全球科技創新2019年代際切換，半導體先抑後揚，庫存擾動有望上半年結束，先抑後揚，年中有望反轉。供給端：最上遊核心材料-矽片產能受限，保守估計供需緊張將持續至2022年，從量上對半導體晶片產出的限制。需求端：以第四輪矽含量提升為背景，5G支持下的AI、物聯網、智能駕駛持續驅動晶片需求增長。庫存水位：仍處於相對低位，遠低於2011、2016年，行業基本面以得到改善，我們判斷，2016年的下行周期不會重演。趨勢研判：目前僅是上行周期中的階段性放緩，庫存擾動，靜待年中節點。
全球議價權轉向半導體企業、第三次半導體產業遷移、中國半導體佔全球比重持續提升、產業迎來十年投資大機會。2017全球半導體收入約4122億美元，預計2018年全球半導體收入將達到4779.36億美元，實現連續3年穩步增長。其中，中國為全球需求增長最快的地區，預計2018我國半導體銷售額再增20%，達到1322億美元，佔全球比重持續提升。目前我們正處於全球半導體第三次遷移進程中，從美國到日本，到韓國與臺灣省，再到中國大陸，大陸半導體市場增速持續高於全球水平，我們判斷，六年前消費電子產業東遷將會重演，半導體行業將迎來十年產業投資大機會。
國之重器、中國第二次大投入加快推進。國家戰略聚焦、巨大市場縱深、產業資本支持，中國半導體產業黃金十年到來。未來四年，全球62座新建晶圓廠中將有26座落戶中國大陸。資金支持方面，國家集成電路產業基金第一期1400億初顯成效，帶動各級產業資金總計約近5000億，第二期2000億有望推出，將引領社會投資上萬億。市場縱深方面，中國存儲、汽車、IoT及消費電子巨大市場空間推動晶片需求提升，國家戰略政策聚焦+產業資本支持驅動中國半導體產業發展，從材料、設備到設計、製造、封裝，產業鏈上所有企業將迎來黃金髮展期！
推薦重點配置半導體各細分領域龍頭企業。目前申萬半導體板塊整體估值處於相對低位，PE、PB均已經歷顯著消化，同時，板塊營收增速放緩，業績增速反升，體現產品結構改善，板塊公司盈利能力增強，基本面向好。建議關注存儲：兆易創新；模擬：韋爾股份、聖邦股份、富滿電子；數字：GPU：景嘉微；AP：全志科技；功率器件：聞泰科技、揚傑科技、士蘭微；化合物半導體：三安光電；設備：北方華創、精測電子、至純科技、長川科技；材料：興森科技、晶瑞股份、中環股份、江豐電子；封測：通富微電、晶方科技、長電科技、華天科技。
風險提示：外部環境邊際惡化、下遊需求增長不及預期、國產替代進程不及預期、測算以及拆分數據存在一定誤差。
一、半導體—十年產業投資大機會
中國半導體市場規模佔全球比重持續提高。據中國半導體行業協會等統計，2017年受存儲器漲價影響和物聯網需求推動，全球半導體收入約4122.21億美元，同比增長16%。預計2018年全球半導體收入將達到4779.36億美元，實現連續3年穩步增長。其中，中國為全球需求增長最快的地區。2017年國內半導體銷售額為1102.02億美元，同比增長19.9%。隨著5G、消費電子、汽車電子等下遊產業的進一步興起，疊加全球半導體產業向大陸轉移，中國將持續成為全球最大和貿易最活躍的半導體市場。預計2018我國半導體銷售額再增20%，達到1322億美元。
我國集成電路市場增速全球第一。2016年我國集成電路銷售額624.98億美元，2017年為828.15億美元，同比增長32%，是全球集成電路產業增速最快的區域。預計2018再增20%，達到993.1億美元。統計2000年以來18年間集成電路產業銷售規模年均增速，中國CAGR為20.6%，全球CAGR為4.8%。中國集成電路產業持續擴大，在全球的佔比持續提高，已成為全球主要消費市場。
中國半導體市場增速在17Q3至18Q1曾短暫低於全球增速，主要由於國內存儲器產業仍處於突破初期，而本輪半導體景氣度主要推手為存儲器產業，所以導致國內產業增速短暫低於全球增速，但長期來看我國半導體產業佔全球比重提升的大趨勢沒有改變，長期增速將始終維持較高水平。
產業第三次轉移，中國佔比不斷提高。從我國半導體產業遷移歷史來看，各細分板塊均經歷了技術突破、份額提升、國際領先三個階段，其中光伏、顯示面板、LED等泛半導體產業經過多年發展，均已達到國際領先水平。目前半導體封裝測試、IC設計等產業已經站穩腳跟，進入份額提升期。半導體製造、設備、材料等方面，我國相關技術不斷突破，有望在區域聚集屬性下，重演產業遷移之路。
從晶圓製造廠地域分布來看，據PWC統計，2016年我國晶圓製造廠共計170家，封測廠共計123家。其中，晶圓廠製造主要分布在東部沿海、西北地區和南部沿海，三者產能佔比為56.8%、10.5%和8.5%。江蘇晶元製造廠共計54家，數量全國居首，上海和廣東晶圓廠分別為18和14家，分居二三。封測廠方面，東部沿海集中度更高，產能佔比62.2%。其中江蘇、上海封測廠數量為20和18家。
26座晶圓廠在建，12寸是目前的主流建設方向。根據前瞻產業研究院，目前我國晶圓廠在建產能涉及12家公司、15個項目，投資額合計4399.9億元，在建產能超過81萬/月。預計2018年將貢獻約50萬片/月產能，屆時我國12寸晶圓產能增幅將達到78%。12寸投資規劃方面，據SEMI統計，主要涉及6家企業8個項目，規劃投資額約為7812.3億元。項目主要集中在北京、成都、重慶及江浙一帶。主要代表：華力上海12寸新廠在建、SMIC北京12寸廠擴建、海力士無錫12寸廠擴產中、英特爾大連12寸十月流片。
二、全球半導體周期分析
2.1 供給：矽片剪刀差-供需有望長期維持健康結構
我們17年3月推出獨家核心邏輯「矽片剪刀差」，領先產業判斷2016年以來矽片供需剪刀差帶來半導體行業8年一遇景氣行情。
2.1.1最核心材料鉗制產能釋放
矽片供需關係有望持續維持健康結構。從矽片面積需求量來看，2017年矽片需求量為9.04億平方英寸/月，至2022年可達10.51億平方英寸/月。從不同尺寸來看，12寸矽片需求擴張幅度最高，預計2022年將達661萬片/月。8寸矽片緊缺情況也在蔓延，需求量將從2017年的486百萬片/月增長至2022年的500萬片/月。150mm及以下的需求正在放緩，預計2022年需求量不足324萬片/月。
矽片平均價格將持續上漲。臺灣半導體矽晶圓龍頭環球晶董座徐秀蘭在18年11月表示，2019年矽晶圓供需仍緊，價格持續看漲。12吋矽晶圓合約價格漲幅約6~9%；8吋的合約價格也會在高個位數。「看好2019年矽晶圓供需仍緊，價格持續看漲，是非常健康的一年。
全球第一大半導體矽晶圓廠商SUMCO也表示，除了預期矽晶圓價格，2018-2019年將持續調漲外，也預期矽晶圓恐將缺貨缺到2021年，因為已有客戶針對2021年之後的產能供給進行協商。
SUMCO預計，12寸矽片繼2017年價格大漲20%後，2018價格亦將再度調漲20%，並且2019年矽晶圓價格續漲已成定局，2020年市場可能仍供不應求；「當前顧客關心的重點已經不是價格多少，而是能否確保取得所需的矽晶圓數量，部份客戶已開始就2021年的供給量進行協商，有意籤下長約。」
2.1.2摩爾定律放緩+數據時代來臨，放大剪刀差
大數據+人工智慧是核心，物聯網提供了數據基礎，雲計算解決數據處理問題，5G便利了數據傳輸，存儲晶片解決算力匹配及存儲，共同引領了新一輪的TMT創新浪潮。數據的產生、存儲、傳輸和處理，都要映射到晶片的需求，微觀層面看到的就是終端設備含矽量提升和半導體公司需求的持續增長；
數據中心、移動、汽車、IoT市場需求擴大催生終端設備矽含量持續提升。美光統計了四大應用的潛在成長空間，汽車市場將從CY17的25億美元增長至CY21的59億美元，成長2.4倍。此外，移動、數據中心、IoT市場也將在四年間分別成長1.2倍、2.1倍和1.7倍。受此影響，據IC Insights，十年來終端設備矽含量增長9個百分點。預計2021年繼續增長至28.9%。
摩爾定律放緩，進一步放大矽片剪刀差。摩爾定律正逼近物理極限，在馮諾依曼架構沒有變化之前，晶片性能提升的放緩和數據需求幾何級數式的增長之間矛盾將日益凸顯。在晶片體積無法進一步有效縮小的情況下，對晶片的需求將加劇矽片剪刀差。
存儲器是本輪景氣周期的主要推手，佔增量70%以上。從全球集成電路市場結構來看，全球半導體貿易統計組織預計2018年全球集成電路市場規模達4015.81億美元，相較於本輪景氣周期起點2016年增長了1249億美元。而存儲器18年市場規模達1651.10億美元，相較2016年增長了883億美元，佔增量比重達71%，是本輪景氣周期的主要推手。
2.1.3 存儲器位元需求是矽片偏緊的最大驅動因素
300m緊缺主要由各類數據相關應用驅動，其中存儲器位元需求增長速度已超越製程及工藝進步速度，是矽片緊張的最大驅動因素！也是矽片剪刀差傳導下來最為受益的通用型品種！
其中DRAM的製程工藝在進入20nm以下後速度明顯放緩、我們判斷未來幾年對矽片的需求量持續偏緊。而NAND由於處於2D向3D遷移過程中、預計3D良率爬坡後會有一段時期對於矽片需求下降/波動，但從長期來看增速仍將由全面替代HDD、雲計算、消費電子容量升級等因素所驅動。
SUMCO分品類對12寸矽片需求在未來數年根據PPP-GDP指數小幅增長來測算，出現較大缺口也仍然是確定性事件。未來四年矽片緊缺延續，邏輯晶片、DRAM、NAND、其他邏輯晶片和測試級對12寸矽片的需求量均突破100萬片/月，主要原因為頭廠商擴產幅度不大，3D-NAND良率提升帶來的需求增長。
從龍頭廠商SUMCO最新公布客戶存貨及周轉指數來看，廠商周轉天數持續下降同時在自身出貨量相對穩定情況下客戶矽片存貨持續下降，表明矽片緊缺程度持續。
2.2需求：第四輪矽含量提升
2017-2020年我們即將進入第四個全球半導體矽含量提升周期，下遊需求的推動力量是汽車、工業、物聯網、5G通訊、AI等，數據是核心。2017年全球半導體銷售產值突破4000億美金，我們預計，這一時期，全球半導體銷售產值首次突破5000億美金大關。
半導體矽含量代表電子系統中半導體集成電路晶片總價值佔電子系統價值的百分比，可用來衡量半導體的滲透率。如果從下遊需求分析，矽含量就是下遊需求中半導體晶片的滲透率。
根據全球半導體矽含量趨勢圖，從第一款半導體集成電路晶片發明以來，直接推動著信息技術發展，我們一共經歷著3個完整的發展周期，目前正在進入第4個發展周期。
我們結合半導體矽含量提升趨勢圖與60年全球半導體產值對過去的三輪提升周期進行回顧。我們可以清晰看到，從第一款半導體集成電路晶片發明以來，直接推動著信息技術發展，我們一共經歷著3個完整的發展周期，目前正在進入第4個發展周期：工業、網際網路、移動網際網路、泛物聯網
第四波矽含量提升周期的三大核心創新驅動是5G支持下的AI、物聯網、智能駕駛，從人產生數據到接入設備自動產生數據，數據呈指數級別增長！智能駕駛智能安防對數據樣本進行訓練推斷、物聯網對感應數據進行處理等大幅催生內存性能與存儲需求，數據為王！
所有數據都需要採集、存儲、計算、傳輸，存儲器比重有望持續提升。同時傳感器、微處理器（MCU/AP）、通信（RF、光通訊）環節也將直接受益。我們強調，第四次波矽含量提升周期，存儲器晶片是推動半導體集成電路晶片行業上行的主要抓手，密切關注大陸由特殊、利基型存儲器向先進存儲有效積累、快速發展進程。
2.2.1 人工智慧持續驅動伺服器矽含量提升
人工智慧市場不斷成長，拉動上遊半導體需求持續提升：
具體對本輪伺服器內存景氣周期進行分析，Intel伺服器平臺轉換和七大網際網路龍頭數據中心建設是16-17年的需求動能。而隨著IoT、AI（尤其智能安防）和智能駕駛時代到來，邊緣計算的快速成長帶來的性能需求將成為中長期半導體的成長驅動！數據中心對伺服器的需求成為整體伺服器市場出貨成長的關鍵。近兩年來數據中心的伺服器需求預計在2020年前規劃將繼續維持每年二至三成的年增率。
我們對伺服器配置、物料成本進行拆解，主要從CPU、DRAM、SSD等核心元器件用量及價格方面進行測算：
進一步考慮主板、散熱、電源、線纜、機架等器件成本，綜合來看，一般伺服器物料成本範圍大致為6000至90000美元水平，而存儲成本佔比大約為40~50%，並且呈現出越高階伺服器中存儲成本佔比越高的趨勢。
