非接觸卡MCRF200及PSK讀寫器電路設計

2021-01-07 電子產品世界

摘要:本文介紹了非接觸式IC卡晶片MCFR200的特點和工作原理,並對其在PSK工作模式下的讀寫器電路設計作了較詳細的論述。該PSK解調方法亦可用於設計TYPE B型卡讀寫器BPSK的解調電路。PSK方式的優點是讀出速度快捷。

關鍵詞:非接觸卡;MCRF200;讀寫器;PSK;負載調製

1 MCRF200簡介

MCRF200是Microchip公司生產的非接觸式可編程無源RFID器件,它的工作頻率?載波?為125kHz。該器件有兩種工作模式:初始?Native?模式和讀模式。所謂初始模式是指MCRF200具有一個未被編程的存貯陣列,而且能夠在非接觸編程時提供一個缺損狀態?其波特率為載波頻率fc的128分頻,調製方式為FSK,數據碼為NRZ碼?;而讀模式是指在接觸或非接觸方式編程後的永久工作模式,在該模式下,MCRF200晶片中配置寄存器?詳見後述?的鎖存位CB12置1,晶片上電後,將依據配置寄存器的設置並按協議發送數據。

MCRF200的其它主要性能如下:

●帶有一次可編程(OTP)的96位或128位用戶存儲器(支持48位或64位協議);

●內含整流和穩壓電路;

●功率損耗極低;

●編碼方式可在NRZ碼、曼徹斯特碼、差分曼徹斯特碼之間選擇;

●調製方式可在直接調製(ASK)、FSK、PSK1和PSK2(PSK1、PSK2定義見後述中選擇);

●採用PDIP和SOIC封裝形式。

2 MCRF200的工作原理

2.1 應用系統構成

MCRF200的典型應用系統構成如圖1所示。圖中,引腳VA和VB接電感L1和電容C1構成的外接諧振電路,該LC諧振電路的諧振頻率為125kHz。讀寫器邊的LC電路?也諧振於125kHz?則用於輸出射頻能量,同時可接收MCRF200晶片以負載調製方式送來的數據信號。

2.2 晶片內部組成原理

圖3

MCRF200晶片的內部電路框圖如圖2所示,它由射頻前端電路和存貯器電路兩大塊組成。其中,射頻前端電路用於完成晶片所有的模擬信號處理和變換功能,包括電源、時鐘、載波中斷檢測、上電復位、負載調製等電路。此外,它還用來實現編碼、調製方式的邏輯控制;而配置寄存器電路則用於確定晶片的工作參數。該配置寄存器不能被非接觸方式編程,因為它在非接觸方式下已經被Microchip公司在生產時進行過編程。

配置寄存器各位的控制功能如下:

●CB1:用於設置存貯器陣列的大小。當CB1為1時,用戶陣列為128位;為0時,其用戶陣列為96位。

●CB2、CB3、CB4位:該三位編碼可用於設置波特率,其編碼表列於表1。

●CB5用來設置同步字。CB5為1時,有1.5位同步字;為0時,無同步字。

●CB6與CB7:用於設置數據編碼方式,具體見表2所列。

●CB8與CB9:調製方式選擇位,具體見表3。

●CB10:PSK速率選擇位。該位為1時選擇fc/4;為0時則選擇fc/2?其中fc為載波頻率。

●CB11:該位總為0。

●CB12:該位為0時,存貯陣列未鎖定;為1時,存貯陣列被鎖定。

表1 波特率設置表(fc為載波頻率)

CB2CB3CB4波特率CB2CB3CB4波特率000fc/128100fc/64001fc/100101fc/50010fc/80110fc/40011fc/32111fc/16

表2 數據編碼方式設置

CB70011CB60101編碼方式NRZ-L曼徹斯特編碼差分曼徹斯特碼反曼徹斯特碼

表3 調製方式選擇(fc為載波頻率)

CB9CB8市制方式00FSK:0為fc/8;1為fc/1001PSK110直接11PSK2

3 PSK讀寫器電路設計

3.1 PSK調製

MCRF200的PSK調製方式有兩種:PSK1和PSK2。採用PSK1調製時,每當相位在數據位的上升沿或下降沿時,將在從位起始處跳變180;而在PSK2調製時,相位將在數據位為1時從位起始處跳變180,為0時則相位不變。PSK1是一種絕對碼方式,PSK2是一種相對碼方式,因此,PSK讀寫器硬體只能按一種調製方式設計(如PSK1),而當要工作在另一調製方式時,可用軟體進行轉換。

