大家好，今天給大家帶來有關西瓜溫室棚址選擇和定位的知識以及它們如何進行整地施肥。接下來我們一起往下看。
一、日光溫室棚址的選擇。
由於日光溫室通常使用6 -8年。個別堅固的可以使用超過10年。一旦建成，就不能隨意改變。因此，在選擇棚址時，應仔細考慮並做出合理的規劃。
在設計日光溫室時，首先應選擇乾燥度高、地下水位低，東、西、南都沒有高大樹木或建築物的地方。如果條件允許，您可以選擇具有良好氣候條件的懸崖和堤岸前的棚屋。
二、定位和布局。
日光溫室應該朝南坐北，向東，向西延伸。關於建築方向，有不同的意見，有些人主張偏東50~109。原因是該方向約60％的光合作用是在早晨形成的，而冬季和春季出棚後有最低的溫度。另一個建議是，日光溫室的關鍵是夜間保溫，應該是偏西50-8，這樣下午的溫度可以保持很高，有利於提高夜間溫度。
日光溫室淨跨度一般為8-9米，後牆佔地面積1米，南側防寒溝佔地面積0.5米。因此，單個棚屋的總設計寬度為9-10米。在同一地點建設多個棚屋時，應充分考慮道路運輸，供水和供電，產品儲存，苗圃場地和車間輔助設施，實現統一規劃和合理布局。一般來說，兩排棚屋之間應該有2-3米的公共通道，加上車間等設施，間距為6-8米。前後棚之間的距離可以由以下情況確定：為了防止前棚對後棚的遮陰，間距優選為4-5米。如果為了就近輪作建棚方便，則間距可以略寬或等於單個日光溫室的寬度，通常為9-10米。
三、日光溫室種植西瓜如何整地施肥
1.選茬整地
在溫室西瓜定植相對較早，通常從1月初到2月初，其中大部分定植在1月份。因此，瓜田應儘早準備，一般在去年的12月中旬之前。
（1）土地選擇。西瓜根的發育需要良好的土壤條件。小西瓜和無籽西瓜在早期對土壤要求更嚴格，選擇合適的甜瓜田是西瓜高產的基礎。在生產中，瓜田的選擇一般應基於高地形、深層土壤肥沃和鬆散，以及方便的灌溉和排水的原則。最好選擇鬆散肥沃的沙土，在溫室中種植西瓜，這種土壤具有良好的透氣性和良好的耕作性。早春溫度迅速上升，根系深入土壤，延伸快，枝條多，根系強，晝夜溫差大，當天變溫可以促進根系生長和葉片光合作用。
夜間快速降溫，可減少植物營養素的呼吸消耗，有助於早期幼苗和晚期糖的積累。表層土壤鬆散通風，底部土壤肥力良好，因此，它能良好的供水、供肥，是種植西瓜的理想土壤。如果沒有當地土壤條件，可根據當地條件進行調整，並與整地進行相結合。沙地瓜易發生漏水和滲漏，應加入有機肥。對於粘性土壤，有必要在冬季前加強甜瓜田的根深，增加有機物以增強其通風。
（2）整地。西瓜根系的發育程度和土壤中的分布往往受到土壤厚度、地下水位和田間含水量等因素的影響。在深耕層，地下水位低，田間含水量適宜的條件下，西瓜發育良好，分布廣泛。相反，土層淺，土壤粘稠，地下水位高，土壤水分過多或不足，西瓜根系發育不良。因此，在西瓜栽培中，必須創造有利於西瓜根發育的良好土壤條件。整地一般要求是通過深翻、乾燥等一系列措施，營造鬆散結構，通風良好，水分適宜的土壤環境。如果整地質量差，薄膜覆蓋就不能充分發揮其功能。
瓜溝也被稱為肥沃的生產溝渠。有利於改善土壤的理化性質，促進根系生長，提高植物的抗旱性。在日光溫室中，瓜溝是南北向的，小西瓜的種植距離一般為0.8~1.0米，也可以大大小小的種植，管理方便，效果好。小線間距為0.6米，大線間距為1.0~1.2米。但種植無籽西瓜應該有更大的間距，通常為1.2至1.4米，根據上述行間距將溝槽深30釐米，寬40釐米，並將15釐米或更大的表土和草皮的下層分成兩側。挖好瓜溝後，挖出的土壤不應立即填回溝渠，應將其乾燥3-5天進行處理。
2.施基肥
在瓜田施用基肥的主要功能是恢復和提高土壤肥力，為西瓜生長發育的全過程提供基本養分。由於西瓜在溫室中的多重結果，生長期較長，如果基肥不足，植物由於缺乏肥料而容易過早老化，這會影響果實的發育。基肥主要由有機肥組成，肥效長，營養成分豐富，施肥量取決於土壤的肥力和西瓜的特性。小西瓜對肥料反應很敏感，特別是如果氮肥用量太高，可能會導致植物生長過於營養，影響果實的生長。
因此，施肥時，與普通西瓜相比，基肥施用量應減少30％，通過嫁接，可降低40％~50％。一般來說，每667平方米可以施用2,500-3,000千克熟雞，以及40-50千克三元複合肥。根據生育水平，可以適當減少或增加。施肥方法可根據肥料的數量和種類確定。一般來說，在耕作前施用60％-70％的有機肥，其餘的濃縮在溝壑中，一般把肥料集中在溝裡。
近年來，在主要溫室中，為了防止土傳病害，改善土壤結構，防止土壤次生鹽漬化，增加土壤養分的吸收和利用，一般每667平方米100-150公斤生物活性有機肥，效果非常好。
以上就今天的內容，大家下期再見！