人工智慧訓練用伺服器主要成本在GPU。在上述對一般伺服器進行詳細拆解之後，我們進一步拆解側重於並行計算的AI訓練用伺服器，以業界龍頭英偉達推出的DGX-1伺服器為例，其使用了8顆Tesla P100加速晶片，京東單價為44999元，合計成本近36萬元，成本佔比約為70%。18年3月，英偉達發布了其最新一代伺服器DGX-2，官方售價250萬元，其中16路Tesla V100加速卡成本超百萬元，帶有16x32GB HBM顯存，1.5TB高性能伺服器DRAM+30TB NVMe NAND Flash存儲合計成本約為32萬元。可以看到，GPU仍舊佔成本比重70%左右，但存儲佔成本比重由上一代的14%提升至目前的20%，符合我們提出的「越高階伺服器中存儲成本佔比越高」的觀點。
高性能伺服器帶動伺服器市場加速成長。產業信息網數據顯示，2017年傳統伺服器出貨量達650萬臺，預計傳統伺服器出貨量增速將延續往年趨勢，在低個位數百分比水平波動，2025年出貨量有望超8百萬臺。高性能伺服器方面，2017年出貨量達480萬臺，預計增速將始終保持在兩位數水平，2022年出貨量或將超越傳統伺服器，2025出貨量有望達到1100萬臺。
我們進一步對伺服器用DRAM、CPU、GPU等核心元件市場空間進行測算。
伺服器DRAM市場空間展望達300億美元，位元單價下滑助力滲透率提升。傳統伺服器方面，單機DRAM用量預計將平穩增長，2025年或將接近0.5TB水平。考慮到目前市場上高性能伺服器DRAM配置已達單機4TB，保守估計2025年高性能伺服器平均單機DRAM用量達到2018年初發布的DGX-2水平，約為1.5TB，結合前文出貨量測算以及DRAM位元價格逐步下滑的假設，預計2025年伺服器DRAM市場空間將達到300億美元。
有望複製多核心CPU成長之路，多路CPU滲透率將穩步提升。隨著摩爾定律演進放緩，單顆CPU核心數增加周期拉長，單顆CPU性能提升逐漸逼近瓶頸。我們認為多路多核CPU將複製單路多核CPU的成長路徑，考慮到目前HPC雙路CPU已成標配，16路CPU也已推出，保守估計2025年平均每臺HPC伺服器將使用3.5顆CPU。市場規模方面，結合HPC需求的增長，2020年伺服器CPU市場規模或將達1000億美元。
AI浪潮將開啟GPU時代。部分側重於AI訓練的伺服器，相較於CPU，對於GPU的依賴度更高，我們統計了各大AI龍頭伺服器配置，包括英偉達DGX、Facebook Big Sur、國產浪潮部分型號，均普遍使用了8路至16路GPU。我們保守估計HPC單機GPU用量將逐步接近2顆，結合目前專用計算卡價格，預計高性能運算伺服器GPU市場空間有望在5-7年達到1000億美元。
2.2.2汽車電子核心驅動在於ECU量價齊升
我們認為汽車電子零部件及半導體器件含量提升的核心邏輯在於ECU（電控單元）數量及單體價值齊升，車用半導體市場規模有望長期穩定增長：
通過總線結構來看汽車ECU變化趨勢，以CAN、LIN、FlexRsay為代表的串行通訊協議推行以來，汽車ECU（電控單元）數量和價值量顯著提升，以滿足用戶在舒適性、安全性、電動化等方面的更高要求。
「電氣化+智能駕駛+新能源汽車」已經成為當前汽車行業三大核心驅動力，汽車電子也因此成為半導體下遊領域需求增長最快的市場，根據IC Insights數據，近三年全球車用晶片市場正以年複合成長率11%的速度增長，Infineon估算2017年車用半導體市場規模達345億美元，且2017-2022年將以接近8%的速度增長。
汽車矽含量及單體價值量持續提升。根據PwC數據，目前全球汽車的電子化率（電子零部件成本/整車成本）不到30%，未來會逐步提升到50%以上，發展空間很大；從絕對值看，目前單車汽車半導體價值量在358美金，未來將以每年5-10%的增速持續提升。
汽車IC快速增長，成半導體增長亮點。根據IC Insights數據，預計2018年汽車IC增速可達18.5%，規模可達323億美元。到 2021 年，汽車 IC 市場將會增長到 436 億美元，2017 年到 2021 年之間的複合增長率為 12.5%，為複合增長率最高的細分市場模塊，也是未來的主要驅動力之一。
環保節能需求推動汽車電氣化，新能源汽車快速增長。由於各國政府對能源和環境問題高度重視，紛紛提出禁售燃油車計劃，汽車電氣化幾乎是必然趨勢。Katusa Research數據顯示，中國，美國和德國將成為電動汽車的主要推廣者，致使2040年電動汽車年均銷售量可達6千萬量。新能源汽車能夠有效降低燃油消耗量，而新能源汽車需要用到大量的電源類IC（比如升降電壓用的DC/DC），模擬IC行業可從中受益。
汽車電動化程度逐步加深，矽價值量持續增長。各車企紛紛推出新能源車，以實現汽車電動化的軟替代，常見的新能源汽車包括混合動力汽車、插電式混合動力汽車、增程式電動汽車、純電動汽車。隨著電氣化程度的提升，汽車半導體價值量也水漲船高。2018年中度混合動力汽車、插電式混合動力汽車和純電動汽車單車半導體價值量分別達475、740和750美元，根據Strategy Analytics預測，2025年度混合動力汽車、插電式混合動力汽車和純電動汽車銷量分別可達到0.17億、0.13億、0.08億。
從價值量來看，在僅考慮汽車電動化的情況下，其主要電子系統的價值增量將體現在動力電池系統代替發動機系統，而動力電池系統價值估算約為10000~12000美元左右，佔整車電子系統價值比重超70%，其中鋰電池組佔比又達到動力電池系統價值的70~75%，價值量約為8000美元左右。
電動化將持續推動汽車矽含量提升。我們對動力總成系統矽含量進行拆解分析，從應用市場規模來看，目前發動機半導體市場規模最大，2017年發動機半導體市場規模超42億美元，佔動力總成半導體市場比重近50%，其次依次是變速箱、混動系統、輔助系統、起停系統。從增速來看，混動系統半導體市場規模增長最快，2015-2022年複合增長率接近30%，其次為啟停系統，7年複合增長率為10%。
非動力總成方面，我們以特斯拉Model 3為例，對中控模組、輔助駕駛、車身控制等核心部件進行拆解分析，相較於動力總成價值結構，邏輯IC、存儲IC價值佔比大幅提升，初步測算中控模組半導體價值量約為103~157美元，輔助駕駛模組半導體價值量約為369~502美元，車身控制模組半導體價值量約為79~128美元。
智能駕駛時代，「車載電腦」、「車載伺服器」大勢所趨。建立「感應-融合-決策-執行」大閉環。智能駕駛，在監測到障礙物時，如果無法及時進行智能化決策，控制方向避開障礙物，而是先傳入雲端再下發指令到車載終端的話，因信號傳輸等原因稍有延遲就會導致事故的發生。因此需要本地具備高性能運算能力的輔助駕駛/自動駕駛控制系統來對傳感器接收數據進行融合、處理，「車載電腦」、「車載伺服器」將是大勢所趨，形成「感應-融合-決策-執行」大閉環。基於上述框架，我們進一步對車用傳感器、微控制器、存儲器進行分析
傳感器方面，以特斯拉model 3為例，其使用了一顆雷達與8顆攝像頭，僅能實現2級自動/輔助駕駛水平，保守估計單車至少需要安裝30顆以上圖像傳感器才有可能實現L5自動駕駛。除圖像傳感器以外，動力總成系統內也將使用大量壓力、溫度等傳感器，預計2021年，動力總成系統內傳感器出貨量將達18億顆，以單顆1美元計算，對應市場空間保守估計將接近18億美金量級。
MCU方面，綜合考慮安全應用、車身控制、動力系統、電池組方面的需求，估算整車微控制器用量約為36~54顆，考慮到車規級晶片單價一般較高，以單顆晶片3至10美金計算，整車MCU價值量約為100至500美元。
存儲方面，從目前車載存儲主流方案來看，整體呈現存儲使用顆數、單顆容量、單顆價值量三項齊升的趨勢。麥肯錫相關報告對車載存儲整體產值進行預測，預計到2020年車載存儲整體產值將達到28.32億美元，其中DRAM和NAND佔比分別為51%、36%。
根據發改委最新《智能汽車創新發展戰略》（徵求意見稿），到 2020年，中國標準智能汽車的技術創新、產業生態、路網設施、法規標準、產品監管和信息安全體系框架基本形成，智能汽車新車佔比達到 50%，中高級別智能汽車實現市場化應用。我們對中國智能駕駛滲透與DRAM空間進行測算，以2020年中國乘用車銷量2770萬輛、智能汽車滲透率50%、單車DRAM容量38GB來測算，僅中國車載DRAM空間就有望達到5.27億GB。
2.2.3IoT：物聯網浪潮迭起，晶片環節率先受益
隨著NB-IOT標準化火速落地和穩步推進，海量廣覆蓋低功耗連接條件已經初步具備。
以網際網路、智慧型手機為代表的信息產業的第二次浪潮已步入成熟，增速放緩，而以物聯網為代表的信息感知及處理正在推動信息產業進入第三次浪潮，物聯網革命已經悄然開始！
物聯網快速發展將激活海量智能終端。小到智慧型手機、汽車，大到智能工廠，未來智能終端將滲透到人們生產生活的方方面面，物聯網設備接入數量將迎來指數級增長。Gartner 研究顯示，2014 年全球聯網設備有37.5 億臺，比2013年增加24%，預計到2020 年時，物聯網安裝基數將達到250 億，同時增加收入將達到3000 億美元。Radiant Insights 則更為樂觀的表示，連接到網絡的設備數量有望在2020年時快速飆升至超過1000億臺。
從Gartner對物聯網半導體的細分領域預測來看，MCU、通信晶片和傳感器晶片在未來四年內將具有更大的增長彈性，且物聯網半導體整體市場空間在2020年有望達到350億美元。從物聯網終端模組成本來看，儘管物聯網終端產品應用情景多，但整體上成本主要集中在處理器（MCU/AP）、傳感器以及無線通信晶片，總共佔比可能達到60%-70%。
2.3 庫存周期：庫存水位仍處於相對低位
供給端庫存水位較低，行業回調主要由於渠道端去庫存，根據行業一般規律，渠道端去庫存一般將維持2-3個季度，2019年中行業有望回暖。為了更好的理解半導體下遊需求水平及變化趨勢，也為了進一步對本輪景氣周期放緩程度及持續周期進行分析，我們分別在IDM、代工、設計以及渠道分銷等板塊篩選具有代表性的公司作為板塊樣本進行庫存分析。
2.3.1 IDM庫存：庫存佔營收比重同比、環比均有所下滑
IDM產業樣本公司的篩選過程中，我們綜合考慮了存儲、模擬以及數字電路，選擇了模擬器件、美信、安森美、恩智浦、Cypress、英特爾、德州儀器、IDT、AMS、SK 海力士、麥格納、英飛凌、意法、威世以及三星電子等十餘家企業作為樣本公司。
IDM板塊庫存佔營收比重同比、環比均有所下滑。從庫存絕對值來看，2018年三季度IDM樣本公司期末庫存合計為498億美元，同比增長12%，環比增長3%。但從庫存周轉天數來看，18Q3約為82天，環比減少3天，邊際有所改善。從庫存佔營收比重來看，18Q3庫存水位為43.70%，同比下降0.53pct，環比下降2.18pct，同比、環比均出現改善勢頭，基本面向好。
我們進一步對IDM中的公司進行篩選分析，選取德州儀器、美光、海力士作為樣本公司，三家公司均具有相當程度的代表性，美光、海力士的主營產品存儲器是本輪景氣周期主要抓手；而德州儀器作為模擬電路龍頭，在售晶片超兩萬種，對接幾乎所有半導體下遊，其庫存水平較有綜合參考價值。SK海力士庫存佔比為32%，環比、同比均基本持平；美光庫存佔比為49%，同比提升3pct，環比提升6pct；德州儀器庫存佔比為50%，同比提升4pct，環比下滑2pct。海力士、德州儀器庫存水位不升反降，僅美光庫存水位環比有所提升，但與2011年、2016年兩輪下行周期相比，仍處於較低水位。我們認為，目前僅是上升周期中的階段性放緩，行業基本面已有根本性改善，2016年的下行周期不會重演。
2.3.2 設計公司庫存：出現邊際改善勢頭
設計產業樣本公司的篩選方面，我們綜合考慮了通訊、計算、消費類等不同下遊，選擇了AMD、Cirrus、Lattice、英偉達、高通、賽靈思、ATI、聯發科、芯科以及威盛電子等十家企業作為樣本公司。
設計板塊庫存佔營收比重、DOI均呈改善趨勢。從庫存絕對值來看，2018年三季度設計板塊樣本公司期末庫存合計為69億美元，同比增長5%，環比增長3%。但從庫存周轉天數來看，18Q3約為85天，同比減少2天，環比減少1天，邊際有所改善。從庫存佔營收比重來看，18Q3庫存水位為47.23%，同比下降1.94pct，環比下降1.74pct，同比、環比均出現改善勢頭，與IDM公司趨勢一致，行業基本面整體向好。