圖3所示是一個典型的PSK調製信號波形示意圖,圖中假設PSK速率為數據位速率的8倍。

3.2 PSK讀寫器

PSK讀寫器的電路結構如圖4所示。它由4MHz晶體振蕩器、分頻器、載波功放、包絡檢波器、濾波放大、脈衝成形器、相位比較器、微處理器及與主機接口電路等組成。

圖4中,讀寫器發收兩通道的信號流程已很清楚,這些電路的設計參考文獻很多。下面僅就功率放大器、包絡檢波、PSK解調以及RS-232串口電路進行分析。

(1)功放電路

該PSK讀寫器的功放電路如圖5所示。圖中,T1、T2、T3用於組成B類放大器,L1、C1和C2串聯諧振於125kHz,選通分頻器輸出的125kHz載波加至功放,L2和C3用於構成輸出諧振電路,這樣,在L2上將產生電磁場,從而保證卡晶片進入場區時能獲得足夠的載波能量而被激活。但L2所產生的場能量也有一定的限制,通常在30m處測試應不超過65dBμV(dBμV=20logμV)。

(2)包絡檢波電路

非接觸IC卡的負載調製通常採用AM方式,讀寫器中的載波解調採用簡單的包絡檢波電路,圖5中,D3和D4的作用是對晶片負載調製信號進行全波檢波,以檢出PSK包絡。

而R8和C5組成的低通濾波器則應滿足包絡檢波條件,即:

R8C5≥(5-10)/ωC

式中:ωC為載波角頻率。但應注意為了減小惰性失真,R8 和C5不應取值過大。

(3)PSK解調器電路

PSK解調電路是讀寫器能正確將PSK調製信號變換為NRZ碼的關鍵電路,其具體電路見圖6所示。圖中,從脈衝形成電路送出的62.5kHz的PSK方波信號?假定配置寄存器CB10位為0,即PSK速率為fc/2?加至觸發器D3的時鐘輸入端。觸發器D3的數據輸入端D加入的是由125kHz載波基準形成的62.5kHz基準方波信號,這樣,若時鐘與D輸入端兩信號相位差為90?或相位差不偏至0或180附近?,則觸發器D3的Q端輸出信號將是可由微控制器MCU讀入的數據NRZ碼。

分頻器輸出的125kHz方波基準信號經觸發器D2變換為62.5kHz的方波,而異或門1利用觸發器輸出D1的高低電平變化則可使加至觸發器D2的125kHz基準信號相位改變180,該180的相位變化在觸發器D2的Q輸出端會產生90的相移。

而基準62.5kHz信號在經異或門4後將產生125kHz脈衝信號?R3C3產生延遲?。同樣,也將產生62.5kHz的PSK數據信號,在經R2、C2和異或門後,也將產生125kHz的脈衝信號。這兩信號可在觸發器D4中進行相位比較以在觸發器D4的Q端輸出125kHz信號,其佔空比正比於兩信號間的相位差。當兩個62.5kHz信號的相位差為90時,其佔空比為50%,這對於PSK解調是理想的,若它們的相位差偏離90而向0或180偏移時,其佔空比也將同時減小或增大。

由R1和C1構成的濾波電路輸出的直流電平大小正比於相位差,該直流電壓加至一個窗口檢測電路。若直流電平靠近中間,則窗口檢測器輸出1為高,輸出2為低,異或非後為低,因而不改變觸發器D1的Q輸出狀態;若直流電平過高,則窗口檢測器1、2輸出端都為高;此時,若直流電平較低,則窗口檢測器1、2輸出端都為低。即觸發器D4輸出的佔空比過大或過小時,窗口檢測器的輸出會使觸發器D1的時鐘輸入端產生上跳變化,從而引起觸發器D1輸出Q的電平變化而使觸發器D2輸出發生90相移,最終使觸發器D3達到最佳的PSK解調狀態。

4 結束語

本文介紹了非接觸式IC卡晶片MCRF200及其在PSK工作模式下讀寫器硬體電路的設計思想和設計方法。MCRF200的PSK工作模式的TYPE A/B型卡的副載波調製方式有一定的相似性,因此本文介紹的PSK解調電路的設計方法也可供TYPE A/B型卡讀寫器副載波解調電路設計時參考。


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