盤點:900多條半導體標準規範

標準號標準名稱SN∕T 3480.4-2016進口電子電工行業成套設備檢驗技術要求 第4部分：半導體封裝測試設備YS∕T 543-2015半導體鍵合用鋁-矽細絲YY∕T 0998-2015半導體升降溫治療設備YS∕T 679-2008非本徵半導體中少數載流子擴散長度的穩態表面光電壓測試方法YY 1289-2016 雷射治療設備 眼科半導體雷射光凝儀YS∕T 1105-2016半導體封裝用鍵合銀絲YDB 025-2008 光通信用半導體雷射器組件技術條件 2.5Gb/s電吸收調製半導體雷射器組件SJ 50597/16-1994 半導體集成電路 JW137、JW137M、JW137L型三端可調負輸出電壓調整器詳細規範SJ 50597/17-1994 半導體集成電路 JT54LS28、JT54LS37、JT54LS38、JT54LS40型LS-TTL緩衝器詳細規範SJ 20957-2006 大功率半導體雷射二級管陣列通用規範JJF 1236-2010 半導體管特性圖示儀校準規範YD/T 2001.1-2009 用於光纖系統的半導體光電子器件 第1部分:基本特性和額定值SJ/T 10250-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路ＣＢ５６５型模擬鎖相環詳細規範SJ/T 10251-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路ＣＢ１４９５型四象限模擬乘法器詳細規範SJ/T 10252-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路ＣＢ７６６０型ＣＭＯＳ電源電壓轉換器詳細規範SJ/T 10254-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路ＣＢ３０１型ＣＭＯＳ模擬開關詳細規範SJ/T 10255-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路ＣＷ１４０３型精密帶隙電壓基準SJ/T 10262-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路ＣＤ７６４０ＧＰ調頻／調幅中頻放大器詳細規範SJ/T 10267-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CF715型高速運算放大器SJ/T 10269-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CF155／CF255／CF355型JFET輸入運算放大器SJ/T 10270-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路ＣＦ３０８０型跨導運算放大器SJ/T 10290-1991 半導體調頻廣播接收機用內附電容式中頻變壓器SJ/T 10334-1993 半導體集成電路音響電路系列和品種SJ/T 10335-1993 半導體集成電路電視機電路系列和品種SJ/T 10416-1993 半導體分立器件晶片總規範SJ/T 10535-1994 半導體器件用鎢舟SJ/T 10739-1996 半導體集成電路 MOS隨機存儲器測試方法的基本原理SJ/T 10746-1996 半導體集成電路新產品定型鑑定的程序規則SJ/T 10783-1996 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CD7176CP伴音中頻放大電路SJ/T 10784-1996 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CD7609CP行、場掃描電路SJ/T 10800-1996 半導體集成接口電路讀出放大器測試方法的基本原理SJ/T 10801-1996 半導體集成接口電路磁芯存儲器驅動器測試方法的基本原理SJ/T 10802-1996 半導體集成接口電路外圍驅動器測試方法的基本原理SJ/T 10803-1996 半導體集成接口電路線電路測試方法的基本原理SJ/T 10805-2000 半導體集成電路 電壓比較器測試方法的基本原理SJ/T 10806-1996 半導體集成接口電路顯示驅動器測試方法的基本原理SJ/T 10808-1996 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CT1000型TTL四2輸入與非門(可供認證用)SJ/T 10809-1996 