-
解密第三代半導體材料:華為小米緊追,突破歐美鎖喉的新武器
2020年，站在新的時間節點上，5G、新能源、光電……成為全球關注的新風向，市場已經敏銳地注意到，這次或將由第三代半導體材料成為那把開啟世界產業革命的鑰匙。一、第三代半導體材料市場火爆今年2月13日，小米發布氮化鎵充電器Type-C 65W，發售首日即售罄，這可以看作是氮化鎵充電市場被引爆的標誌。隨後幾個月，各大廠商紛紛「跟風」，把「氮化鎵」「快充」等概念作為造勢賣點。
-
【關注】第三代半導體材料特點
當SiC的成本能降到矽的2~3倍的時候，應該會形成很大的市場規模。到2020年，EV汽車大規模推出的時候，SiC市場會有爆發式的增長。 在應用方面，根據第三代半導體的發展情況， 其主要應用為半導體照明、電力電子器件、雷射器和探測器、以及其他4個領域， 每個領域產業成熟度各不相同，如下圖所示。在前沿研究領域，寬禁帶半導體還處於實驗室研發階段。
-
第三代半導體漸入佳境
9月19日，英諾賽科蘇州第三代半導體基地舉行設備搬入儀式，基地已進入量產準備階段。此前，三安光電斥巨資在長沙建設第三代半導體產業園，哈勃科技投資有限公司也出手投資了國內領先的第三代半導體材料公司。「投資熱」的戲碼頻繁上演，表明第三代半導體產業的發展已成為半導體行業實現突破的關鍵環節。
-
第三代半導體跑出加速度
車企牽頭，第三代半導體產品逐漸進入各汽車集團的主流供應鏈。產品供應上量，價差持續縮小，碳化矽、氮化鎵產品性價比開始凸顯，部分產品與矽產品的價差已經縮小。 市場應用方面，第三代半導體產品滲透速度加快，應用領域不斷擴張，汽車電子、5G 通信、快充電源及軍事應用等幾大動力帶領市場快速增長。國內市場方面，新基建的加碼為我國第三代半導體產業發展提供了寶貴機遇。
-
第三代半導體:精選股,坐著火箭一樣上衝!
第三代半導體是「十四五」重要發展方向，據國家新材料產業發展專家諮詢委員會委員介紹，國家2030計劃和「十四五」國家研發計劃已明確第三代半導體是重要發展方向。 第三代半導體主要說的就是碳化矽和氮化鎵兩種基礎材料。
-
世界各國第三代半導體材料發展情況
2、應用領域 以SiC等為代表的第三代半導體材料，將被廣泛應用於光電子器件、電力電子器件等領域，以其優異的半導體性能在各個現代工業領域發揮重要革新作用，應用前景和市場潛力巨大。 從目前第三代半導體材料和器件的研究來看，較為成熟的是SiC和GaN半導體材料，而氧化鋅、金剛石、氮化鋁等材料的研究尚屬起步階段。 相對於Si，SiC的優點很多：有10倍的電場強度，高3倍的熱導率，寬3倍禁帶寬度，高1倍的飽和漂移速度。因為這些特點，用SiC製作的器件可以用於極端的環境條件下。微波及高頻和短波長器件是目前已經成熟的應用市場。
-
第三代半導體項目密集落地 兩股即將迎來機遇
6、冰川網絡(300533)：股東擬減持不超過3.18%股份；7、隆基股份(601012)：擬40億元投資曲靖(二期)年產20GW單晶矽棒和矽片項目；8、雪榕生物(300511)：擬投資15.5億元新建食用菌產業園項目；9、益生股份(002458)：合作建設「祖代種豬場及配套育肥豬場、飼料廠建設項目」；10、美錦能源(000723)：
-
【關注】爭相布局 第三代半導體跑出加速度
國內市場方面，新基建的加碼為我國第三代半導體產業發展提供了寶貴機遇。無論是5G、新能源汽車還是工業網際網路等，新基建各個產業的建設都與半導體技術的發展息息相關。 據不完全統計，國內今年1-8月所披露新開工以及新籤約第三代半導體產業項目的投資總額已超450億元，其中包括兩家上市公司三安光電與露笑科技。事實上兩者在此前已在第三代半導體領域有所投資，尤其是三安光電已布局多年，如今再斥下巨資投建項目，可見十分看好對第三代半導體產業的發展前景。
-
國產之光,第三代半導體對半導體產業的影響(名單)
，一方面半導體的國產替代願望最強，另一方面基於第三代半導體材料的研發，我們目前並不落後太多，對於實現「自主可控」相對更容易，老規矩，總章依舊會站在一個較為宏觀的角度和大家進行分享。 通過上面的梳理，可以看出目前國內迫切需要解決的是半導體領域內的材料，設備領域，而不是設計和製造領域，所以作為擁有材料優勢的第三代半導體，就變得很關鍵了，再從政策上去看下， 五，「十四五
-
半導體行業專題報告:從新基建與消費電子看第三代半導體材料
3、新基建與消費電子為國內需求打開空間 國內基站端建設投資力度擴大，國內需求將大於國外。預計 2020 年 5G 新 建基站有望達到 80w 座以上，其中大部分將以「宏基站為主，小基站為輔」的組網方式。
-
第三代半導體產業專題報告:產業鏈概覽及投資方向
一、 第三代半導體是「十四五」重要發展方向 據國家新材料產業發展專家諮詢委員會委員介紹，國家2030計劃和「十四五」國家研發計劃已明確第三代半導體是重要發展方向。
-
什麼是第三代半導體?
