什麼是光刻機？
由於被實行了經濟制裁和科技制裁，迫使我國的科學技術在近百年被迫進步。任正非曾經說過：求生欲使我們振奮，尋找自救的道路！在這場科技的戰爭中，針對晶片制裁，迫使華人重視到了晶片的重要性、光刻機的重要性！
在各種形式的壓迫之下，光刻機進入我們的視野，幾乎每一個人都清楚的意識到發展自主光刻機技術，在這日益激烈的國際科技競爭中至關重要。現在國家大力支持半導體發展，各種好利政策頻出，近期事件中國家也承受著非常巨大的壓力！
ASML光刻機
晶片作為電子產品的核心領隊整個產品的性能都具有重要影響，而光刻機作為製造高性能晶片的儀器，在晶片高性能化、小型化的時代中發揮了不可比擬的作用，如果想提高晶片性能，就必須從加工的方式入手，提高晶片的加工精度，每一片高性能晶片都離不開光刻機的加工處理。
晶圓
光刻原理
光刻就是把晶片製作所需要的線路與功能區做出來。利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對塗有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光後會發生性質變化，從而使光罩上的圖形複印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。這就是光刻的作用，類似照相機照相。照相機拍攝的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是電路圖和其他電子元件。
光刻機原理
光刻技術是一種精密的微細加工技術。常規光刻技術是採用波長為4500埃的紫外光作為圖像信息載體，以光致抗光刻技術蝕劑為中間（圖像記錄）媒介實現圖形的變換、轉移和處理，最終把圖像信息傳遞到晶片)或介質層上的一種工藝。
在廣義上，光刻包括光複印和刻蝕工藝兩個主要方面：
刻蝕工藝：利用化學或物理方法，將抗蝕劑薄層未掩蔽的晶片表面或介質層除去，從而在晶片表面或介質層上獲得與抗蝕劑薄層圖形完全一致的圖形。集成電路各功能層是立體重疊的，因而光刻工藝總是多次反覆進行。
光刻機種類
1.接觸式曝光：掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形解析度相當，設備簡單。接觸式根據施加力量的方式不同又分為：軟接觸，硬接觸和真空接觸。
軟接觸:就是把基片通過託盤吸附住（類似於勻膠機的基片放置方式），掩膜蓋在基片上面；
硬接觸:是將基片通過一個氣壓（氮氣），往上頂，使之與掩膜接觸；
真空接觸:是在掩膜和基片中間抽氣，使之更加好的貼合（想一想把被子抽真空放置的方式）
2.接近式曝光:掩膜板與光刻膠基底層保留一個微小的縫隙（Gap），Gap大約為0～200μm。可以有效避免與光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷，使掩膜和光刻膠基底能耐久使用；掩模壽命長（可提高10 倍以上），圖形缺陷少。接近式在現代光刻工藝中應用最為廣泛。
3.投影式曝光:在掩膜板與光刻膠之間使用光學系統聚集光實現曝光。一般掩膜板的尺寸會以需要轉移圖形的4倍製作。優點：提高了解析度；掩膜板的製作更加容易；掩膜板上的缺陷影響減小。
主要生產商
ASML：
目前全球在光刻機製造領域比較領先的只有三家公司，分別為荷蘭的ASML和日本的佳能和尼康。
臺積電、三星都是 ASML 的大客戶，尤其是臺積電，目前累計採購的 EUV 設備已超過 35 臺，超過其他所有晶片製造商總和，由於臺積電今年專注 5 納米量產，其對 EUV 設備的需求將持續。
截止2011年，ASML已經佔到了全球光刻機市場的70以上的市場份額。在7nm和5nm製程領域，ASML是全球唯一一家可以生產相應光刻機的公司。換句話說，在最先進的光刻機生產領域，ASML達到了絕對壟斷的地步。
而那個時候的中國剛剛逐漸放鬆民營經濟的管制，電腦都是一種巨奢侈的物品。晶片更是很多人都沒聽到的東西，更別說研發了。從時間點上看，我們至少落後ASML十幾年。
很多人不明白，明明ASML是一家荷蘭公司，美國憑什麼限制ASML的出口呢？
原因有很多，最主要有兩個：首先，ASML的大股東、二股東分別為資本國際集團、貝萊德集團。這兩家公司全是美國公司，因此ASML是一家被美國公司控制的荷蘭公司；其次，一臺ASML的高端光刻機有90%是從全球採購的，其中美國提供光源和計量設備的支持。
就憑以上兩點，美國就可以輕鬆掌控ASML。就算ASML想賣機器也沒有那麼容易。
很多人非常關心關心，目前我國的光刻機水平在什麼檔次？
據悉，上海微電子國內技術最先進的一家光刻機生產企業，而到了明年才能交付一臺28nm的光刻機。
在整個光刻機市場當中，高端光刻機已經被ASML牢牢佔據了80%以上的市場份額，而5nm工藝的光刻機ASML更是唯一的提供者，臺積電和三星想實現5nm晶片的生產，就繞不開ASML的光刻機。
目前全球較為領先的晶片就是採用的5nm製程，臺積電現在已經在籌劃3nm技術的研發。從28nm發展到5nm製程中間隔了14nm和7nm，如果說國內光刻機兩年可以進行一次技術更新，那也就意味著我們還要經過7年時間才能達到ASML現在的水平。
就在大家還在感慨ASML強大實力的同時，芯動科技公司卻突然宣布，頓時讓已經沉浸已久的光刻機話題再起風波！
芯動科技
根據芯動科技方面的介紹，目前他們已經完成全球首個基於中Xin國際 FinFET N+1 先進工藝的晶片流片和測試，消息一被傳出，各家媒體頓時聞風而動。
《珠海特區報》更是不吝嗇對其的讚揚：「芯動科技首個基於中芯國際先進工藝的晶片流片和測試成功，不僅意味著具有自主智慧財產權的『國產芯』再次打破國外壟斷，同時也說明『國產版』的7nm晶片製造技術已經得到突破。」
為什麼芯動科技這次的科技成果能夠帶來如此之大的轟動呢？
其原因就是它是全球首個FinFET N+1工藝，在這種工藝之下生產出來的晶片可以達到跟臺積電14nm相同的技術水準，最特別的是，相比之下它的性能提升了20%，而功耗降低了57%，在功率和穩定性方面幾乎和臺積電7nm相同。
如果咱們在研發人員和研發資金都投入到位的話，晶片國產化也終將成為現實。