半導體是指一種電阻率介於金屬和絕緣體之間，並有負的電阻溫度係數的物質。作為「二十世紀最重要的新四大發明」之一，也作為二十一世紀集成電路、晶片等名詞的載體，這幾年裡半導體的火熱程度從未退卻。
你以為半導體是最近幾十年才被發現的嗎？說出來你可能不信，半導體的「發家史」實際上可以追溯到很久很久以前······
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那是遙遠的186年前的大清道光十三年，公曆1833年的一天，英國物理學家、「交流電之父」法拉第(MIChael Faraday，1791~1867)像往常一樣在做實驗，可是突然間，他發現了一個神奇的現象——有種材料的電阻隨溫度變化的現象很反常。這種材料是硫化銀。
一般情況下，像常見的金屬材料，它們的電阻都會隨著溫度升高而變大，但是硫化銀這種材料卻很反常，隨著溫度的上升，它的電阻越來越低，導電性越來越強。就是說：呈現出負的電阻溫度係數。
隨著科技的發展，人們觀測到了半導體在室溫時電阻率約在10^-5～10^-7(歐·米)之間，隨著溫度升高，電阻率指數會減小。從那之後，這個區別於常見材料的性質就成為了識別這種材料的第一個特徵，不過在那個時候，這種材料還是沒有「半導體」這個名字。
六年後的1839年，年僅19歲的法國物理學家亞歷山大.貝克勒爾（Alexandre Edmond Becquerel, 1820—1891）在協助父親做實驗時意外地發現：將兩片金屬浸入溶液和電解質接觸構成伏打電池，當這個體系受到陽光照射後產生了一個額外的電壓。
直到1883年，又有學者發現：將硒和金屬兩種固體接觸所形成的結受到光照時，也會產生額外的電勢，後來人們就把這種現象稱作光生伏特效應，將能夠產生此效應的器件稱為光伏器件。
光生伏特效應，也叫光生伏打效應，是半導體第二個被發現的特徵。但直到這時候，這種材料還是沒有「半導體」這個名字。（是不是有點替半導體焦急了）
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在1873年，英國科學家威勒畢·史密斯(Willoughby Smith)在進行與水下電纜相關的一項任務時發現，光照會促使硒圓柱的電導增加。這個現象後來被稱為光電導效應。
又過了14年，在1887年，德國物理學者海因裡希·赫茲（Heinrich Rudolf Hertz，1857－1894）在實驗中真正觀察到了光電效應，後來愛因斯坦第一個成功的解釋了光電效應。這種特質成為了半導體的又一個特有的標籤。
大家都知道，光可以看作是由攜帶一份一份的能量的光子組成的。當有光照射的時候，半導體材料就可能吸收入射光子能量。吸收了能量的電子會「躁動」起來了，獲得動能的增加，當動能增大到足以克服原子核的吸引力時，它就能在十億分之一秒的時間內飛逸出金屬表面，成為可以導電的光電子。
因為電子和空穴是成對產生的，電子增多，空穴當然也就增加了。而電子和空穴都是載流子，這時候載流子的濃度就能大大增加，使得半導體的導電性也大大增加，電阻也會相應地減小。光敏電阻就是基於光電導效應而製成的光電器件。
1874年，德國航天工程師布勞恩（Ferdinand Braun，1850~1918)觀察到：某些硫化物是否能導電與其所加電場的方向有關。如果在它兩端加一個正向電壓，它就是導體；如果把電壓極性反過來，它就儼然成了絕緣體。
同年，出生在德國的英國物理學家舒斯特(Arthur Schuster，1851—1934)又發現了銅與氧化銅的整流效應。這就是半導體的整流效應，也是半導體所特有的第四種特性。這個性質也促成了半導體的第一個應用——利用整流效應製作的檢波器。
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雖然，在1880年以前，半導體的這4個效應就先後被發現了，但是「半導體」這個名字的出現大概到了1911年，由考尼白格和維斯首次使用了。當然，總結出半導體的這四個特性的工作一直到1947年12月才由貝爾實驗室完成。
也是在這一年，因為鍺材料電晶體的誕生，讓半導體材料真正走上了歷史舞臺。而直到1954年，第一個矽電晶體才誕生；直到上世紀 60 年代後期，矽材料才逐漸取代了鍺並一直「活躍」至今～～
但讓人驚訝的是：到了這個時候，距離半導體的第一個特性被發現，已經足足120年有餘了～～哦對了，矽（Si)，就是組成石頭的元素之一，也是地球上第二多的元素（扣題）。
直到現代，不僅矽、鍺等為代表的第一代半導體材料得到了廣泛的應用，還有了以GaAs為代表的第二代化合物半導體材料、以GaN為代表的第三代半導體材料，而且它們也分別在各自的領域發光發熱，也許你不認識它們，但它們的產品的的確確已經成為了人們生活中不可或缺的必需品。
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半導體材料從發現到發展，從應用到創新，經歷了逾越百年的路程。也許您心生疑問，為什么半導體被認可需要這麼多年呢？相寧猜測這其中的主要原因也許是當時的材料不純。沒有好的材料，很多與材料相關的問題就難以說清楚了吧。
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1.量子論中狄拉克符號積分的意義 | 範洪義