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CT1002型TTL四2輸入與非門(可供認證用)SJ/T 10810-1996 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CT1004型TTL六反相器(可供認證用)SJ/T 10811-1996 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CT1008型TTL四2輸入與非門(可供認證用)SJ/T 10812-1996 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CT1010型TTL三3輸入與非門(可供認證用)SJ/T 10813-1996 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CT1020型TTL雙4輸入與非門(可供認證用)SJ/T 10814-1996 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CT1027型TTL三3輸入與非門(可供認證用)SJ/T 10815-1996 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CT1030型TTL8輸入與非門(可供認證用)SJ/T 10816-1996 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CT1040型TTL雙4輸入與非緩衝器(可供認證用)SJ/T 10817-1996 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CT1054型TTL4路2－2－2－2輸入與或非門(可供認證用)SJ/T 10818-1996 半導體集成非線性電路數字/模擬轉換器和模擬/數字轉換器測試方法的基本原理LB/T 002-2009"十城萬盞"半導體照明試點示範工程 LED道路照明產品技術規範LB/T 002-2010半導體照明試點示範工程(第二版)SJ/T 10074-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CJ75188型四線驅動器SJ 2002-1981 CS32型N溝道結型場效應半導體對管SJ 2003-1981 CS33型N溝道結型場效應半導體對管SJ 2004-1981 CS34型N溝道結型場效應半導體對管SJ 20183-1992 半導體分立器件3DD6型功率電晶體詳細規範SJ 20280-1993 半導體集成電路JT54LS00、03、04、05、10、12、20、22、30型LS-TTL與非門詳細規範SJ 20286-1993 半導體集成電路JT54LS74、JT54LS112、JT54LS174和JT54LS175型LS-TTL觸發器詳細規範SJ 20287-1993 半導體集成電路JT54LS123型LS-TTL雙可重觸發單穩態觸發器詳細規範SJ 20288-1993 半導體集成電路JT54LS160、161、162、163、190、191、192、193型LS-TTL計數器詳細規範SJ 20290-1993 半導體集成電路JT54LS164、JT54LS166、JT54LS194、JT54LS195型LS-TTL移位寄存器詳細規範SJ 20295-1993 半導體集成電路JT4344型鑑頻／鑑相器詳細規範SJ 20296-1993 半導體集成電路JF2500、JF2520型高轉換速率運算放大器詳細規範SJ 20297-1993 半導體集成電路JW117、JW117M、JW117L型三端可調正輸出穩壓器詳細規範SJ/T 10229-1991 XJ4810半導體管特性圖示儀SJ 50597/32-1995 半導體集成電路JW4805、JW4810、JW4812型三端低壓差固定正輸出電壓調整器詳細規範SJ 20234-1993 HP4145A型半導體參數分析儀檢定規程SJ 50033.139-1998 半導體光電子器件GF4111型綠色發光二極體詳細規範SJ 50033/163-2003 半導體分立器件 3DK457型功率開關電晶體詳細規範SJ 50597/60-2004 半導體集成電路 JW117∕JW150∕JW138 型三端可調正輸出電壓調整器詳細規範SJ 50597/61-2004 半導體集成電路 JW1083∕JW1084∕JW1085∕JW1086 型三端可調正輸出低壓差電壓調整器詳細規範SJ 51420/2-1998半導體集成電路F型陶瓷扁平外殼詳細規範SJ 50597.31-1995 