第三代半導體材料已被認為是當今電子產業發展的新動力。以第三代半導體的典型代表碳化矽（SiC）為例，碳化矽具有高臨界磁場、高電子飽和速度與極高熱導率等特點，使得其器件適用於高頻高溫的應用場景，相較於矽器件，碳化矽器件可以顯著降低開關損耗。因此，碳化矽可以製造高耐壓、大功率的電力電子器件如MOSFET、IGBT、SBD等，用於智能電網、新能源汽車等行業。
-
第三代半導體材料迎爆發!碳化矽氮化鎵站上最強風口
半導體行業發展至今經歷了三個階段，目前已經發展形成了三代半導體材料。第一代半導體材料是以主要是指Si、Ge元素半導體，它們是半導體分立器件、集成電路和太陽能電池的基礎材料，但是矽基晶片經過長期發展，已經正在逐漸接近材料的極限，矽基器件性能提高的潛力也越來越小。第二代半導體材料主要是指如砷化鎵、銻化銦等化合物半導體材料。
-
第三代半導體企業匯總!
第三代半導體材料已被認為是當今電子產業發展的新動力。碳化矽（SiC）（第三代）具有高臨界磁場、高電子飽和速度與極高熱導率等特點，使得其器件適用於高頻高溫的應用場景，相較於矽器件（第一代），可以顯著降低開關損耗。因此，SiC可以製造高耐壓、大功率電力電子器件如MOSFET、IGBT、SBD等，用於智能電網、新能源汽車等行業。
-
被國家寫進「十四五」的第三代半導體到底是什麼?
就拿功率和頻率來說，第一代半導體材料的代表矽，功率在 100Wz 左右，但是頻率只有大約 3GHz；第二代的代表砷化鎵，功率不足 100W，但頻率卻能達到 100GHz。因此前兩代半導體材料更多是互為補充的關係。
-
第三代半導體材料之碳化矽(SiC)
碳化矽（SiC）是第三代化合物半導體材料。半導體產業的基石是晶片，製作晶片的核心材料按照歷史進程分為：第一代半導體材料（大部分為目前廣泛使用的高純度矽），第二代化合物半導體材料（砷化鎵、磷化銦），第三代化合物半導體材料（碳化矽、氮化鎵） 。
-
什麼是第三代半導體?哪些行業「渴望」第三代半導體?
什麼是第三代半導體？哪些行業「渴望」第三代半導體？ 但今年的市場形勢明顯不同，各大半導體元器件企業紛紛加大了新產品的推廣力度，第三代半導體也開始頻繁出現在各地園區招商引資名單中。 問題來了：第三代半導體產業是真的進入春天還是虛火上升？又有哪些行業真的需要GaN或SiC功率器件呢？相對於IGBT、MOSFET和超級結MOSFET，GaN和SiC到底能為電子行業帶來哪些技術變革？
-
瞄準第三代半導體 華為旗下哈勃科技接連投資三家潛力企業
第三代半導體晶片材料方興未艾，相比較矽基，SiC擁有更高禁帶寬度、電導率等優良特性，更適合應用在高功率和高頻高速領域。年初，小米發布65W氮化鎵USB PD快充充電器，帶動第三代半導體應用。 第三代半導體產業技術創新戰略聯盟秘書長於坤山曾對媒體表示，2019年，第三代半導體進入發展的快車道，2020年是中國第三代半導體發展一個關鍵的窗口期。汽車、5G、消費電子加速市場增長，各大巨頭在碳化矽領域做布局。筆者梳理了最近華為哈勃科技的三筆投資，顯然也有這個意味。
-
「芯版圖」國內企業紛紛瞄準第三代半導體,百億元產業園項目正順勢...
集微網報導，2020年，第三代半導體站在了產業風口。國產化替代、新基建的熱潮，無疑又給其添上一把火。據此前第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲透露，2020年中國SiC（碳化矽）、GaN（氮化鎵）電力電子和微波射頻產值預計將約為70億元。
-
電子行業:第三代半導體SIC 爆發式增長的明日之星
主要觀點： SIC功率器件：性能優異，10年20倍增長 功率半導體的技術和材料創新都致力於提高能量轉化效率（理想轉化率100%），基於SIC材料的功率器件相比傳統的Si基功率器件效率高、損耗小，在新能源車、光伏風電、不間斷電源、家電工控等有廣闊的應用前景。