2.3.3 晶圓廠庫存：18Q3庫存水位環比下滑
晶圓代工板塊庫存水平受下遊需求影響較大，18Q3已出現邊際改善勢頭。我們綜合考慮了地域分布情況，選擇臺積電、聯電、中芯國際、塔爾、世界等五家企業作為樣本公司。從庫存絕對值來看，2018年三季度設計板塊樣本公司期末庫存合計為50億美元，同比增長30%，環比增長4%。但從庫存周轉天數來看，18Q3約為67天，環比持平。從庫存佔營收比重來看，18Q3庫存水位為44.61%，同比增長9.27pct，環比下降0.51pct，庫存增長主要原因為消費級需求下滑所致，但從庫存水位來看，環比已有所改善。
2.3.4 渠道庫存：艾睿、大聯大庫存水位逐季下滑
渠道庫存邊際改善，曙光臨近。我們選擇了艾睿電子、安富利、大聯大等三家企業作為樣本公司。從庫存絕對值來看，安富利、大聯大Q3期末庫存同比、環比均有個位數百分比的增長，艾睿電子庫存環比下滑。但從庫存周轉天數來看，艾睿、大聯大環比均減少一天左右，安富利Q3庫存增長天數增加一天。從庫存佔營收比重來看，18Q3艾睿、庫存水位連續兩個季度改善；安富利自16年丟失ADI、Cypress、博通代理權後，庫存水位長期高位震蕩；大聯大在收入增速逐月下滑的同時，庫存佔營收比重也不斷改善，合理推斷分銷代理商均有意識控制庫存水平，預計渠道去庫存周期將在2-3個季度後迎來拐點。
2.3.5 庫存之外，下遊終端情況如何？
2.3.5.1 手機出貨疲軟，關注半導體價值量提升
智慧型手機出貨量持續低迷其主要原因是因為智慧型手機的價格不斷增長，但是硬體的創新上卻稍顯不足，一定程度上消耗了購買力。其次，智慧型手機的軟體系統不斷加強，各大廠商又定期會對系統進行優化和升級，使得手機的使用壽命變長。其次，各大廠家都在布局搶佔5G的先機，華為、高通、Intel都已經宣布在2019年會推出5G的基帶晶片，小米已經在2018年下半年宣布了5G版本的MIX 3，另外一方面國內三大運營商也在搶先組建5G實驗局，大部分消費者在此時或處於觀望狀態，希望可以一步到位到直接換成5G手機。根據Counterpoint的數據統計，目前年換機周期已經超過了22周。基於以上三個主要原因，智慧型手機的換機周期拉長，進而導致全球手機出貨量趨緩。
手機半導體價值量持續提升。結合Tech Insights相關數據，我們對歷代iphone物料成本進行了詳細拆解，除2016年iPhone 7半導體價值量短暫減少以外，整體上，智慧型手機半導體器件成本不斷攀升，我們估算iPhone Xs Max整機物料成本約為453美元，其中半導體器件價值約為227美元，佔比超50%。
2.3.5.2伺服器市場增長結合PC企穩，助力晶片需求成長
伺服器市場增長結合PC企穩，GPU、CPU等計算類晶片以及存儲器將受益：1）伺服器方面，下遊需求提升，出貨量整體增長，結構上高性能伺服器佔比提高，進一步加大了對晶片需求的拉動；2）PC方面，出貨量趨於穩定，對CPU、GPU、存儲器市場擾動減少。
高性能伺服器帶動伺服器市場加速成長。產業信息網數據顯示，2017年傳統伺服器出貨量達650萬臺，預計傳統伺服器出貨量增速將延續往年趨勢，在低個位數百分比水平波動，2025年出貨量有望超8百萬臺。高性能伺服器方面，2017年出貨量達480萬臺，預計增速將始終保持在兩位數水平，2022年出貨量或將超越傳統伺服器，2025出貨量有望達到1100萬臺。
全球PC出貨量趨於穩定。IDC數據顯示，2017年以來全球PC出貨量同比止跌，同比增速整體在低個位數百分比波動。筆記本市場方面，2017年出貨量有所回暖。整體上，PC市場趨於穩定有助於減少對CPU、GPU等計算晶片以及存儲IC市場的擾動。
三、國之重器、大投入加快推進
3.1 國產化需求快速提升，各大領域不斷突破
3.1.1 國內現狀：自給率亟待提升，產業鏈布局完善
中國集成電路市場增速全球第一，三業發展日趨均衡，雖然核心晶片自給率仍然較低，但產業鏈布局齊全。據中國半導體行業協會統計，中國集成電路行業銷售額從2013年的2508.5億元增長至2017年5411.3億元，四年間翻了一番，是全球發展最快的區域。但核心晶片（如計算機系統CPU/MPU、通用電子統FPGA/EPLD/ DSP、通信裝備嵌入式MPU/DSP、存儲、顯示及視頻驅動）自給率低。據前瞻產業研究院數據，2017年我國晶片自給率約11.2%，預計2020年國產化比例15%。從設計、晶圓代工、封測、設備四方面來看：
Fabless為三業中發展最快，高端產品空白有待填補。我國設計產業銷售規模從1999年的3億元增長到2018年的2576億元，GAGR~+42%。存儲、邏輯、模擬、射頻、傳感、功率半導體等產品線及其細分領域均有布局，但高端晶片如WIFI晶片，藍牙晶片，交換機晶片，FPGA晶片等國產化率接近零。向高性能、高端產品轉變、領導行業標準升級，獲取產品生命周期中利潤最豐厚的關鍵時段，是未來IC設計方向國產化突破方向。
晶圓代工國產化率為三業中最高。以中芯國際、華虹半導體為代表的大陸晶圓代工廠漸露曙光。2018上半年，中芯國際和華虹半導體分別以17.28億美元和4.33億美元營收位列全球十大晶圓代工第五和第九。新增需求來自於物聯網、車用電子、雲端運算、人工智慧、消費性電子等終端以及本土Fabless崛起促進晶圓代工服務需求增加。
本土封測業高速增長，規模進一步擴大。據中國半導體行業協會封裝分會統計，2017年國內集成電路測試產業銷售額由2016年的1523,2億元增至1816.6億元，同比增長19.3%。然而先進封裝技術、綜合技術水平仍存在相當差距，自主創新能力仍顯不足。國內封測產業鏈不甚健全，對設備、材料的依賴，裝備和材料的國產化水平有待提高。
設備方面，據SEMI數據，2018年全球設備銷售金額超600億美元，其中我國僅次於韓國，以118億美元市場和43.5％的增長率排名第二。預計2020年我國半導體設備市場規模將達到663.96億元。目前，我國半導體設備市場仍非常依賴進口，但從產業布局角度來看，國內廠商布局極為完善，幾乎覆蓋半導體生產製造過程中每個環節所需的所有主要設備。拉晶、光刻、沉積、刻蝕、清洗、檢測、封裝等各個環節均有多家國內廠商布局覆蓋。
3.1.2 韓國模式：從韓國模式看半導體發展路徑
韓國半導體產業通過數十年發展，在全球佔據一席之地，孕育了三星、SK 海力士等全球性半導體巨頭，我們梳理分析了韓國模式的幾點啟示，從韓國模式看半導體產業崛起路徑：
60年代，韓國半導體產業發展始於代工業務。1966年美國仙童半導體（Fairchild）以及其嚴苛的條件向韓國政府提出了一個框架性的半導體製造及裝配計劃，即在要求對其所投資的工廠擁有完全所有權、並且其生產的產品可進入韓國國內市場兩大條件下在韓國建廠。韓國政府同意後一時間引起其他美國半導體公司競相投資韓國熱潮，摩託羅拉、Signetics(Phillips)等公司開始陸續在韓國建設存儲晶片封裝、模組廠，開啟了韓國半導體產業的發展。
70年代，韓國政府大力推進以集成電路為主體的「官產學研合作」的政策。首先政府直接投資建立相應集成電路研發機構，如1975年成立韓國高級科學技術研究所（KAIST）、1976年成立韓國產業經濟技術研究所（KIET），主要負責引進、吸收和傳播國外技術，進行VLSI的研究，同時還負責半導體產業國家級科研項目的開發，KIET還於1981年成功研製出4英寸CMOS半導體。隨著韓國第三次經濟發展五年計劃的出臺，韓國政府也制定了引進和培養人才的政策，這些人才對半導體產業界和學術界都做出了很多重大的貢獻。
80年代，從依存於外國技術，轉向自主研發。1986年，三星電子在政府的支持下，與現代電子、LG電子合作成立了開發半導體技術的國家研究開發小組。在外國半導體企業拒絕向三星電子轉讓技術的情況下，三星電子將其資源更多地投向國家開發研究小組和自主技術的開發。三星儘管未能實施購買擁有4M DRAM技術的國外企業或研究機構的方案，但採用了聘請掌握4M DRAM核心技術的外國專家的做法。當時，正值美國半導體產業不景氣，三星因而比較容易聘請到年輕的技術專家。這一戰略對獲取4M DRAM開發所需的外國技術並自主成功開發4M DRAM發揮了很大的作用。1988年，三星在韓國國內首先研製出4M DRAM，這比美、日只慢了6個月。這一階段，以三星為首的韓國半導體企業，逐漸從以前的依存於外國技術的半導體開發戰略，轉向並行開發自身技術的新戰略。
90年代，產業鏈垂直一體化，加強上遊設備和電子化學品原材料的國產化。上世紀90年代，韓國政府主導推出總預算2000億韓元（2.5億美元）的半導體設備國產化項目，鼓勵韓國企業投資設備和電子化學品原料供應鏈。韓國工貿部在漢城南部80公裡的松炭和天安，設立兩個工業園區，專門供給半導體設備廠商設廠。為了獲取先進技術，韓國人以優厚條件招攬美國化工巨頭杜邦、矽片原料巨頭MEMC、日本DNS（大日本網屏）等廠商，在韓國設立合資公司。由此，韓國人半導體產業鏈上遊關鍵設備和電子化學品原材料初具規模。
藉助中美市場構築廣闊的戰略縱深。藉助1985、1991年《美日半導體協議》的籤署，韓國企業打開美日市場。隨後隨著需求向中國大陸轉移，韓國企業又繼續挺進中國大陸，億海力士為例，2008年全球金融危機爆發後，南亞科、華亞科連續虧損五年，全球DRAM產業累計虧損超過125億美元，反觀韓國海力士，依託中國大陸市場的戰略縱深，憑藉無錫海力士的投產，海力士僅僅一年時間就扭虧為盈。
韓國半導體工業發展的歷程值得參考，起步發展於第一次全球半導體矽含量提升周期，在美國扶持下，在官產學模式的助力下，韓國產業快速分享了PC電腦快速普及的時代。充分分享第二次、第三次全球半導體矽含量提升周期所帶來的筆記本、手機、家電、智慧型手機等快速普及的市場紅利。在行業相對疲軟時，又依靠大國的市場縱深維持生存。
對照我國現狀，市場縱深：我國半導體1300億美元市場，增速全球第一；自主研發：外部環境弱於韓國，始終堅持自主研發道路；產業鏈一體化：材料、設備、設計、製造、封裝、測試全面布局；官產學研聯盟：政策、資金、技術全方位、立體式支持，大基金撬動槓桿。
3.1.3 政策凝聚產業鏈，大基金撬動槓桿
我們統計了2000年以來國家出臺相關集成電路產業扶持政策，包括減免徵關稅/企業所得稅、專項貸款優惠利率、用地用房保障、優質企業落戶獎勵等在內的財稅、投融資、進出口、研發、人才、平臺和聯動發展全套支持。直接受惠企業/項目主體覆蓋製造、封測、存儲、設備、材料全產業領域。
2014年9月24號，國家大基金成立是具有標誌性意義的，我們統計了大基金成立的前三年，中央和各省市合計預期投入的金額規模超過4650億人民幣，而2016年中國國內半導體集成電路產值也才4300億。從投資戰略來看，大基金旨在探索以市場化的方式支持出戰略性強、重資產和具有長遠發展前景的領域。第一階段以重資產為先，投資以先進工藝製造、特色工藝製造、化合物半導體製造為代表的一般裝備和一般材料。下一步就是就是要投資空間大、能實現產業規模增長的、具有戰略意義的、以存儲器為代表的通用型產品。
截止於2018年，國家集成電路大基金第一期1400億初顯成效，公開投資公司為23家，未公開投資公司為29家，累計有效投資項目約為70個，投資範圍涵蓋全產業鏈，包括兆易創新、景嘉微、匯頂科技等集成電路設計標的10家；中芯國際、士蘭微、三安光電等製造企業8家；長電科技、華天科技、通富微電等封測企業5家；長川科技、北方華創等設備材料企業9家；以及10項產業基金。
從所投領域來看，截止2018年9月，製造、設計、封測、裝備、材料類佔比分別為65%、17%、10%、4%和4%。按支持主體劃分，長江存儲、中芯國際、華力微電子、三安光電、紫光展銳分別佔比18%、16%、11%、9%和4%。
大基金的主要影響為：
提高國內集成電路產業關注度，加速產業企業研發進程。半導體企業將有效結合資本手段實現設計、製造、封裝、測試、核心裝備各關鍵環節自主創新，推動核心技術競爭力和產業鏈垂直整合，突圍各國政府對中資企業的技術封鎖。
政府基金撬動社會資本，擴大財政資金的槓桿效。行業融資困難初步緩解。截止2018年5月，國家集成電路產業投資基金一期已經投資完畢，總投資額為1387億元，第二期2000億有望推出，引領社會投資上萬億。各地方政府設立基金意願更強烈，據不完全統計，各地已成立子基金合計總規模已經超過3000億元。
