根據物體導電能力(電阻率)的不同，來劃分導體、絕緣體和半導體。導體：容易導電的物體。如：鐵、銅等等；絕緣體：幾乎不導電的物體。如：橡膠等等；半導體：半導體是導電性能介於導體和半導體之間的物體。在一定條件下可導電。半導體的電阻率為10-3～109Ω·cm。典型的半導體有矽Si和鍺Ge以及砷化鎵GaAs等。
導體導電和本徵半導體導電的區別？
導體導電只有一種載流子：自由電子導電
半導體導電有兩種載流子：自由電子和空穴均參與導電
自由電子和空穴成對出現，數目相等，所帶電荷極性不同，故運動方向相反。
本徵半導體的導電性很差，但與環境溫度密切相關。
雜質半導體
（1）N型半導體——摻入五價元素
（2）P型半導體——摻入三價元素
PN結——P型半導體和N型半導體的交界面
在交界面處兩種載流子的濃度差很大；空間電荷區又稱為耗盡層
反向電壓超過一定值時，就會反向擊穿，稱之為反向擊穿電壓
二極體的結構、特性及主要參數
（1）P區引出的電極——陽極；N區引出的電極——陰極
溫度升高時，二極體的正向特性曲線將左移，反向特性曲線下移。二極體的特性對溫度很敏感。
其中，Is為反向電流，Uon為開啟電壓，矽的開啟電壓——0.5V，導通電壓為0.6~0.8V，反向飽和電流<0.1μA，鍺的開啟電壓——0.1V，導通電壓為0.1~0.3V，反向飽和電流幾十μA。
（2）主要參數
最大整流電流I：最大正向平均電流
最高反向工作電流U：允許外加的最大反向電流，通常為擊穿電壓U的一半
反向電流I：二極體未擊穿時的反向電流，其值越小，二極體的單向導電性越好，對溫度越敏感
最高工作頻率f：二極體工作的上限頻率，超過此值二極體不能很好的體現單向導電性