一．不能開機
現象：包括背景燈常亮或不亮的不開機。
分析：X41機型不開機的原因一般有以下幾個。
A．供電故障。看H接口與電池接口是否有虛焊，用穩壓源測試手機開機電流，一般0.05A以下CPU沒有工作，電流超過0.30A認為供電迴路短路，出現較多的地方有Z3、Z2。另還可能是VCC(2.7—2.9V)與GND短接、VCC25(2.4—2.6V)與GND短接。
B． 軟體故障。 FLASH虛焊，使CPU不能調用其軟體。解決方法：吹FLASH，重測JTAG。
C．基帶主晶片壞或虛焊造成各晶片不能建立連接。出現故障頻率高低依次排為FLASH、CPU、Z6、RAM、MN1。判斷晶片好壞可測以下幾個信號：CSFLASHL(FLASH片選信號)、VCCSRAM(2.8V左右供電電壓)、CSSRAML(RAM片選信號)、CLOCKPE(Z6 33腳的時鐘信號，幅度為1.5V左右)、RESETL(2.5V左右復位信號)，VCC25、VCC、VBAT(3.4—4.2V)、VSAUV(輔助電壓2.4—2.6V)、VPLL(2.7—2.9V鎖相環電壓)等。
D．PCB板斷線，腐蝕。用萬用表測試板子是否斷線。
E．其它故障引起的。如：引起開機鍵失靈的二極體D1，D3壞，引起不能二次開機的排阻RR9壞，還有13M不起振等。
二．充電故障
現象：顯示不能充電，自動充電，自動開機後充電，電池容量不朔定，電池狀態不明確，電池容量不足等。
分析：
A． H接口虛焊，短路。 因使用H接口頻繁， H接口虛焊比較常見。H接口1、2腳CHARGEUR與VBAT信號短接會引起自動充電；H接口腐蝕，常見自動開機後充電。
B．充電電路中T8三極體壞，充電的排阻RR9、RR13、RR10虛焊，電池接口的信號BATTEMP、BATTEMN與Z6間斷線，充電測量的Q6、Q8三極體壞，熱敏電阻R719壞等。
C．充電迴路主晶片壞， Z6的19--26腳有虛焊或其檢測電路出問題。出現這種情形常換Z6，升壓模塊MN1壞也有可能。
D．13M壞 。13M晶振振幅不足，常見電池容量不足。
E．CPU虛焊或壞。CPU過來的CMDMES的信號與Q6相連後和VREFP的參考電壓比較來判定主機有沒有充電，引起Q6工作不正常。
F．軟體故障。當CPU讀到的標識寄存器中的充電標誌一直存在時，會顯示充電標誌。可能軟體出錯，需重新下載軟體解決。
三．顯示故障
現象：無顯示、缺劃、黑屏、顯示淡、顯示亂等。
分析：除外部組件有問題外，CPU壞引起顯示故障比率較高。
A．LCD壞。如：LCD接口處被壓裂或隱形壓碎，LCD液晶點陣失效。
B．導電橡膠接觸不良或損壞。
C．LCD有關控制信號不正常。 需知LCD板接口幾個信號，如：RESETLCD信號為2.8V左右，RWLCDL為低電平，CKMIWTXD2、DOMIWRXD2信號為2.5V左右，DB6LCD、DB7LCD信號由CPU直接提供，P200第3腳與ALIMLCD信號相連，由開關三極體Q4提供2.8V左右電壓，如上述信號不正常，可能是提供信號的元器件壞或斷線。
D．與顯示有關的電容、電阻壞。如C201(較常見)，RR201。
E．軟體故障。FLASH內存虛焊或手機軟體運行出錯。解決方法：重測JTAG或換FLASH。
F．H接口虛焊。
G．CPU的復位信號RESETL不好。解決方法：吹CPU、FLASH。
四．按鍵失靈
現象：部分按鍵失靈或全部按鍵失靈。
分析：引起按鍵失靈的原因可列為以下幾點。
A．導電膠中的導電膜損壞。
B．手機鍵板上對應按鍵點不乾淨,有部分氧化物。
C．CPU上與R1--R4行掃描信號,C1--C6列掃描信號相連的排阻虛焊或損壞。如RR6、RR12、RR202等。
D．PCB板老化、相關按鍵間的連線斷線。
E．鍵控二極體D1、D3等燒壞。
五．音頻故障
現象：無聲、聲音輕、雜音、按鍵異聲、按鍵聲音小等。
分析：主要由Z1、Z3組成的音頻電路壞引起的。
A．耳機接觸不好或耳機壞。耳機的電阻為8歐姆左右。