內資企業早期借力大基金完成國際併購，進入全球半導體第一梯隊。通過跨境併購、定增、協議轉讓、增資、合資公司等多元投資方式，優化企業股權組織架構，提高企業經營效率和盈利能力。以大基金成立四年以來的兩樁典型併購為例，2014年12月長電科技7.8億美元收購全球第四大封測廠新加坡星科金朋，長電借力大基金三億美元採用「上市公司+PE」 模式和三級股權架構完成蛇吞象式跨境併購，躋身全球半導體封測第一梯隊。2018年11月，國內第一手機ODM聞泰科技增資收購主體公司合肥中聞金泰，聯合雲南城投、格力電器、國聯集團等公司以269億鯨吞全球分立、邏輯、MOSFET器件頂尖設計公司安世半導體，加速海外優質產品、市場和客戶資源整合，開啟國有化替代和產業鏈垂直整合。
3.2 存儲：大國市場縱深孕育關鍵產品突破
3.2.1 寡頭格局下的默契聯盟
寡頭格局下，理性競爭關係有望長期維持。以本次存儲景氣度主要抓手DRAM為例，三星、海力士、美光三巨頭享有DRAM市場95%以上的份額，綜合考慮份額、製程、成本、護城河、市場成長性、下遊穩定性、擴產能力、公司口徑等八項因素，我們認為目前的寡頭格局仍然牢固，供給端大概率將延續目前理性的競爭格局，盲目擴產可能性較小，供需關係有望長期維持健康結構。
DRAM市場目前整體仍呈現「三星、海力士、美光佔據90%以上份額，臺灣省廠商走利基路線」的局面。18Q2三星、海力士、美光市場份額為43.6%、29.9%、21.6%。供需方面，DRAM產業鏈供需優秀，Q2淡季同步補庫存，如純DRAM廠商南亞科，庫存回補同步於營收增長。
產能方面，我們結合各家定期報告與Gartner等研究機構統計數據，預計2018全球平均DRAM產能為1250k WPM，同比成長7%。其中三星產能460k WPM，增幅來自於產品組合優化和平澤一廠二層；海力士在17年底M10/14廠和西安廠共計325k WPM的基礎上，產能再增10%，到達350k WPM；而美光由於製程稍落後，擴產動力不足，月產能345k WPM，增幅4%。
DRAM位元增速趨緩，預計18全年位元增速~20%。18Q2值製程遷移攻關，各存儲龍頭廠商進度不同程度放緩，新廠在建。美光預計，年均位元增速將達12年來低點。但考慮Q3下遊智慧型手機新功能發布、雲伺服器DRAM需求，預計18全年 DRAM位元增速~20%。
CapEx方面，美光統計十年來年位元增長率。單位位元增長率所需CapEx持續走高，CapEx和位元產出差距擴大。18Q2，美光、三星等CapEx策略偏向製程遷移和新品研發，海力士、南亞科等偏向新建廠間和產能擴張。三星2017全年DRAM資本支出達78億美元，主要用於DRAM 製程轉移，以及填補製程轉移損失的容量消耗，金額和年成長幅度創新高。
DRAM廠商擴產步伐放緩，意在保持盈利能力。三星此前計劃在華城部分產能用於DRAM，並且在平澤二樓新增1ynm DRAM產能，但是擴產計劃始終未落實。海力士M14的產能計劃主要用於NAND生產，新增的DRAM主要由無錫工廠提供，而無錫工廠預計要2019年才能提供營收貢獻。美光一直沒有晶圓擴產計劃，而是專注於技術進步帶來位元增長和成本降低。同時，南亞科也在法人說明會是表示投片將「依據DRAM應用需求增加，持續觀察產能增加情況」，再次表明業內廠商對盈利能力的關注。
製程方面，三星目前仍處於絕對領先地位，主力製程18nm良率已經超過85%，估計三星內部佔比將接近五成，正往七成的比重邁進。而在17年12月份，三星更是宣布正式量產第二代10nm級別1Y nm 8Gb DDR4晶片，性能提高10%同時功耗降低15%，Die Size下降約30%。
SK海力士目前以21nm製程為主，估計佔比約七成，其餘為25nm製程。17年受限於工廠空間，21nm製程已無再提升比重的計劃。17年底海力士18nm製程將進入量產階段，也預計2018年將會用18nm製程擴大產出量與佔比。M10廠由於工廠較舊，轉進18nm製程將產生較大的晶圓損失，我們認為目前主要關注無錫二期的進展和具體產品、製程規劃。
美光目前主力製程仍然是20nm與25nm，17年致力於17nm製程的轉進，但從晶圓的產出顆粒來看，其17nm製程僅等同於三星 20nm製程，故技術來看算是目前三巨頭中較為落後。在產能上基本上也都已滿載，唯一還有剩餘空間可以利用的只有臺灣美光（原瑞晶）的 A2 廠區，此場區雖然因為17nm製程的轉進，已經有部份機臺進駐，但評估仍有部分空間可供利用，此外美光目前尚無興建新工廠計劃。從大廠的擴廠投資看來屬於相對保守，產能擴張甚至技術轉進都將趨緩。
3.2.2 趨勢研判：目前僅是上行周期的間斷性放緩
我們一再強調，DRAM基本面已徹底改善，類似2010至2012年的下行周期重演可能性不大，如今面臨的大概率是向上周期中的階段性放緩。
我們認為行業供需關係將長期維持健康結構：
由於存儲產品固定成品較高，且具有一定商品屬性，不可避免的存在一定周期性，但即使以周期性視角來看，也可以觀察到存儲產業基本面的顯著改善：
周期波動中，大廠經營穩定性更強。我們統計了三星、海力士、美光、南亞科四大廠商DRAM業務的經營情況，其中，南亞科在資金規模、技術優勢均不如大廠的情況下，對09年的短暫高景氣存在誤判，在2010-2012年行業下行周期中受影響較大。三巨頭在資金、市場優勢下，整體經營波動較為緩和。
3.2.3 國產需求廣闊，合肥長鑫睿力進展順利
存儲類產品方面，2016中國大陸地區存儲晶片市場規模約413億美元，佔據全份額球54.1%。2017年，存儲類產品佔國內半導體產業30.2%，增幅46.9%，為各分類中佔比最高、增速最快。長期以來，我國晶片需求90%依賴於進口，額度相當高。據海關總署數據，2018年1-8月，我國晶片進口額為2026.24億美元，同比上漲28.7%。
兆易創新聯手合肥長鑫，第二次試水DRAM。從全球三次DRAM競爭格局變遷來看，新玩家崛起過程都會充滿外界的阻擾，而從中國的DRAM發展歷程來看，外界幾乎不會對中國有太多的援助，要想實現發展，只能建立完整的、具有獨立自主核心技術體系。兆易創新聯合合肥長鑫，強攻 DRAM產業。2017年，兆易創新公告，與合肥產業投資約定雙方在合作開展工藝製程19nm存儲器的12寸晶圓存儲器（含DRAM等）研發項目，項目預算約為180億元。根據最新公告，合肥長鑫預計年底之前取得10%良率，達到量產條件，2019年底2020年初，實現36萬片產能；
合肥506項目介紹：包含合肥長鑫、長鑫存儲、睿力集成三個主體。項目預算約為180億元人民幣，公司與合肥產投依據1:4負責籌集資金，正式進軍DRAM項目，目標是在2018年12月31日前研發成功，即實現產品良率（測試電性良好的晶片佔整個晶圓的比例）不低於10%。根據市環保局公示，項目一期為12寸19nm DRAM晶片生產線，建設地點位於合肥空港經濟示範區，建設目標為一條12.5萬片/月（150萬片/年）的DRAM產線，總投資500多億，一期12寸廠用地850畝（三期總共1582畝）。
根據電子產業信息網等報導，7月16號，長鑫存儲存儲器項目首次投片總結大會在合肥召開，這是中國半導體產業一個重要的裡程碑，在歷來半導體主戰場的存儲晶片領域，合肥長鑫作為大陸第一家存儲大廠宣布正式投片！其中結構片流片順利結束從產業經驗來看意味著設備聯調順利、前期結構設計合理，但並不進行電學性能測試。近期電性能晶圓投片正式開始，流片次數上市場普遍存在誤判，實際呈流水線式連續流片，年底前大概率實現10%的19nm DDR4 DRAM研發良率突破、19年起開始產能爬坡！
國開總行領導亦於近日調研DRAM項目，從項目領導層到國家支持有望持續迎來增強推動。根據合肥產投官網，國開總行領導於7月13日調研DRAM項目，對階段性成績充分肯定；7月23日省委書記李錦斌赴506項目調研，對合肥項目的速度和質量給予了充分肯定。我們認為隨著項目順利推進，從項目領導層到國家層面支持力度有望迎來持續增強！
3.2.4 長江存儲首批32層3D NAND已部分量產，64層有望突破
2016年紫光集團聯合集成電路基金、湖北省科投等在武漢註冊成立長江存儲，目前為清華紫光集團的子公司，長江存儲整合已成立10年的武漢新芯。16年3月武漢新芯宣布投資240億美元研究生產NANDFLASH和DRAM。
國家存儲器基地項目介紹：主要產品為3DNAND，預計5年投入1600億元（約240億美元），到2020年月產能30萬片，年產值將超過100億美元。2030年月產100萬片。項目預計4Q18實現32層64GNANDFLASH小規模量產，初期月產能5000片。存儲器基地包括3座全球單座潔淨面積最大的3DNANDFlash廠房、1座總部研發大樓，第一階段廠房於2017年9月完成興建，核心廠區佔地面積約1717畝。
2017年2月，長江存儲研發團隊中科院微電子所發布，國產32層3D NAND FLASH晶片取得突破性進展；11月長江存儲將32層3D NAND晶片導入SSD內，進行終端產品測試成功，這意味著中國第一顆3D NAND快閃記憶體晶片研製成功，填補國內空白。18年4月首批400萬美元的精密儀器抵達武漢，未來兩年內將從全球進口近3萬噸精密儀器。預計設備搬入、調試耗時3個月，然後開始小規模試產。預計3Q18開始移入機臺，4季度進行試產，初期投片不超過1萬片。
至此，國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產準備階段，中國首批擁有完全自主智慧財產權的32層 3D NAND快閃記憶體晶片將於年內量產。公司設備已經點亮投產，2019年底64層3D NAND產能爬坡量產，單顆容量128Gb(16GB)。長江存儲32層3D NAND研發成功、64層產品研發進展迅速，是是「中國芯」的一大步，我國在高端晶片領域與國外差距不斷縮小。
3.3 設計：國內IC設計廠商輕裝追趕
垂直分工模式下，Fabless廠商負擔輕，彈性大，疊加國內需求廣闊，且中芯國際、華虹半導體等國內代工廠的不斷成長，中國IC設計產業保持高速增長：
3.3.1 垂直分工大勢所趨，中國Fabless產業高速成長
Fabless盈利彈性更大，孕育高通、英偉達等眾多大廠。全球半導體分為IDM(Integrated Device Manufacture，集成電路製造)模式和垂直分工模式兩種商業模式，老牌大廠由於歷史原因，多為IDM模式。隨著集成電路技術演進，摩爾定律逼近極限，各環節技術、資金壁壘日漸提高，傳統IDM模式弊端凸顯，新銳廠商多選擇Fabless（無晶圓廠）模式，輕裝追趕。同時英飛凌、TI、AMD等老牌大廠也逐漸將全部或部分製造、封測環節外包，轉向Fab-Lite（輕晶圓廠）甚至Fabless模式。
中國IC設計產業保持高速增長，2018年增速超30%。雖然目前自給化率仍然偏低，但隨著半導體產業轉移，下遊需求指數級成長，疊加國家大力支持，我國設計產業在近年來也得到了迅猛的發展。設計產業銷售規模從1999年的3億元增長到2018年的2576億元，複合增速達到42%，穩居世界前沿，隨著5G到來，下遊需求將持續推動大陸IC設計業發展。
IC設計企業質、量齊升。IC設計業的企業在2018年為1698家，相比2017年的1380家，增長了23%，銷售過億設計企業2018年為208家，相較2017年增長9%。業內總體企業數量和規模企業數量同時增長，反映出大陸IC設計市場規模增長要快於供給增長，IC設計天花板尚早。我們判斷，在接下來幾年，IC設計市場將繼續保持一個良好的發展態勢。
近些年國內電子行業的迅猛發展從很大程度上得益於下遊消費電子和通信業海量的需求推動，IC設計產業的增長也是深度受益於此。從下遊分類來看，國內IC設計業市場主要集中於通信和消費領域。5G的深度影響行業也是通信和消費類，我們判斷對應的IC設計企業在接下來將會有一個良好的發展機會。
中國IC專利數量快速增長，設計領域居首。美國集成電路相關專利數量增長自2002年達到頂峰，網際網路泡沫破裂之後逐漸下滑，而中國相關專利自2000年以來長期保持快速增長，2017年有加速增長的趨勢（17年申請數顯示較少，主要由於部分專利還未公開）。從專利結構來看，設計相關專利數量在我國集成電路專利總量中排名第一，而設計領域中，模擬電路專利數量位居首位，之後依次是處理器、邏輯電路、存儲器。
