刻蝕即通過物理或化學的方法去除非光刻膠或硬掩膜覆蓋區域的材料。通常有兩種方法，分別為幹法刻蝕和溼法刻蝕，它們各有優缺點。但對於工藝靈活性、刻蝕精確度和可重複性等方面來說，幹法刻蝕居主導地位。
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/167564.htm對於SOl波導(尤其是矩形單模波導)或者光子晶體的製作來說，由於其波導尺寸極小(波長量級)，在波導壁也具有較多光場分布，這時刻蝕工藝對波導傳輸損耗的影響就相當大了，所以這種小尺寸波導的刻蝕工藝需要嚴格控制其側壁粗糙度，使其儘量光滑，以使其光損耗儘量減小。減小波導側壁粗糙度的具體方法可參考波導損耗一節。
溼法刻蝕雖然能保證波導側壁比較光滑，但其條寬控制較難，尤其是在波長量級的尺寸上。所以這種方法很少採用。
另外，刻蝕工藝對波導寬度的影響也很重要，理由同光刻。