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臺積電宣布7nm強效版及5nm導入EUV微影技術且成功量產入市後,南韓媒體報導,三星向半導體設備大廠艾司摩爾(ASML)下訂15臺EUV設備,另外,英特爾、美光、海力士也規劃採用EUV技術,僧多粥少,全球半導體業掀起搶EUV(極紫外光)設備大戰。
臺積電日前宣布,領先業界導入EUV微影技術之7nm強效版製程已協助客戶產品大量進入市場,且2020年上半年量產5nm也將導入EUV製程。根據南韓媒體報導,為達成2030年成為全球第一半導體大廠的目標,並超越晶圓代工龍頭臺積電,搶佔未來二到三年的5G商用化所帶來的半導體市場需求,三星已向全球微影曝光設備大廠ASML訂購15臺先進EUV設備。
另外,英特爾EUV計劃的負責人BrittTurkot年中表示,EUV技術已經準備好,並且投入大量的技術開發。內存大廠美光、海力士也計劃導入EUV技術,然而目前全球提供EUV設備僅ASML一家,業界預估ASML一年僅能生產約30臺EUV設備,在各大廠相繼投入之下,形成設備機臺一機難求,排隊等設備景象。
由於EUV極短波長 13.5nm之強力光線的技術,能夠更完美地解析先進位程的設計,減少晶片生產步驟及光罩層數,在5G即將進入商轉,高速高頻特性,對晶片微縮、低功耗要求高,成為延續摩爾定律重要技術。
不過,要駕馭此複雜且昂貴系統來製造大批晶片卻是一件難事,三星雖最早宣布7nm製程導入EUV,但先前即傳出生產晶片良率及產量不足,臺積電錶示,為何7nm一開始未導入EUV,正因新技術導入製程需要經歷一段學習曲線,臺積電在7nm強效版成功學習經驗,未來可順利導入5nm製程。
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