Fabless模式專注於設計，設計企業快速追趕IDM。Fabless廠商由於無自建晶圓廠，固定資產規模較輕，折舊壓力較小，相對風險較小；同時由於專注於IC設計，對市場需求響應速率相對較快。從銷售規模來看，2000年，設計公司收入不足IDM公司收入的十分之一，2017年，設計公司收入已超過IDM收入的三分之一；從收入增速來看，過去17年的大部分時間，設計公司收入增速均高於IDM公司，僅在2009-2010、2017年出現例外，主要是由於當時存儲器處於景氣周期，對IDM企業收入拉動較大。綜合考量下遊驅動力契合度、技術進展情況、上下遊供需關係，推薦韋爾股份（收購OV）、景嘉微，建議關注：聖邦股份、全志科技、海思（未上市）。
從區位分布來開，除開北上廣深等城市外，無錫、成都、合肥等城市的設計企業也都超過了100家，武漢、長沙、天津等城市設計企業數量未滿100家，但也有較大增長。設計企業區位布局由點及面，開始從北上廣深向全國滲透，各省份都開始布局IC設計，設計版塊將在全國掀起一股增長浪潮。
3.3.2 多領域已實現部分突破
接下來我們將逐一對國內CPU、GPU、模擬晶片等核心產品情況進行分析。
國產CPU目前已進入起步階段。國產晶片產業起步於生產代工，從代工到授權，得益於國家經濟實力的進步，從授權到自主研發，得益於國家對於晶片研究的大力投入。目前龍芯、申威、兆芯、海光、飛騰、宏芯、海思在CPU領域都已實現起步，尤其海思已實現手機處理器大規模商業化，雖然目前國產CPU整體市場份額較小，但從無到有是一個質的飛躍，標誌著國內的研發能力已經初具雛形，從雛形到規模化市場應用所需的只是時間發酵，在這段過程中蘊藏著海量的市場規模。
GPU已滿足辦公與顯示需求。參考全球GPU巨頭英偉達的產品路線圖可以發現，其面向消費者的圖形處理晶片GeForce系列，性能提升主要表現在架構的改進，內核頻率和顯存大小的提升，總線接口的迭代，以及保證高性能的同時減小功耗方面。對比景嘉微JM7200來看，其使用28nm製程、內核頻率1000MHz和顯存性能已經達英偉達克卜勒架構消費級GPU的主流性能指標，能夠滿足辦公用和基本的遊戲用的顯示要求。
中國是全球最大的模擬電路消費市場，國產空間廣闊。賽迪顧問數據顯示，中國模擬電路市場前五大廠商分別為德州儀器、恩智浦、英飛凌、思佳訊、意法半導體，中國模擬市場規模佔全球比重約為60%，使用的模擬集成電路產品約佔世界產量的 45%，而我國的模擬晶片產量僅佔世界份額的 10%左右。巨大的產業缺口為本土集成電路公司提供了良好發展機遇。本土集成電路公司有機會在第一現場了解市場，可有針對性地進行產品研發，產業鏈之間合作更加密切，相對國外廠商能夠更快速、更準確地響應本土終端客戶的需求，未來進步空間廣闊。
模擬IC份額相對分散，細分賽道仍存國產突破機會。與其他半導體板塊不同，模擬品類繁多，僅德州儀器一家企業，目前在售產品就達上萬款，下遊應用的多元化導致細分賽道極多。相較於存儲器、CPU等數字IC產業，模擬IC市場集中度較低，前三市佔率僅為30%左右，且不同領域企業優勢差異較大，如龍頭德州儀器在放大器市場份額第一，但在轉換器市場不如模擬器件公司，而在功率相關晶片市場，歐洲企業英飛凌優勢較大。整體來看，不存在單一企業在所有模擬IC細分市場佔優的情況，細分賽道仍存在大量國產突破機會。
3.3.3 從海思看國產IC設計廠商成長路徑
海思已成為國內最大IC設計廠，我們從華為手機說起，詳細分析海思一路以來的成長路徑。
從功能手機到智慧型手機，華為在世界舞臺逐漸崛起，2018年第二季度，華為首次超過蘋果，成為全球第二大智慧型手機廠商。智慧型手機發展到今天，已經有十餘年的歷史，在這期間智慧型手機的市場格局發生了翻天覆地的變化。近幾年來國產手機行業迅速發展，以華為為代表的國產手機品牌不僅僅在國內佔據了相當大的市場份額，在國外也能與其他世界一線手機品牌競爭一較高下，中國手機行業在世界舞臺上迅速崛起。
初入市場，狼狽開局。2003年7月，華為手機公司成立。當時正值小靈通市場快速發展之時，中興與UT斯達康等眾多廠商不斷推出小靈通產品服務，並通過捆綁運營商渠道迅速佔領市場。到2004年，小靈通業務迎來收穫期。這一年中興的年銷量超過1100萬部，UT斯達康的小靈通手機業務更是佔其總利潤的100%。
尋找技術基因。隨著3G網絡基礎設施建設不斷成熟，全球各國開始經營3G網絡，中國也在2008年12月12日向國內三大運營商發放3G牌照。此時，華為終端的意義體現出來。由於小靈通時代，華為手機就以高性價比被用戶廣泛認知。用全新的3G手機置換傳統的小靈通產品，一時間成為華為的主要工作。不久後，廉價的華為3G手機出現在市場上，至此，價格戰成為華為手機市場競爭的主旋律。
華為認識缺乏核心競爭力是華為手機業務的隱含危機。於是華為放棄沿用多年的空殼發展策略，並將自己的核心技術融入到產品中，向價格戰的反方向走一條高端發展的路線。於是華為終端向供應鏈上遊尋找突破口，最終將目標鎖定為處理器。早在1991年，華為就成立了ASIC（混合信號集成電路）設計中心，解決公司面對的與半導體有關的技術難題。2004年該部門正式註冊成立，也就是後來的海思半導體。
2008年，海思開發出首款處理器K3V1，並將該方案的成熟版方案K3V2安裝在Ascend D1上。從此，華為手機開始強調產品的技術含量。但海思畢竟剛剛起步，其技術能力仍然停留在40nm工藝製程階段，而當時，整個行業已經過渡到28nm時代。技術落後，導致Ascend D1發熱嚴重，續航時間也受到影響，嚴重影響了華為手機的用戶口碑。隨著海思處理器的出現，華為手機的定位開始清晰：一家具備手機底層技術的廠商。伴隨技術的升級，華為給手機品牌的增值預留了一個理想窗口。
轉向高端化路線，導入自研晶片。2013年開始華為選擇了與市場完全不同的策略：擁抱高端市場，用P和Mate兩大系列產品，對抗蘋果和三星的高端旗艦手機。為此，華為放棄了低端市場約3000萬部手機的出貨量，損失9億美元的收入。2013年華為將40nm工藝升級到了28nm，將海思的K3系列產品更名為麒麟系列並安裝到產品中。至2014年，華為推出的高端機型P7與Mate7分別採用了28nm工藝的麒麟910和麒麟925平臺。用戶用實際行動肯定了華為在技術上的努力，面對這兩款定價高昂（發布價分別為2888元和2999元）的產品，用戶還是欣然接受。數據統計，P7在10個月內的銷量就達到600萬部，Mate7的累計銷量突破670萬部。
堅持使用自主研發晶片，布局人工智慧。目前所有華為手機上均搭載了國產麒麟系列的晶片，成功擺脫了對於美國晶片的依賴，實現了在核心技術上的自主權。也正是很大程度上因為華為自主研發的麒麟晶片，華為在近兩年一躍成為國內手機品牌領跑者。
通過海思晶片與華為手機的綁定戰略，不難看到，IC廠商要發展，必須有核心產品打開市場空間，不僅是通過下遊的成長，在收入上取得更充裕的研發資金，更是通過充分的下遊應用，發現實際應用中的問題與不足，向上遊晶片研發形成正向反饋，達到「研發-應用-收入/反饋-投入再研發」的良性循環。
3.4 設備：中國將成全球最大半導體設備市場
中國將成為全球最大半導體設備市場，同時刻蝕、沉積、清洗、檢測設備均實現國產突破。相較於全球半導體市場的逐季下滑，中國大陸半導體設備市場呈現出蓬勃發展的態勢，前三季度銷售額逐季提升，銷售規模分別達26、38、40億美元，對應同比增速為31%、51%、106%。SEMI數據顯示，2019年我國半導體設備市場增速有望維持在50%左右，對應全年銷售額有望超170億美元。
3.4.1 半導體產業東遷帶動中國設備市場高速成長
全球半導體設備市場增速放緩。日本半導體製造裝置協會數據顯示，2017年全球半導體設備銷售額達566億美元，同比增長37%。但2018年以來，全球半導體設備市場銷售額逐季下滑，前三季度銷售額合計為495億美元，智研諮詢預計全年銷售額為601億美元，對應同比增速僅為6%。
大陸晶圓廠建廠潮帶動設備需求持續增長。根據前瞻產業研究院，目前我國晶圓廠在建產能涉及12家公司、15個項目，投資額合計4399.9億元，在建產能超過81萬/月。預計2018年將貢獻約50萬片/月產能。同時，根據SEMI預測，2017至2020年，中國大陸將建成投產26座晶圓廠，佔全球綜述的42%。大量晶圓廠的擴建、投產，將帶動對上遊半導體設備的需求提升，更有望為國產化設備打開發展空間。
3.4.2 全面完整布局，多項設備均實現國產突破
我們將從半導體生產製造流程逐一介紹設備需求，並對國產化情況進行分析。從生產流程看，晶片生產大致可分為矽片製造、晶片製造、封裝測試三部分，其中矽片製造與晶片製造兩個環節技術壁壘較高。
半導體設備市場集中度較高，且多為海外龍頭佔據主要份額。目前，我國半導體設備市場仍非常依賴進口，從市場格局來看，細分市場均有較高集中度，主要參與廠商一般不超過5家，top3份額往往高於90%，部分設備甚至出現一家獨大的情況。
國內廠商在全部環節所需設備領域均有所布局。雖然目前國內半導體設備仍較為依賴進口，但從產業布局角度來看，國內廠商布局極為完善，幾乎覆蓋半導體生產製造過程中每個環節所需的所有主要設備。拉晶、光刻、沉積、刻蝕、清洗、檢測、封裝等各個環節均有多家國內廠商布局覆蓋。
刻蝕設備：中微半導體、北方華創均已實現國產突破。2017年全球刻蝕設備市場規模為42億美元，2022年市場空間有望達50億美元，年均複合增長率為3.77%。目前拉姆研究與東京電子佔據了刻蝕設備市場的主要份額，二者市佔率分別達43%、34%。國產化方面，北方華創、中微半導體已經開發了65nm以下的刻蝕設備，部分技術已經接近甚至優於國際水平，有望充分受益於製程演進帶動的刻蝕設備需求提升。
沉積設備：關注北方華創薄膜沉積、中微半導體MOCVD。2017年，全球薄膜製備市場為125億美元，其中沉積設備市場為80億美元，預計2025年薄膜製備市場空間為360億美元，年均複合增長率為14%。市場格局來看，AMAT佔據了主導地位，其CVD設備市佔率近60%，PVD設備市佔率達76%。國產化方面，北方華創PVD、LPCVD、APCVD、PECVD設備均已實現突破，中微半導體MOCVD已供應多家LED廠商，包括三安光電、兆馳股份、乾照光電、聚燦光電、德豪潤達、士蘭明芯等。
清洗設備：關注北方華創、至純科技。2016年全球清洗設備市場規模達40億美元，其中單片清洗設備銷售額約為18億美元，日本網盤佔據50%以上份額。為保證晶片製備過程中不受雜誌幹擾，每個環節完成後均需要進行清洗才可進行下一步，估算清洗工藝佔晶片製造步驟的三分之一，且隨著製程不斷縮小，清洗的重要性愈發重要，建議關注國產清洗設備龍頭北方華創、至純科技。
檢測設備：關注長川科技、精測電子。2017年半導體檢測設備市場規模達44億美元，其中KLA市佔率達55%，全球市場空間2022年有望達到80億美元，年均複合增長率為12%。國產化方面，長川科技測試機已獲長電、華天、日月光在內的多家龍頭企業使用和認可；精測電子由平板顯示檢測龍頭換擋半導體打開新市場空間。
四、投資建議及重點標的推薦
4.1 板塊估值已經歷顯著消化，業績增速體現基本面改善
估值處於相對低位，已經歷顯著消化。從PE來看，以整體法剔除負值計算，目前申萬半導體板塊PE值僅為36.99倍，與17年初接近90倍相比，18年初70倍相比，已處於相對低位。PB方面，以整體法剔除負值計算，目前僅為3.1倍，遠低於18年初的6倍。綜合來看，目前申萬半導體板塊整體估值處於相對低位，PE、PB均已經歷顯著消化。
營收增速放緩，業績增速反升，體現產品結構改善，基本面向好。申萬半導體板塊前三季度營收增速分別為17%、10%、8%，與2017年同期相比均有下滑；板塊歸母淨利潤前三季度增速30%，較2017年20%的增速有所提升，體現了板塊公司產品結構有所改善，盈利能力增強，基本面向好。
4.2 投資組合推薦
推薦重點配置半導體各細分領域龍頭企業。存儲：兆易創新；模擬：韋爾股份、聖邦股份、富滿電子；數字：GPU：景嘉微；AP：全志科技；功率器件：聞泰科技、揚傑科技、士蘭微；化合物半導體：三安光電；設備：北方華創、精測電子、至純科技、長川科技；材料：興森科技、晶瑞股份、中環股份、江豐電子；封測：通富微電、晶方科技、長電科技、華天科技。
4.2.1 兆易創新：存儲「芯」希望