半導體集成電路JC4007型CMOS雙互補對及反相器和JC4048型CMOS8輸入多功能門(可擴展)詳細規範SJ/T 10607-1994 半導體集成電路門陣列設計總則SJ/T 10086-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CT54H183／CT74H183型,雙進位保留全加器SJ/T 11393-2009 半導體光電子器件 功率發光二極體空白詳細規範SJ/T 11394-2009 半導體發光二極體測試方法SJ/T 11395-2009 半導體照明術語SJ/T 11397-2009 半導體發光二極體用螢光粉SJ/T 11398-2009 功率半導體發光二極體晶片技術規範SJ/T 11399-2009 半導體發光二極體晶片測試方法SJ/T 11400-2009 半導體光電子器件 小功率發光二極體空白詳細規範SJ/T 11401-2009 半導體發光二極體產品系列型譜SJ 50033.162-2003 半導體分立器件2CW1022型矽雙向電壓調整二極體SJ 50033.164-2003 半導體分立器件PIN0002型PIN二極體詳細規範SJ 50033.165-2003 半導體分立器件PIN0003型PIN二極體詳細規範SJ 50923.1-1995 A6-02A-M2-Z2和A6-01B-M1-Z1型半導體光耦合器金屬外殼詳細規範SJ 50923.2-1995G2-01B-M1型和G2-01B-Z1型半導體光敏器件金屬外殼詳細規範YD/T 682-1994 通信用半導體整流設備質量分等標準YD/T 701-1993 半導體雷射二極體組件測試方法SJ 1102-1976 反向阻斷型普通半導體閘流管(普通可控整流器)SJ 1487-1979 反向阻斷型高頻半導體閘流管SJ 1488-1979 反向阻斷型高頻半導體閘流管額定高頻通態平均電流IT的測試方法SJ 1619-1980 半導體管電視廣播接收機用中頻變壓器及可調線圈SJ 1794-1981 半導體器件生產用擴散爐通用技術條件SJ 1795-1981 50~1000mA小電流半導體閘流管(暫行)SJ 1974-1981 N溝道結型場效應半導體管 CS1型低頻場效應半導體管SJ 1975-1981N溝道結型場效應半導體管 CS2型低頻場效應半導體管SJ 1976-1981 N溝道結型場效應半導體管 CS3型低頻場效應半導體管SJ 1977-1981 N溝道結型場效應半導體管 CS4型高頻場效應半導體管SJ 1978-1981 N溝道結型場效應半導體管 CS5型高頻場效應半導體管SJ 1979-1981 N溝道結型場效應半導體管 CS6型高頻場效應半導體管SJ 1980-1981 N溝道結型場效應半導體管 CS7型高頻場效應半導體管SJ 1981-1981 N溝道結型場效應半導體管 CS8型高頻場效應半導體管SJ 1982-1981 N溝道結型場效應半導體管 CS9型高頻場效應半導體管SJ 1983-1981 N溝道結型場效應半導體管 CS10型低頻低噪聲場效應半導體管SJ 1984-1981 N溝道結型場效應半導體管 CS11型低頻低噪聲場效應半導體管SJ 1985-1981 N溝道結型場效應半導體管 CS12型低頻低噪聲場效應半導體管SJ 1986-1981 N溝道結型場效應半導體管 CS13型低頻低噪聲場效應半導體管SJ 1987-1981 N溝道結型場效應半導體管 CS14型低頻低噪聲場效應半導體管SJ 1988-1981 N溝道結型場效應半導體管 CS15型低頻低噪聲場效應半導體管SJ 1989-1981 N溝道結型場效應半導體對管 CS19型低頻低噪聲場效應半導體對管SJ 1990-1981 N溝道結型場效應半導體對管 CS20型低頻低噪聲場效應半導體對管SJ 1991-1981 N溝道結型場效應半導體對管 CS21型低頻低噪聲場效應半導體對管SJ 1992-1981 N溝道結型場效應半導體對管 CS22型低頻低噪聲場效應半導體對管SJ 1993-1981 N溝道結型場效應半導體對管 CS23型低頻低噪聲場效應半導體對管SJ 1994-1981 N溝道結型場效應半導體對管 CS24型低頻低噪聲場效應半導體對管SJ 1995-1981 N溝道結型場效應半導體對管 CS25型低頻低噪聲場效應半導體對管SJ 1996-1981 N溝道結型場效應半導體對管 CS26型低頻低噪聲場效應半導體對管SJ 1997-1981 N溝道結型場效應半導體對管 CS27型低頻低噪聲場效應半導體對管SJ 1998-1981 N溝道結型場效應半導體對管 CS28型低頻低噪聲場效應半導體對管SJ 1999-1981 N溝道結型場效應半導體對管 CS29型低頻低噪聲場效應半導體對管JJG 