近日，北京天科合達半導體股份有限公司（以下簡稱「天科合達」）第三代半導體碳化矽襯底產業化基地建設項目開工儀式舉行。
資料顯示，第三代半導體碳化矽襯底產業化基地建設項目是天科合達自籌資金建設的用於碳化矽晶體襯底研發及生產的項目，總投資約9.5億元人民幣，總建築面積5.5萬平方米，新建一條400臺/套碳化矽單晶生長爐及其配套切、磨、拋加工設備的碳化矽襯底生產線，項目計劃於2022年年初完工投產，建成後可年產碳化矽襯底12萬片。
北京天科合達半導體股份有限公司總經理楊建表示，目前第三代半導體行業正處於蓬勃發展的階段，近兩年國家對第三代半導體產業高度重視，天科合達公司作為國內領先的碳化矽晶片生產企業和全球主要碳化矽晶片生產企業之一，該項目在大興區黃村鎮順利開工建設，標誌著北京市SiC襯底材料和器件的產業進程將進一步加速發展，對於促進我國碳化矽半導體產業延伸，引領第三代半導體產業發展具有重要的示範意義。