B．Z3晶片損壞或虛焊(常見)，因Z3的工作電流大，較易損壞，先測Z6的50腳AUDIOON（2.8V左右高電平），信號經Q3(開關三極體)變低電平供Z3工作。如信號好，則Z3損壞的可能性較大。
C．Z1虛焊或損壞。 Z1沒有提供給Z3的聲音信號致使耳機無聲。可用示波器測在C147的EPS正弦波信號，幅度為1.5V左右，如沒有，可能是Z1壞。
D．Z6虛焊或損壞。Z6提供一個AUDIOOU信號經Q3供Z3工作。它壞經常導致按鍵異聲、雜音大等故障。
E．音頻放大電路中的三極體Q709損壞。
F．音頻電路的旁路電容電阻虛焊、丟失、損壞等。如HPN、HPP信號的接地電容C757、C758虛焊或損壞，Z3周圍的反饋電路中的電容電阻損壞。
G．H接口腐蝕會引起按鍵異聲。
H．網絡問題。網絡傳輸信號受幹擾而使解調出的語音信號失真，這與手機使用時的地點、時間有關，因電磁波極易受周圍地形、電磁場的影響
六．不識卡
現象：顯示SIM卡未插入（實際已插卡）。
分析：
A．SIM卡座8針虛焊或壞。造成CPU檢測不到SIM卡的存在或讀不出SIM卡內部存儲的信息。
B．Z6晶片虛焊或壞。CPU的CCRST、CCIO、CCLK、CCVZL、CCIOSW的信號通過Z6的55、56、57腳產生的SIMRST、SIMIO、SIMCLK信號與由Z6的54腳輸出的SIMCCVZL信號經過R80、T7、R81等組件處理提供3V的脈衝電平給SIM供電，使SIM卡工作。CCIOSW(SIM卡工作時數據的輸入輸出片選信號)無卡時為2.5V電平，常見斷線。
C．CPU虛焊或壞，及關於SIM電路沿線元器件壞或線路斷線。如：T7、C107等分立的小元器件壞。
D．軟體故障。重測JTAG。
七．SIM卡鎖
現象：顯示SIM LOCKED、設備號碼、PB3 IMEI等。
分析：除去SIM卡本身的問題外，產生上述故障有以下幾種可能。
A．手機本身是鎖卡、鎖網機。
B．EEPROM壞或它的0地址參數值不對，判斷EEPROM的好壞可從SDA(串行數據信號正常為2.8V左右)、SCL(串行時鐘信號正常為2.8V左右)信號查找。
八．振動故障
現象：無振動、自行振動、振動雜音等。
分析：
A．馬達壞。
B．馬達接口氧化或移位。
C．Z6的59腳CMDVIB信號經R208、T200產生VIBN振動電壓使馬達工作。如這信號不好，會產生無振動。另C217擊穿會出現自行振動。
D．VIBP信號不好，VIBP是由VBAT經R730產生4.0V左右的高電平。
E．馬達電路斷線或缺件。
九．信號故障
現象：無網絡、無信號、信號弱、信號時有時無、電話打不通等。
分析：手機信號的產生有發射和接收兩部分，兩部分只要有一部分出問題信號就不正常。所以要從這兩方面考慮。首先，發射部分可以以Z502為中心來檢查信號的好壞。查Z502的20、25、41腳,它們分別與一本振MN701、二本振Z503、低通濾波器相連。其任一信號不好都說明Z502工作不正常。以下列幾種可能性：
A． 20腳信號不好,可能MN701、C571壞(常見)；
B． 25腳信號不號,可能Z503壞,及其與Z503相連的電路沿路有問題；
C．41腳信號不好,可能C559、C562壞；
D．信號都無,可能是Z502壞或虛焊。
如上述信號都好，用頻譜儀量INGSM的信號，如達到正常幅度值，則可判定Z502工作正常，問題出在功放電路部分。判斷功放工作與否可考慮VD1GSM、VD23GSM兩個信號。它們正常信號幅度為3.0V左右的方波，由控制功放Z2501、場效應管Z2700等提供。Z2501工作又以GSMON、DCSON、PAOUT信號提供為前提。GSMON、DCSON分別為900MHz、1800MHz兩個波段的專用信號，即處在900MHz工作頻段時GSMON信號為幅度為3.0V左右的方波，DCSON信號為低電平；反之，DCSON信號為方波，GSMON信號為低電平。PAOUT(功率放大幅度控制信號)由Z1(A/D轉換模塊)提供的，在五級功率工作的情況下提供幅度為1.8V左右的方波。GSMON、DCSON信號又由兩個邏輯非三極體Q2712、Q2713提供。其工作又受BSW(波段選擇開關，GSM信道為低電平，DCS信道為高電平)、TXONPA(發射功率控制信號，幅度為2.5V左右方波)信號控制。出現故障常有以下幾種：