363-1984 半導體點溫計檢定規程JB/T 10097-2000 電力半導體器件和管殼JB/T 10096-2000 電力半導體器件管殼結構及選用導則JB/T 9687.1-1999 電力半導體器件用鉬圓片JB/T 9684-2000 電力半導體器件用散熱器選用導則JB/T 9644-1999 半導體電氣傳動用電抗器JB/T 8757-1998 電力半導體器件用熱管散熱器JB/T 8736-1998 電力半導體模塊用氮化鋁陶瓷基片JB/T 8175-1999 電力半導體器件用型材散熱體外形尺寸JB/T 7622-1994 電力半導體器件工藝用有機矽漆JB/T 7621-1994 電力半導體器件工藝用高純水JB/T 7064-1993 半導體逆變器通用技術條件JB/T 7063-1993 電力半導體器件額定電壓和電流JB/T 7062-1993 半導體變流器聯結的標誌代號JB/T 7061-1993 電力半導體器件用矽圓片JB/T 7059-1993 電力半導體模塊標準編寫導則JB/T 6307.5-1994 電力半導體模塊測試方法 雙極型電晶體單相橋和三相橋JB/T 6307.4-1992 電力半導體模塊測試方法 雙極型電晶體臂和臂對JB/T 6307.3-1992 電力半導體模塊測試方法 整流管三相橋JB/T 6307.2-1992 電力半導體模塊測試方法 整流管單相橋JB/T 6307.1-1992 電力半導體模塊測試方法 整流管臂對JB/T 6306-1992 電力半導體模塊 外形尺寸JB/T 5844-1991 電力半導體器件 參數符號JB/T 5843-1991 電力半導體器件用接插件JB/T 5842-1991 電力半導體器件用管芯定位環JB/T 5835-1991 電力半導體器件用門極組合件JB/T 5781-1991 電力半導體器件用型材散熱器 技術條件JB/T 4277-1996 電力半導體器件包裝SJ 20011-1992 半導體分立器件GP、GT和GCT級CS1型矽N溝道耗盡型場效應電晶體詳細規範SJ 20012-1992 半導體分立器件GP、GT和GCT級CS4型矽N溝道耗盡型場效應電晶體詳細規範SJ 20013-1992 半導體分立器件GP、GT和GCT級CS10型矽N溝道耗盡型場效應電晶體詳細規範SJ 20014-1992 半導體分立器件GP、GT和GCT級3CG110型PNP矽小功率電晶體詳細規範SJ 20015-1992 半導體分立器件GP、GT和GCT級3DG130型NPN矽高頻小功率電晶體詳細規範SJ 20016-1992 半導體分立器件GP、GT和GCT級3DG182型NPN矽小功率高反壓電晶體詳細規範SJ 20025-1992 金屬氧化物半導體氣敏元件總規範SJ 20026-1992 金屬氧化物半導體氣敏元件測試方法SJ 20054-1992 半導體分立器件 3DK101型NPN矽小功率開關電晶體詳細規範SJ 20055-1992 半導體分立器件 3DK102型NPN矽小功率開關電晶體詳細規範SJ 20056-1992 半導體分立器件3DK103型NPN矽小功率開關電晶體詳細規範SJ 20057-1992 半導體分立器件 3DK104型NPN矽小功率開關電晶體詳細規範SJ 20058-1992 半導體分立器件 3DK105型NPN矽小功率開關電晶體詳細規範SJ 20059-1992 半導體分立器件 3DG111型NPN矽高頻小功率電晶體詳細規範SJ 20060-1992 半導體分立器件 3DG120型NPN矽高頻小功率電晶體詳細規範SJ 20061-1992 半導體分立器件CS146型矽N溝道耗盡型場效應電晶體詳細規範SJ 20062-1992 半導體分立器件3DG210型NPN矽超高頻低噪聲差分對電晶體詳細規範SJ 20065-1992 半導體分立器件QL72型矽三相橋式整流器詳細規範SJ 20066-1992 半導體分立器件 2CL3型矽高壓整流堆詳細規範SJ 20067-1992 半導體分立器件2CZ30型矽整流二極體詳細規範SJ 20068-1992 半導體分立器件 2DW14-18型低噪聲矽電壓基準二極體詳細規範SJ 20069-1992 半導體分立器件2CK76型矽開關二極體詳細規範SJ 20070-1992 半導體分立器件 2CK105型矽開關二極體詳細規範SJ 20071-1992 半導體分立器件 2CK4148型矽開關二極體詳細規範SJ 20072-1992 半導體分立器件GH24、GH25和GH26型半導體光耦合器詳細規範SJ 20073-1992 半導體集成電路Jμ8254型可編程定時計數器詳細規範SJ 20074-1992 半導體集成電路Jμ8255A型可編程外設接口詳細規範SJ 