兆易創新科技股份有限公司成立於2005年4月，於2016年8月在A股上市。公司主要產品為NOR Flash、NAND Flash及MCU，廣泛應用於手持移動終端、消費類電子產品、個人電腦及周邊、網絡、電信設備、醫療設備、辦公設備、汽車電子及工業控制設備等各個領域。
主業「存儲+IoT」業務逆勢向上，產品結構+新產品放量突破。兆易作為典型高科技成長性公司，成長路線由16年NOR到17年NAND到18年DRAM，市場空間將按照十倍打開。公司主業圍繞「存儲+IoT」逐步完善「存儲-處理-傳感-傳輸」布局，2005年來從SRAM→NOR→MCU→NAND，新品持續迭代推出。而這也正是我們一直以來強調優質科技公司高科技紅利轉化效率、成長性突出的本質。強執行力下產品結構優化、工藝迭代帶來的成本下降是公司核心競爭力所在，四季度公司高階NOR Flash佔比繼續提升、SLC NAND進一步放量，有望繼續實現穩健成長。
打造「MCU-存儲-交互」一體化解決方案。兆易創新數字晶片設計主要集中在MCU業務，2013年公司切入MCU市場，經過4年快速發展17年推出基於ARM Cortex-M4內核的高性能MCU新品。公司GD32系列MCU產品面向工業和消費類嵌入式應用，適用於工業自動化、人機界面、電機控制、安防監控、智能家居家電及物聯網等領域，收購思立微後雙方除在客戶渠道和晶圓代工有望互相協同外，更有助於兆易補強數字晶片設計能力，在人機互動解決方案布局，打造「MCU-存儲-交互」一體化解決方案，將廣泛應用於智能終端以外的工控、汽車、物聯網領域。兆易創新於2018年1月發布公告稱擬用現金以及發行股份的方式以17億收購上海思立微電子100%的股權，切入AI人機互動。
1、NOR Flash：
NOR flash目前每月出貨量超1.5億顆，全國市佔率第一，全球第三的位置。目前工藝平臺仍以65nm為主，55nm正在持續研發中，產品結構來看32M以上佔比持續提升，未來核心看點在於高階產品佔比的不斷提升、工藝迭代性能成本競爭力提升。兆易創新上半年受消費級晶片的衝擊，產品結構於下半年逐步改善，近期產業觀察中芯國際、華力微等投片量開始提升，華為、國際大客戶等重要客戶下半年有望放量改善客戶機構。128Mb以上產品佔比顯著提升，同時512Mb大容量產品量產，寬電壓、低功耗產品型號豐富，工藝平臺由65nm向55nm演進，低階產品進一步cost-down。
2、SLC NAND：
SLC NAND有望在今明兩年迅速增長成為主業營收一極（體量向NOR接近）。目前公司38nm製程產品穩定量產、中芯國際除上海外北京廠投片放量近期正式開始出貨。我們認為隨著GPON等設備採購招標重啟、國際貿易形式的緩解、中長期5G資本投入浪潮來臨，通訊級有望持續拉動SLC NAND、信號處理晶片以及通信晶片等元器件產業鏈向上。研發儲備來看24nm已做好產品設計，包括從2G、4G到32G，期望年底有產品試產。
3、MCU：
MCU產品擴展產品組合，針對高性能、低成本和物聯網應用分別開發新產品，繼續迎來確定性高成長。目前公司月度MCU出貨量已達10KK水平，下半年有望繼續向上。根據半年報，目前製程方面採用110nm、55nm工藝平臺為主，40nm平臺已經啟動開發、競爭力有望進一步提升。上半年M4系列量產，在無線充電、指紋識別等熱門應用放量，低功耗M3系列推出，後續還會有低功耗、嵌入式Flash新品推出。
從產業來看目前已經進入華為、小米、阿里等核心供應商領域，迎接隨著物聯網時代到來而快速成長，上半年預期增速達到60%以上，未來將持續保持50%以上複合成長，2017年6月份累計出貨量僅1億顆，而截至2018年6月份，出貨量突破2億顆，從應用、客戶加速突破，而物聯網的應用將進一步催化，此外，以MCU為內核，結合在存儲、傳輸、傳感等優勢，進一步往中高端替代。
4、思立微：
七八月份經營向上拐點，31號過會。對於全年完成業績承諾非常有信心，陸續迎來新品訂單（OPPO R17等）。
2017年10月27日，兆易創新發布關於籤署合作協議的公告，公告稱為進一步推動發展，兆易創新與合肥市產業投資控股有限公司於10月26日籤署了《關於存儲器研發項目之合作協議》，約定雙方在安徽省合肥市經濟技術開發區合作開展工藝製程19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器（含DRAM等）研發項目，項目預算約為180億元人民幣。目標是在2018年12月31日前研發成功，即實現產品良率不低於10%；並約定如果達產5年內（2013年之前），公司（或共同認可的第三方）定向收購合肥產投權益。目前合肥項目進展順利、機臺進廠及調試加班加點進行，有望順利沿時間表推進。
DRAM賽道為什麼更好？技術演進進入瓶頸期，技術摩爾定律演進紅利變慢，合肥長鑫19nm為全球主流產品。如果一旦突破，後面開始對海外的替代，大家應該在過去很多產業led、蘋果產業鏈、面板、通信產業等體會到中國速度。合肥長鑫一期投資500億，總投資1540億，一期產能對應150萬片滿產產能，對應滿產產能以目前價格600億左右。
兆易創新於2018年1月發布公告稱擬用現金以及發行股份的方式以17億收購上海思立微電子100%的股權。思立微為國內市場領先的智能人機互動解決方案供應商，產品以觸控晶片和指紋晶片等新一代智能移動終端傳感器SoC晶片為主。本次收購有助於兆易豐富晶片產品線，拓展客戶和供應商渠道，在整體上形成完整系統解決方案。上海思立微將一定程度上補足兆易在傳感器、信號處理、算法和人機互動方面的研發技術，提升相關技術領域的產品化能力。
據旭日大數據統計，2018年上半年國內市場指紋晶片單月出貨量排名中，匯頂和FPC高居榜單前一二位，思立微自進入品牌手機供應鏈之後，出貨量也迅速拉升，緊追位列第三。
4.2.2 景嘉微：GPU時代開啟，景嘉微大有可為
景嘉微是A股唯一GPU晶片設計公司，2014年成功研發第一代自主智慧財產權圖形處理芯JM5400，已成功運用在多個軍用型號產品上。根據JM5400研發經驗，流片樣品經過性能測試後，再經過產品驗證即宣告晶片研發取得成功。JM7200晶片繼承了JM5400晶片的高可靠、低功耗的優點，性能得到了顯著的提升，不僅可以滿足更高性能的嵌入式系統的要求，還可用於臺式計算機、筆記本計算機等桌面系統的顯示要求。
公司下一代GPU JM7200流片、封裝、測試、適配順利，加速產業化應用！目前公司已與CPU廠商飛騰及作業系統廠商銀河麒麟進行了技術適配，未來公司將加快推進與其他CPU廠商及作業系統廠商的適配，並根據不同應用市場，推出JM7200系列產品，以滿足嵌入式圖形顯控領域及升級換代計算機等不同領域的應用需求。同時公司前期（9月8日公告）已經開展與浪潮集團開啟整機適配，在實現整機的研發及產業化，以及解決國產平臺各關鍵軟硬體兼容性不強問題，實現國產晶片適配兩個領域展開合作。目前均進展順利，有望加快在黨政軍領域桌面級產業化應用、逐步迎來訂單釋放。
定增獲批，抓住產業機遇加速發展。12月4日，公司公告稱定增項目獲批，擬發行股份募集資金總額不超過10.88億元，用於高性能GPU研發，以及MCU、低功耗藍牙、Type-C&PD接口三類通用晶片項目，公司作為國內唯一完全自主研發GPU龍頭，依託多年來GPU研發的深厚技術積累，不斷加大投入，縮小與海外GPU市場的差距，抓緊人工智慧及國產晶片發展機遇，同時通過通用晶片完善民用市場布局，有望實現進一步打開軍用、民用市場空間。
4.2.3 全志科技：下遊布局多元化，語音交互前景樂觀
前景樂觀，語音交互多元化下遊需求驅動公司穩定成長。公司目前的主營業務為系智能應用處理器SoC、高性能模擬器件和無線互聯晶片的研發與設計，下遊應用廣泛。
關注公司車載前後裝產品進展，2018 CES公司發布第一顆通過車規驗證的座艙處理器T7，目標實現數字儀錶盤、車載娛樂、360環視等綜合應用，原有處理器T3前裝已經在多家大品牌旗下車型量產，後裝有望提供套片解決方案，前後裝市場打開新一輪成長空間！
公司多年來深耕應用處理器及電源管理晶片設計，多年耕耘覆蓋智能硬體、專業視像、平板、車載以及無線互聯多條產品線，經過調整有望在主營業務回暖、費用率降低情況下迎來業績釋放，建議重點關注！
4.2.4 韋爾股份：自研+分銷雙管齊下，收購豪威進軍CIS市場
外延併購快速成長，收購豪威進軍CIS市場。豪威是世界第三大CIS廠商。公司成立於1995年，自成立以來，CMOS傳感器累計出貨超過65億顆。主要下遊應用領域為手機、安防、汽車、醫療等新興市場。手機市場地位穩固，客戶包括華為，小米，OPPO，vivo等知名廠商，豪威手機市場份額全球第三，僅次於索尼、三星。另外，豪威在汽車、安防市場也做了充分的布局。受益於韋爾分銷業務的客戶積累，本次收購有利於豪威進一步拓寬國內市場。
CIS市場成長規模巨大，汽車、安防和醫療等應用成為新動力。Yole Development預計16至22年全球CIS市場複合年均增長率將保持在10.50%左右，22年將達到約210億美元。智慧型手機是CIS的主要應用領域，伴隨著雙攝、三攝滲透率的提高，市場將會開啟新的成像變革。中國產業信息網數據顯示，2015至2017年中國雙攝滲透率分別為2%、5%、15%，整體呈快速增長態勢，智研諮詢預計2020年雙攝滲透率將超60%。在汽車領域，受益於自動駕駛的普及，CIS的需求將會進一步增加。在安防領域，豪威獨特的夜鷹Nyxel技術可以增加高達3倍的量子效率，進而實現更清晰的成像。另外，公司在AR、醫療等領域也實現了新的突破。
自研和分銷兩大業務相互協同，促進公司業績穩步增長。韋爾股份是國內少有的同時具備半導體產品設計和分銷能力的公司。公司設計業務可以藉助自身分銷體系的渠道優勢，更全面地獲取市場信息，滿足客戶需求，並且有針對性的佔領相關細分市場。分銷業務可以藉助設計業務的技術優勢，向下遊終端客戶提供更好的解決方案及專業化指導，進一步提高客戶粘性。公司兩大業務相互促進，有著很好的協同作用。
4.2.5 聖邦股份：模擬晶片龍頭，國產替代深度受益
國內模擬晶片龍頭廠商，持續穩定成長。公司是中國第二大模擬集成電路企業，專注於高性能、高品質模擬集成電路晶片設計及銷售，2017年出貨晶片近18億顆，成長較為穩定；研發費用佔比達國際大廠水平，研發轉換形成良性循環，年均推出新品約200款，產品線不斷完善，部分產品性能達到國際領先水平，客戶覆蓋面持續拓展，戰略布局新興市場，有望深度受益於國產替代進程。
公司收購鈺泰股權，邁出外延第一步。鈺泰主要團隊出身國際知名龍頭模擬公司，在電源類晶片積累深厚，目前產品達百餘種，包括升壓開關穩壓器、降壓開關穩壓器、過壓保護器、鋰電池充電器、移動電源SOC、線性穩壓器、LED驅動器及AC/DC控制器等，應用於消費類電子及工業控制等領域。批量供應小米等業界知名客戶。根據本次公告，鈺泰18年1-10月實現營收9696萬元，淨利潤2007萬元，本次收購部分股權對應估值P/S小於4倍（作為參考此前瑞薩收購IDT P/S為8倍）。且鈺泰產品均集中在電源模擬晶片，聖邦則以信號鏈見長、正加速切入電源類，有望協同補強！
聖邦作為國產模擬晶片優質企業，從「信號鏈+電源」持續拓展高性能運放、ADC、DAC市場。公司2017年推出了包括高性能運算放大器、HIFI音頻放大器、模擬開關及接口電路等多款信號鏈產品；2018年又將陸續推出ADC\DAC新品，以低速應用為主，下遊市場主要為工業控制、醫療等領域。產品料號未來三年穩定增長。同時國內大客戶導入加速，優質團隊持續引進補強業務版圖。
4.2.6 富滿電子：深耕模擬電路20年，設計+封測整合優勢凸顯
富滿電子深耕模擬電路晶片近20年。富滿電子主要經營高性能模擬及數模混合集成電路的設計研發、封裝、測試和銷售，主要產品包括電源管理、LED控制及驅動晶片、MOSFET和各類ASIC等晶片，產品廣泛應用於個人、家庭、汽車等終端電子產品中。公司成立於2001年，於2017年7月上市，公司深耕模擬電路近20年。在晶片設計的基礎上，富滿電子2011年通過投建封裝測試廠向產業鏈的下遊延伸。
研發+整合封測環節，有望提升公司盈利能力。公司積極研發，在持續提升LED、電源管理晶片，中低壓MOSFET市場份額的同時，不斷開拓新的產品線，布局快速充電，無線充電等領域，未來有望成為公司增長的新動力。此外公司還向下整合產業鏈，整合封測環節，有效大幅降低封裝成本提升盈利能力。2017年公司募投1.2億美元用於LED及電源管理晶片項目，預計2020年投產新增晶片產能1億顆/月。