A．VD1GSM信號不好，可能Z2501壞；
B．VD23GSM信號不好，可能Z2700壞，常見由Z1提供的PAOUT信號無引起的；
C．GSMON與DCSON信號不能處在各自的工作狀態，可能Q2712、Z2501壞或提供BSW信號的Z502壞；
D．上述信號都好，但功放未放大，可能功放2500壞。
判定功放工作是否正常，可用頻譜儀測TXGSM信號。如滿屏，則說明功放工作正常，問題可能出現在TXGSM信號到天線的電路沿線上，如雙工器MN500，天線開關MN1000(較常見)等。在確定發射沒有問題後，須查接收，用947.4MHz頻段從天線逐步，逐點測試到Z502，檢查接收靈敏度。常見發生故障的元器件有：FL503(接收濾波器)、Z701(接收放大器，一般放大幅度為20dBm左右)。
除上述可能性外，還可能有以下幾方面原因。
A．頻偏。由於13M基準頻率控制一、二本振正常工作，它由CPU過來的AFC（頻率自動控制，正常工作為1.3V左右）控制，如其信號不好，會引起一、二本振頻偏。處理方法：更換13M、MN701、CPU或與13M匹配的電容電阻。
B．基帶故障。由CPU提供SYGCCL、SYGCDT、PUPLO2、經三極體Q703的PGCSTR、經二極體D700的SYNSTR信號給Z502的第47、46、42、45腳，Z1提供IT、ITX、QT、QTX信號給Z502的第9、10、11、12腳，使Z502工作，其信號不好會直接影響Z502工作，CPU與Z1的信號連接有問題也會出現信號問題。
C．軟體故障。軟體運行不正常引起的，解決方法為重測JTAG。
D．H接口虛焊。常見由TXD1、RXD1、RXD2的信號腳虛焊引起的。
E．射頻電壓VCRADIO(2.8V左右高電平)，鎖相環電壓VPLL無。
F．天線接觸不良。
十．不送話
現象：通話時對方聽不到聲音。
分析：
A．麥克風壞或接觸不良。
B．Z1沒有正常工作。由CPU提供給Z1的VCLK(幅度為2V左右的方波)、CLKANA(幅度為4V左右的正弦波)可通過R25、R26測得。當麥克風信號給Z1進行模/數處理時，R2一端的信號，即VMIC(2V左右電平)信號不正常就不能採樣語音信號。主要原因為Z1內部虛焊或壞。
C．麥克風電路少元器件、損壞或斷線。如MICP信號(2.2V左右高電平)與C218斷線，電感L200、L201虛焊，Z1周圍的電容電阻虛焊、損壞等
十一．信號指示燈顯示故障
現象：紅、綠燈顯示不正常。
A．發光二極體CR700壞。
B．發光二極體供電信號LEDYG、LEDR不正常，其正常工作電平為2.5V到0V的跳動電平，分別有Z6的44腳TDI信號經R66，TCLK經R65提供。常見故障為R65、R66虛焊或丟失或PCB板斷線。
十二. 背景燈不亮
圖5-16 背景燈電路圖
現象：按鍵背景燈或顯示背景燈不亮。
分析:
A．發光二極體壞。直接用萬用表的蜂鳴檔正極測VBAT信號，負極測BACKKEY、BACKLCD信號來檢測二極體的好壞。
B．LED供電不正常。LED工作時，BACKKEY、BACKLED為2V左右電平，由三極體T2、T3提供，它們又由Q2控制，Q2第2腳BACKAFFL信號由CPU提供一個低電平。如背景燈不亮，上述幾個元器件都有可能出問題。
C．PCB板斷線。有個別發光二極體不亮可用萬用表測其線路是否斷線。
十三. 翻蓋鍵失靈
分析：出現此故障有以下兩種可能。
A．機殼的翻蓋觸片壞。由於翻蓋觸片是嵌壓在翻蓋腳上，很容易折斷。
B．由CPU提供的FLAP信號壞。
十四. 裝飾鍵失靈
現象：手機右邊的音量調節鍵失靈。
分析：主要由機殼裝飾鍵壞引起的。
A．機殼裝飾鍵壞。
B．CPU提供的R1,R2信號不好,如同按鍵音量鍵失靈一樣,其具體維修方法可看前面的按鍵失靈。
十五. 話機鎖
出現話機鎖時，用戶可自行解鎖。首先按*，然後輸入IMEI號的7—14位，最後按OK鍵就好了。