research最新市場資料，華邦電去年NOR Flash記憶體營收規模全球市佔率達22.8％，此亮眼成績歸功於穩健的出貨量，華邦電去年快閃記憶體總出貨量逾30億顆，一舉佔有全球NOR Flash記憶體全系列產品出貨量的27.3％。
報導指出，華邦電第一季營收115.49億元，毛利率季增2個百分點達24.1％，營業利益0.32億元代表本業已開始獲利，但因提列業外損失導致歸屬母公司稅後淨損0.87億元，每股淨損0.02元。不過，華邦電第二季以來受惠於DRAM、NOR/NAND Flash合約價同步上漲，4月合併營收月增5.0％達43.49億元，較去年同期成長11.4％。法人看好華邦電第二季營運將由虧轉盈且繳出獲利成績單。
他們表示，華邦電去年NOR Flash記憶體營收獨佔全球鰲頭，全球市佔率22.8％，出貨量全球佔有率27.3％。此外，就序列式NOR Flash記憶體而言，華邦電自2012年以來即為市場最大供應商，2019年在全球20.09億美元的市場中擁有27.1％的市佔率。
華邦電董事長焦佑鈞在致股東報告書中提及，去年華邦電在編碼型儲存快閃記憶體的營收創新高，佔全年營收比重51％，首次超越DRAM營收並成為最大的事業。華邦電與國際大廠建立緊密夥伴關係，其中NOR Flash更為全球第一領導廠商，亦為華邦電穩健成長主要動能。
為了因應不斷攀升的快閃記憶體需求，華邦電於中科園區營運12吋晶圓廠外，亦計劃於南科高雄園區建置第二座12吋晶圓廠，將視需求逐步擴增和調配產能，以期滿足諸如AI、車用電子、儲存裝置、網絡與5G等快閃記憶體新應用需求。
華邦電自2006年推出SpiFlash的NOR Flash產品線以來，在序列式快閃記憶體出貨已逾200億顆，在這段時間裡，華邦電持續推進位程及封裝能力，包括於2011年推出首款58納米產品，現今已提供容量介於16Mb至1Gb、電壓介於1.8V至3V的高容量58納米SpiFlash，並計劃於2021年推出最先進45納米製程NOR Flash
國內也百花爭鳴曾經NOR Flash由於容量小、成本高等缺點，一度被存儲大廠邊緣化，但是由於5G、IOT、AMOLED和智能汽車等下遊市場的快速發展，再次受到廠商的重視。提到NOR Flash大家首先想到的國內排名第一的兆易創新，但除了兆易創新之外，還有許多中小廠商在這個領域「摸爬滾打」，瓜分剩餘10%的NOR Flash市場份額。NOR Flash屬於利基存儲，市場競爭和技術門檻較低，是新入者切入存儲領域的最佳選擇。
作為電子系統的糧倉，存儲晶片的重要性可以用一句話形容「以行軍打仗作比喻，發展存儲晶片可謂是兵馬未動糧草先行」。因此，由於存儲晶片的重要性和廣闊的市場空間吸引了一大波國內中小廠商的聚集，在NOR Flash領域，除了兆易創新之外，還有很多國內中小廠商也在暗暗發力，瓜分NOR Flash剩餘的10%份額。
NOR FLASH的未來
每種半導體技術都將有一天到達終點。而NOR Flash正面臨性能擴展的瓶頸，並逐漸被更多的SLC NAND和新興存儲應用所取代。不過，業界專家認為，NOR Flash並不會完全消失，但必須轉而尋求其它應用需求…嵌入式NOR仍然可行，但是在擴展技術方面存在挑戰。
UMC業務管理副總裁Walter Ng表示，嵌入式NOR快閃記憶體的主流市場為40nm及以上，儘管該行業已開始朝著更小的幾何尺寸遷移。Ng說：「開發方面的重點是28nm。」
在嵌入式NOR繼續獲得收益的同時，業界正在開發幾種下一代存儲器類型，許多新的存儲器目標是取代傳統的嵌入式NOR。「諸如MRAM之類的新興存儲器很有希望，它們可以啟用新的應用程式；然而，與傳統的嵌入式快閃記憶體相比，新興存儲器可以大大降低總體成本，還有很長的路要走。」 Microchip的Tiwari說。「掩模數量不是比較非易失性存儲器成本的有效方法。」
但是，嵌入式MRAM越來越受歡迎。例如，GlobalFoundries和Everspin正在為GlobalFoundries的22nm FD-SOI平臺開發嵌入式MRAM技術。GlobalFoundries計劃將MRAM替換為嵌入式NOR，以實現緊密的流程-包括finFET在內的所有流程。
此外，三星還在其28nm工藝中製造了嵌入式8Mbit STT-MRAM。該設備證明了用於物聯網應用的eMRAM商業化的可行性。
另一種技術ReRAM也開始湧現，甚至準備即將離開實驗室研發階段。ReRAM在嵌入式領域具有顯著優勢，例如在速度和低功耗方面。松下是第一個將ReRAM技術商業化的公司。2013年7月，松下推出了8位MCU。該MCU集成了0.18微米ReRAM技術。
此外，松下和聯電在2018年5月舉行的國際存儲器研討會（IMW）上共同宣布了ReRAM（嵌入式ReRAM）的開發狀態。並展示了具有8 Mbit（1 MB）存儲容量的嵌入式ReRAM宏的原型。他還表示，該產品正在開發中，將於2019年實現商業化。但如今松下已將其半導體業務部門剝離，具體進展尚不清楚。不過早在2017年，中芯國際已正式出樣40nm工藝的ReRAM晶片。