對比國內LED驅動晶片龍頭晶豐明源，富滿電子的優勢在於產品結構豐富、設計+封測的產業鏈優勢。富滿在晶片設計基礎上投建了自己的封裝測試生產線，而晶丰采用的是Fabless經營模式，生產環節外包給通富微電、長電科技等封裝廠生產。因此相比於晶豐的輕資產、靈活性高，富滿由於擁有封裝測試生產線，產業鏈廠，毛利率更高。2017年富滿毛利率為36.4%，淨利率為13.3%；晶豐毛利率為22.5%，淨利率為10.9%。富滿盈利能力更強。
4.2.7 聞泰科技+安世半導體：強強聯手，打造5G+IoT+雲的生態鏈
安世半導體：全球功率半導體龍頭供應商。安世集團前身為恩智浦的標準產品事業部，2017年初開始獨立運營。安世半導體專注於分立器件、邏輯器件及MOSFET器件的設計、生產、銷售，其產品廣泛應用於汽車、工業與能源、移動及可穿戴設備、消費及計算機等領域。從細分市場的全球排名看，安世二極體和電晶體排名第一，邏輯器件排名第二（僅次於TI），ESD保護器件排名第二，小信號MOSFET排名第二，汽車功率MOSFETs排名第二（僅次於Infineon）。
供不應求，功率半導體迎來景氣周期。根據Yole統計2017年全球分立器件功率器件市場約為154億美元，其中MOSFET市場規模為63億美元，佔比41%；IGBT市場為10億美元，佔比7%；整流器市場為33億美元，佔比21%；功率器件模組市場為35億美元，佔比23%。預計2023年全球功率分立器件市場約為188億美元，年複合增長率CAGR為3.4%。供給端8寸晶圓設備停產，限制產能釋放。 8寸晶圓廠由於運行時間過長，設備老舊，同時12寸晶圓廠資本支出規模巨大，部分廠商逐漸關閉8寸晶圓廠，設備廠商也停止生產8寸設備。需求端汽車電子帶來機遇。從2001年開始，我國就開始研發電動汽車，並推出一些列國家及地方政府配套政策支持新能源汽車的發展。根據英飛凌的統計，一輛傳統燃料汽車使用動力傳統系統功率半導體器件為17美元，而一輛純電動汽車/混合動力汽車上功率半導體器件價值為265美元，增加了近15倍。
強強聯手，與聞泰打造5G+IoT+雲的生態鏈。聞泰科技是全球領先的智能終端產品研發公司，業務領域涵蓋通訊終端（4G/5G）、物聯網（IoT）、人工智慧（AI）、智能硬體、筆記本電腦、伺服器、半導體等領域的研發設計和智能製造。收購完成後，安世半導體將成為聞泰科技的重要供應商，有利於推動聞泰科技進行產品創新和產品研發，增強對產業鏈上遊的控制力。目前安世半導體的主要客戶在歐美等國，其產品在汽車電子領域的佔比較高，目前正在手機、計算機、通訊等方面在積極開拓中國市場。聞泰科技將憑藉其在手機、IOT、智能設備領域的客戶資源和積累，幫助安世半導體開拓中國市場，將安世半導體的研發和產能落地到中國，增加安世半導體對中國客戶的產品供應能力，並進一步挖掘安世半導體在消費電子領域的市場潛力。
4.2.8 揚傑科技：功率半導體領先者，內生外延順利推進
揚傑科技成立於2006年，其業務繼承於揚傑投資，主要業務是經營如功率二極體、整流橋等電子元器件的研發、製造和銷售。經過十多年的發展，揚傑科技發展成為及晶圓、晶片設計封裝、營銷一體的IDM功率半導體公司，目前擁有3寸、4寸、5寸、6寸晶圓廠，正在規劃建設8寸晶圓廠。2016年，揚傑科技在中國功率半導體企業中排名第二，僅次於老牌企業華微電子。
下遊業務覆蓋面廣。在智能電錶貼片式整流橋，國內市場份額為25%佔比第一。未來隨著下遊國內家電大廠對國產器件的準入，揚傑科技有望進入白電黑電等家電變頻領域，預計在黑電領域能實現突破性的增長。
外延切入6/8寸MOSEFT，實現產品結構升級。2018年一季度，根據公告公司控股了原東光微電子宜興6寸線，是繼公司2015年自建的第二條6寸線，使得公司的更好地切入MOSFET和IGBT產品領域。
4.2.9 士蘭微：A股IDM龍頭廠商
公司成立於1997年，主營業務包括集成電路、半導體分立器件、發光二極體（LED）三大類產品，經過20餘年深耕半導體行業，公司已經從一家純晶片設計公司發展成為目前國內為數不多的IDM公司，陸續承擔了國家科技重大專項「01專項」和「02專項」多個科研專題課題，同時也是國家「910」工程的重要承擔者。
作為國內半導體 IDM 商業模式稀缺標的，在國家對半導體產業大力扶持的戰略背景下，公司將成為國內半導體黃金十年的顯著受益者，在行業高景氣的推動下實現持續快速增長。同時，公司在產品布局上積極備戰物聯網，迎接硬體領域下一波大機會的到來。
公司集成電路業務產品組合完善，下遊應用廣泛，主要產品包括LED驅動電路、IPM智能功率模塊、MCU、數字音視頻電路、MEMS傳感器，各大產品均維持了較快增長。
公司內生外延各項規劃順利推進，持續打造研發製造一體化IDM龍頭。2017年年報顯示，士蘭微將加快杭州士蘭集昕8寸線產品技術平臺的導入，積極拓展產能，積極推進廈門士蘭集科12寸特色工藝半導體晶片製造生產線項目和廈門士蘭明鎵化合物半導體晶片製造生產線項目建設：
4.2.10 三安光電：LED龍頭進軍化合物半導體廣闊市場
多年發展完善產業布局。三安光電主要從事全色系超高亮度LED外延片、晶片、化合物太陽能電池及Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體等的研發、生產與銷售。目前公司已經形成LED外延/晶片、化合物半導體、藍寶石/碳化矽襯底以及車燈/LED封裝完備產業布局，歷經多年發展公司形成8大研發及生產基地。
產業基金持續入股，國開行戰略合作助力公司業務拓展。國家集成電路產業大基金入股三安光電，將有利於為公司提供各種資源保障，通過產業鏈整合、海內外併購，進一步推動公司做大其III-V族化合物半導體業務，加快國際化發展步伐和產業鏈一體化布局。2015年三安集團將其持有的三安光電2.17億股股份（約佔總股本的9.07%）轉讓給國家集成電路產業基金，此後大基金持股持續提升至4.6億股（佔比11.3%）。
就公司微觀主體而言，一方面公司可見光得到迅速發展, LED晶片產能不斷擴大,LED車燈業務進一步推進，mini LED及micro LED新型顯示技術打開長期成長空間；另一方面公司大力推進化合物半導體業務的布局,砷化鎵PA和氮化鎵電力電子集成晶片進入國內外客戶驗證,進一步推進光通訊和濾波器業務布局。公司不斷提升自身技術,優化產品結構,鞏固自有智慧財產權保護,完善配套,嚴格管理,使得公司盈利迅速提升。
我們預計化合物半導體將是國家集成電路產業基金二期落地後重點發展方向，三安光電作為LED晶片國際龍頭，依託LED外延、晶片工藝在III-V族化合物半導體布局深厚，成立時間、規模及品質均為國內領先。333億元議案再度加碼彰顯公司決心，未來將立足於Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料的研發與應用，以砷化鎵、氮化鎵、碳化矽、磷化銦等半導體新材料所涉及到的核心主業做大做強！
4.2.11 北方華創：國產半導體設備平臺型廠商，訂單釋放業績持續高增長
國產設備龍頭，北方華創關鍵領域卡位國內絕對領先。以AMAT、ASML、LAM、TEL為代表的歐美日廠商幾乎佔據壟斷地位。2017年國產半導體設備市佔率僅為16%，自給率嚴重不足。目前僅有上海微電子、北方華創、中微半導體、瀋陽拓荊、盛美、華海清科、睿勵、京儀等在相關領域卡位研發，其中北方華創在CVD、PVD、矽刻蝕、氧化/退火、單片清洗等關鍵領域卡位國內絕對領先，有望率先突破。
國產化半導體設備東風至，北方華創持續收益。北方華創為國內半導體設備龍頭，產品幾乎覆蓋整個前道工藝，未來替代空間巨大。在最近交流下來，北方華創產品在多晶矽刻蝕、PVD、單片退火、立體氧化爐及清洗設備以及達到28nm製程要求，17年累計流片量大幅提升！且部分細分領域14nm目前已經開始驗證。隨著國內中芯國際（天津深圳8寸擴產，北京B2/B3）、長江存儲、合肥長鑫、華虹半導體（12寸無錫）等項目持續落地、擴產，公司在矽刻蝕、PVD、清洗、氧化爐等領域陸續取得訂單或者成為baseline，未來3年有望繼續迎來放量！
受益訂單釋放業績持續高增長，多項指標反應在手訂單充沛。2018年前三季度實現營收21.01億元，同比+35.59%；實現歸母淨利潤1.69億元，同比+110.12%（半年報指引+80%~+130%，略高於中值），符合市場預期。預收帳款、存貨情況等多項指標反應公司在手訂單充沛，四季度有望繼續確認維持高增速。
後續設備重要看點：1、刻蝕設備：STI Etch；Poly Etch；Al Pad Etch；HM Etch；2、薄膜沉積類設備：CuBS PVD；Al PVD；（在SMIC、長存等Fab驗證，Al PVD已量產）3、退火類設備：LPCVD；Anneal（與SMIC合作開發）；Oxidation；
4.2.12 精測電子：檢測設備大廠，換擋半導體後續空間巨大
AOI和模組檢測價值量更高Cell段比重逐漸加大。此次AOI大增主要是訂單逐漸從Module段向Cell段比例加大，從公司此前Q2來看陸續中標京東方/華星光電宏觀缺陷檢查機、手動模組測試機、模組檢查機等中前道市場逐步打開，驗證前期從Module到Cell製程再到Array前道製程空間成長邏輯。
OLED檢測設備大增266%。根據中標數據，公司OLED主要是京東方和武漢華星光電等對宏觀缺陷檢查機、老化設備、半自動外部補償設備等陸續中標，但總體0.77億，市佔率1%，同比增長266%，有望進入成長元年後續空間巨大。
半導體檢測設備2家公司進展順利，有望取得實質性突破。看好公司從製程中後端到前端檢測、從LCD到OLED設備檢測、從面板設備到半導體設備檢測等成長路徑複製國外優質廠商成長。
4.2.13 至純科技：半導體溼法刻蝕設備龍頭，開創「芯」篇章
至純科技為高純工藝設備系統的提供者。至純科技業務為電子、生物醫藥等行業的先進位造企業提供配套的高純工藝系統與高純工藝設備，主要以控制生產工藝中的不純物為核心，涉及的行業主要包括泛半導體產業（集成電路、MEMS、面板顯示、光伏、LED）、光纖、生物製藥和食品飲料等行業。
公司換擋半導體，增長實現新舊動能轉換。公司早期，在2011-2012年，應收佔比最大的是光伏業務，但隨著下遊光伏行業遭遇產能過剩，光伏業務開始縮小。2013- 2015年，醫藥領域的營收開始成為公司的增長點，佔比均在40%以上。到了2016年，公司業務開始轉移到半導體。2016年半導體營收為1.31億元，同比增長554%，成功的實現新舊動能轉換。
4.2.14 長川科技：整合優質設備標的STI，後續有望迎來強協同
公司擬以發行股份方式，以30.17元發行價作價5.45億元購買國家產業基金、天堂矽谷以及上海裝備合計持有長新投資90%的股份（經營主體為設備公司STI，對應交易價格4.9億元）。
另註：在此前ASTI與浦東科投交易STI的方案中業績承諾為2018年與2019年稅前利潤總額不少於1700萬新元（1:5匯率下對應8500萬人民幣），若平均每年4250萬元則對應PE為12.8倍。
長新投資經營主體STI前身為德州儀器質量保證和過程自動化中心兩個業務部門與Telford設備部門合併而成，1998年通過重組併入ASTI旗下。目前標的主要產品為光學檢測、分選、編帶等功能的集成電路封裝檢測設備，核心競爭力為2D/3D高精度光學檢測技術（AOI），主要產品包括轉塔式測編一體機、平移式測編一體機、膜框架測編一體機和晶圓光學檢測機。
整合順利後封測設備產線越發全面，國內重點客戶有望加速突破。長川科技本部生產的測試機包括大功率測試機（CTT系列）、模擬/數模混合測試機（CTA系列）等；分選機包括重力下滑式分選機、平移式分選機等。目前，公司生產的集成電路測試機和分選機產品已獲得長電科技、華天科技、通富微電、士蘭微、華潤微電子、日月光等多個一流集成電路企業的使用和認可。標的公司STI目前前五大客戶為德州儀器、PREMTEK、美光、安靠以及Sandisk，未來有望加速突破國內客戶。
