光刻機是半導體產業中最重要的設備，技術先進的還是由荷蘭ASML公司生產，我國也有在研發生產光刻機，但技術水平還比較落後，無法滿足現代晶片工藝要求。
國際上最先進的水平當然是ASML的，目前能夠實現量產的是5nm的光刻機，在2018年所有的中高端量產晶片的光刻機裡面，ASML壟斷了差不多90%以上的市場，各位朋友可以想一想這是什麼樣的地位？
中國目前光刻機什麼水平？
中國目前能夠實現量產晶片光刻機的公司是上海微電子設備系統有限公司！目前能夠量產的是90nm的光刻機，65nm的光刻機已經在研發了四五年了，目前尚未處於量產階段！前一階段，上海微電子設備已經在28納米商用光刻機的研發上取得了重大的進展，但是中國在光刻機之路上還有很遠的路要走啊。
90nm技術對於ASML來說落後15-20年，高端晶片就得需要高端光刻機，美國敢制裁華為的晶片業務也是看到了中國半導體製造的落後！
當然中國也在一些零部件上取得了很大的突破：
比如，2016年初，光刻機核心子系統雙工件臺系統樣機研發項目通過內部驗收，為國內65nm到28nm光刻機自主研發奠定了基礎！
2017年6月21日，「極紫外光刻關鍵技術研究」通過驗收。將國內自主研發EUV光刻機技術向前推進了重要的一步！
2019年，武漢光電中心的甘棕松團隊在研究第六代光刻機，利用二束雷射在國產光刻機上突破了光束衍射極限的限制，刻出了最小9nm，這個技術擁有完全自主產權。
總之，我國光刻機與世界先進水平的差距，主要是製造工藝的差距。雖然，武漢光電研究中心已經突破了9nm光刻技術，但是在關鍵零部件、材料等方面仍然無法滿足量產的需求。這也印證了一句話「自己有才是真的，只有你突破了技術，就沒有人能卡住你的脖子」。也代表了中國企業在半導體行業發展的決心，期望早日突破光刻機技術難關，迎來中國芯。