封測龍頭企業新一輪資本投入周期開啟，長川科技有望直接受益。隨著2018年-2022年大陸FAB建廠、擴產潮來臨，配套封測龍頭開啟新一輪擴張周期，典型包括通富微電在合肥、廈門的配套規劃，華天科技此前周公告的80億南京擴產項目，未來大陸存儲晶片、先進位程、特色工藝的產能釋放將直接帶動封測設備需求高速增長，從佔比來看分選+測試設備在採購金額中佔比約為12%-15%，長川科技作為國內測試設備領先廠商有望直接受益！順利整合STI後有望在產品、銷售渠道、研發各方面迎來強協同！
4.2.15 興森科技：拐點已至，老牌PCB聯合新星半導體雙劍合壁
5年磨一劍，IC載板迎曙光。IC載板領域因為其業務門檻極高，自我突破的背後是長達5年的持續投入及虧損。但隨著公司完成各大主流客戶的認證並進入穩定供貨周期後，公司在2018年的產線已達成滿產狀態，且長期保持著高良率水準，而對IC載板的擴產計劃也一併進行著。公司於2018年8月公告期IC載板擴產計劃，屆時可將IC載板產能由原來的10000平米/月增加至18000平米/月，應對IC載板60至70億美元的市場，實現其對國內IC載板領域的突破。
PCB樣板持續擴張，下遊醫療工控市場巨大。公司PCB行業深耕多年，專業從事PCB樣板製造。近年來不斷調整其PCB工廠，輔以投資擴產19年產能將有較大提升。通過下遊應用市場的拓展，預計公司在宜興廠具備10%的增長並實現盈利、興森快捷新增產能年中實現投產，公司在PCB樣板領域的霸主地位將繼續保持。
國內國外雙劍合一，半導體測試板已成型。公司前些年收購Harbor和設立上海澤豐，在晶圓測試及晶片測試環節雙管齊下。公司近年對Harbor進行從採購到經營以及管理上的調整的同時計提其2600萬商譽，而上海豐澤在於國內大客戶合作，甩開國內測試公司，50%的增長可預見，上海豐澤加Harbor幫助公司從方案設計公司向全系統解決方案企業方向發展。
4.2.16 晶瑞股份：國產微電子化學品龍頭，核心關鍵產品不斷突破
多年專注微電子化學品，業績迎來高速增長。2018Q3公司實現營收2.24億元，同比增長59.0%，環比增長9.7%；歸母淨利潤為1551萬元，同比增長77.3%，環比增長6.0%。晶瑞股份經過十數年深耕，目前產品包括超淨高純試劑、光刻膠、功能性材料和鋰電池粘結劑四大類微電子化學品，為國內電子化學品龍頭。2017年外延併購蘇州瑞紅並增資江蘇陽恆，業績得到快速增長。
公司毛利率、淨利率穩中有進。2018Q3公司毛利率為30.05%，同比增加1.3pct，環比增加0.8pct；淨利率為8.48%，同比下降0.9pct，環比增加1.3pct。主要原因是Q3上遊雙氧水等原材料價格有所下降，同時公司對期間費用實行了控制，三項費用率保持穩定。
公司雙氧水已達到國際最高純度G5水平，成功突破國際壟斷，產品水平可控制在5PPT以下，目前在華虹、中芯國際等下遊上線評估、驗廠審核順利進展中。此外公司依託下屬子公司年產30萬噸的優質工業硫酸原材料優勢，並結合從三菱化學引入電子級硫酸先進位造技術，投資建設年產9萬噸/年的電子級硫酸項目，有望建成後年放量。雙氧水與硫酸是晶圓製造過程中消耗量最大的兩類超淨高純試劑，公司「雙氧水+硫酸」戰略布局，將充分受益於國內晶圓廠建廠潮。
同時i線光刻膠順利通過02專項驗收。通過收購日本瑞翁、丸紅手中瑞紅股權，目前蘇州瑞紅已成為公司全資子公司。瑞紅光刻膠主要為半導體用光刻膠和平板顯示用光刻膠，包括紫外負型光刻膠和寬譜正膠及部分ｇ線、i線正膠等高端產品，並且還承擔了國家重大科技項目02專項「i線光刻膠產品開發及產業化」項目，近期順利通過驗收，率先實現i線光刻膠的量產，可以實現0.35um的解析度，在天津中芯、揚傑科技等知名半導體廠通過單項測試和分片測試，取得了客戶的產品認證。此外，鑑於高端光刻膠仍為國際大廠所壟斷，公司高度關注248nm、193nm領域，積極研發儲備進行技術突破！
4.2.17 中環股份：收購國電光伏，高度契合雙產業鏈布局
國內半導體材料產業龍頭企業。中環股份成立於1999年，致力於半導體節能和新能源兩大產業，主導產品半導體區熔單晶-矽片綜合實力全國第1，全球前3，國內市佔率超過75%，全球市佔率18%；太陽能高效矽片光電轉換效率全球第1；太陽能高效單晶矽片市場佔有率全球第1。公司光伏矽單晶研發水平全球領先，先後開發了具有自主智慧財產權且轉換效率大於23%的高效N型DW矽片和轉換效率25%、「零衰減」的CFZ-DW(直拉區熔)矽片。
2012年起，公司攜手蘋果、SunPower及內蒙古、四川當地優勢企業，利用豐富的太陽能資源和雙方多項具有全球領先水平的技術，採用集本地化系統製造和電站開發於一體的商務模式，在內蒙古和四川分別開發建設7.5GW和3GW光伏電站綜合項目，輻射全國並共同開發全球市場。
2015年5月，公司公告與與有研總院、晶盛機電籤署了《半導體矽材料產業戰略合作協議》，三方擬組建合資公司，合作半層體矽材料項目。此次合作推動了公司8英寸以上單晶項目發展，加強了公司在半導體矽材料領域的領先地位。
與揚傑科技合資投資建設宜興封裝基地。2018年6月公司與揚傑科技、宜興經濟技術開發區籤訂合作框架協議，公司與揚傑科技在宜興成立合資公司，持股40%，負責封裝基地的建設和運營，總投資規模約10億元，本次合作有望增強公司半導體器件業務實力，提升產業整體競爭力。
收購國電光伏90%股權，高度契合雙產業鏈布局。2018年7月公司成功以6.59億元收購國電光伏90%股權，同時向包括中環集團在內的不超過10名特定投資者發行股份募集配套資金，用於國電光伏廠房及公輔設施的修復與維護，以及相關費用。國電光伏背靠國電集團，曾是全球較大的太陽能EPC總承包公司，具備較強的市場影響力。本次交易包括國電光伏宜興基地內的土地1316畝，還包括房屋、道路等大量資產，收購後中環股份將大大加強半導體和光伏產業重鎮無錫的戰略布局，與公司的雙產業鏈高度契合，並將進一步擴充產能，在與單晶龍頭隆基的競爭中提升競爭力。
4.2.18 江豐電子：靶材龍頭，關鍵技術不斷突破
公司是國內高純濺射靶材龍頭企業，主要產品包括鉭靶、鋁靶、鈦靶、鎢鈦靶以及LCD用碳纖維支撐，到了美、日跨國公司的壟斷，產品成功進入臺積電、聯電、中芯國際、華虹等知名廠商供應鏈，廣泛應用於半導體、平板顯示、光伏領域。
四大產品線全線增長。分產品來看，公司4大產品線收入已連續多年增長。2017年，鉭靶收入1.46億元，同比增長23.01%，佔收入比達26%；鋁靶收入1.42億元，同比增長35.64，佔收入比重26%；鈦靶收入9679萬元，同比增長28.60%，佔收入比重18%；LCD用碳纖維支撐收入6797萬元，同比增長7.27%，佔收入比重12%。
公司研發投入持續增長，關鍵技術不斷突破。公司高度重視技術研發，研發投入逐年增長，2017年研發費用3249萬元，同比增長20.85%。在高研發投入下，公司不斷突破CFRP、CMP、28-14nm等各類產品之關鍵技術：
4.2.19 通富微電：三大市場共同增長，六大廠區逐步迎來釋放期
前瞻布局合肥、廈門產業重鎮，六大廠區逐步迎來釋放期。通富微電擁有總部崇川工廠、蘇通工廠、合肥通富微電子有限公司（合肥通富）、蘇州通富超威半導體有限公司（TF-AMD蘇州）、TF AMD Microelectronics (Penang) Sdn. Bhd.（TF-AMD檳城）以及在建的廈門通富微電子有限公司（廈門通富）六大生產基地。公司目前的封裝技術包括Bumping、WLCSP、FC、BGA、SiP等先進封測技術，QFN、QFP等傳統封裝技術以及汽車電子產品、MEMS等封裝技術。目前全球前10大FABLESS有5家成為其客戶，包括AMD、MTK、ST、TI、英飛凌等優質龍頭。
三大市場共同增長，業務規模穩步提升。2017年年報顯示，在2016年高速增長的基礎上，繼續取得較大幅度增長；2017年，未合併通富超威蘇州、通富超威檳城的銷售收入35.64億元，同比增長25.05%；合併通富超威蘇州、通富超威檳城的銷售收入達到65.19億元，較2016年增長41.98%。1、三大市場共同增長。亞太市場銷售額同比增長33%，佔銷售總額的19%；歐美市場銷售額同比增長15%，佔銷售總額的64%；國內市場銷售額同比增長60%，佔銷售總額的17%。 2、產品銷售業績方面，新老產品全面增長。BGA、FC、WLP產品增速分別達到40%、30%、53%；傳統產品在基數大的情況下仍有可喜的增長，其中，QFP產品增速達44%。 3、市場拓展方面，客戶結構更加完善，各區域深挖重點客戶、開發新客戶。主要應用領域及終端市場為無線充電、高速光模塊、Wifi、指紋識別、4G PA、SSD主控晶片、通用模擬、觸控、高性能計算、安防監控主晶片、AMOLED驅動等。大基金承接日方股東富士通股份，後續合肥基地有望承擔起存儲及驅動晶片領域封測重任。
積極新建產能，業務穩健增長。崇川廠全面覆蓋中高低端產品，生產效率不斷得到提升，18年切入礦機業務產品結構提升；蘇通廠定位崇川廠中高端產品的轉移；合肥廠謀求未來存儲器及驅動晶片封測的強力驅動。通富超威蘇州、通富超威檳城積極應對AMD訂單，成功開發了7nm wafer node技術，多項新產品成功量產，同時導入多家知名新客戶。隨著先進封裝滲透率提升、AMD客戶導入以及未來募投產能釋放，公司未來業績有望持續增長。
4.2.20 晶方科技：外延更進一步，光學能力協同補強
晶方科技持續專注於傳感器領域的先進封裝業務，重點關注公司在光學工藝領域拓展。目前公司已經具備了8英寸、12英寸晶圓級晶片尺寸封裝技術規模量產封裝能力，成為全球晶圓級晶片尺寸封裝服務的主要提供者與技術引領者。其封裝產品主要包括影像傳感器晶片、生物身份識別晶片、微機電系統晶片（MEMS），環境光感應晶片、醫療電子器件、射頻晶片等，產品廣泛應用於汽車電子、消費電子、通信和醫療等諸多高增長領域。主要客戶包括格科微、SK Hynix、豪威科技等。
公司外延更進一步，光學能力協同補強。Anteryon前身是荷蘭飛利浦的光學電子事業部， 2006年從飛利浦分拆成立，目前主要業務包括光電方案及晶圓級鏡頭，核心客戶包括包括 ASML、Sick AG、Hilti、萊卡、Valeo等優質國際龍頭，產品包括微型鏡頭，衍射器件，微陣列和摺疊光路，在荷蘭的晶圓級鏡頭量產產線可設計製造WLO以及DOE，稜鏡，摺疊光路等光學組件產品，本次外延後有望與晶方主業系統並進，大幅補強光學能力！
目前晶方科技本部同時具備8寸、12寸晶圓級晶片尺寸封裝技術規模量產封裝能力，CIS方面自主開發針對高像素產品的先進封裝技術（TSV/FAN OUT/SIP）。同時指紋識別與MEMS封裝領域也拓展開發出「去基板+TSV」與正壓型氣密性晶圓級鍵合等技術，出貨穩定。重點關注公司傳統業務份額提升、安防業務以及Fan-out新技術放量！
我們認為未來公司新的增長點在於3D sensing與汽車級CIS兩大領域。我們此前多次強調3D sensing核心工藝難點在於VCSEL/EEL雷射器和WLO/DOE相關工藝兩大領域，目前DOE堆疊與切割主要由精材科技完成（pattern和ITO分別由臺積電、採鈺完成），此外奇景光電與AMS在WLO工藝具有領先地位。晶方科技深耕WLCSP領域十餘年，掌握大量WLO/DOE相關工藝know-how，我們認為今明兩年公司這一領域產業化有望推進，我們將密切跟蹤進展！此外公司在汽車級CIS領域布局已久，與sony、on semi、OV等客戶已經陸續開展驗證、出貨，隨著車載攝像頭加速滲透，汽車級CIS業務有望迎來突破。
風險提示
外部環境邊際惡化：國內公司相關設備、材料等供應環節對進口依賴仍然較大，若外部環境出現邊界化，則將對國內相關公司的日常生產經營、產品研髮帶來相當的不確定性風險。
下遊需求增長不及預期：半導體行業受下遊需求影響較大，若下遊需求出現劇烈波動，將顯著影響相關半導體公司盈利能力。
國產替代進程不及預期：半導體行業屬於資本、技術及智力密集型行業，若國內公司不能正確判斷未來產品及市場的發展趨勢，不能及時掌控行業關鍵技術的發展動態，不能堅持技術創新或技術創新不能滿足市場需求，將存在技術創新遲滯、競爭能力下降的風險。在各類產品的研發中將面臨較多的技術創新挑戰，若相關研發團隊不能完善有效的解決新產品研發過程中面對的各項研發難點，則可能存在產品開發失敗的風險。
測算以及拆分數據存在一定誤差：文中關於產品出貨量、行業市場空間、公司預期業績的測算均是基於特定假設，存在一定誤差。