20075-1992 半導體集成電路Jμ8259A型可編程中斷控制器詳細規範SJ 20076-1992 半導體集成電路Jμ82288型總線控制器詳細規範SJ 20079-1992 金屬氧化物半導體氣敏元件試驗方法SJ 20157-1992 半導體集成電路JT54LS32和JT54LS86型LS-TTL或門詳細規範SJ 20158-1992 半導體集成電路JT54S151、JT54S153和JT54S157型S-TTL 數據選擇器詳細規範SJ 20159-1992 半導體集成電路JT54LS155和JT54LS156型LS-TTL 解碼器詳細規範SJ 20160-1992 半導體集成電路JT54S194和JT54S195型S-TTL移位寄存器詳細規範SJ 20161-1992 半導體集成電路JT54LS273(373、374和377)型LS-TTL可級聯觸發器詳細規範SJ 20162-1992 半導體集成電路JT54LS283型LS-TTL四位二進位超前進位全加器詳細規範SJ 20163-1992 半導體集成電路Jμ8086型微處理器詳細規範SJ 20168-1992 半導體分立器件3DK12型功率開關電晶體詳細規範SJ 20169-1992 半導體分立器件3DK36型功率開關電晶體詳細規範SJ 20170-1992 半導體分立器件3DK37型功率開關電晶體詳細規範SJ 20171-1992 半導體分立器件3DK51型功率開關電晶體詳細規範SJ 20172-1992 半導體分立器件3DK38型功率開關電晶體詳細規範SJ 20174-1992 半導體分立器件3DK2221(2221A、2222、2222A)型NPN矽小功率開關電晶體詳細規範SJ 20175-1992 半導體分立器件3DG918型NPN矽超高頻小功率電晶體詳細規範SJ 20176-1992 半導體分立器件3DG3439型和3DG3440型NPN矽小功率高反壓電晶體詳細規範SJ 20177-1992 半導體分立器件3CK3634～3CK3637型PNP矽小功率開關電晶體詳細規範SJ 20178-1992 半導體分立器件3CK38型功率開關電晶體詳細規範SJ 20179-1992 半導體分立器件3CT103型反向阻斷閘流電晶體詳細規範SJ 20181-1992 半導體分立器件3CT107型反向阻斷閘流電晶體詳細規範SJ 20184-1992 半導體分立器件CS3821、3822、2823型場效應電晶體詳細規範SJ 20185-1992 半導體分立器件2DW232～236型矽電壓基準二極體詳細規範SJ 20186-1992 半導體分立器件 2CW2970~3015型矽電壓二極體詳細規範SJ 20187-1992 半導體分立器件2CZ5550～5554型矽整流二極體詳細規範SJ 20188-1992 半導體分立器件2CW3016～3051型電壓調整二極體詳細規範SJ 20233-1993 IMPACT-Ⅱ型半導體分立器件測試系統檢定規程SJ 20236-1993 GH2050／51型半導體管特性圖示儀校準儀檢定規程SJ 20274-1993 半導體分立器件2CK84型矽開關二極體詳細規範SJ 20277-1993 半導體集成電路JC4001、JC4002型CMOS或非門詳細規範SJ 20278-1993 半導體集成電路JC4014、JC4015和JC4021型CMOS移位寄存器詳細規範SJ 20279-1993 半導體集成電路JT54LS08、JT54LS09、JT54LS11、JT54LS15、JT54LS21型LS-TTL與門詳細規範SJ 20281-1993 半導體集成電路JT54LS13、JT54LS14和JT54LS132型LS-TTL與非門詳細規範SJ 20282-1993 半導體集成電路JT54LS02、JT54LS27和JT54LS266型LS-TTL或非門詳細規範SJ 20283-1993 半導體集成電路JT54LS125和JT54LS126型LS-TTL四緩衝器(3S)詳細規範SJ 20284-1993 半導體集成電路JT54LS240、JT54LS241和JT54LS244型LS-TTL八緩衝器(3S)詳細規範SJ 20285-1993 半導體集成電路JT54LS42、JT54LS138和JT54LS139型LS-TTL解碼器詳細規範SJ 20289-1993 半導體集成電路JT54LS390、JT54LS393、JT54LS490型LS-TTL計數器詳細規範SJ 20291-1993 半導體集成電路JT54LS279、JT54LS375型LS-TTL鎖存器詳細規範SJ 20292-1993 半導體集成電路JT54LS151、153、157、158、251、253、257型LS-TTL數據選擇器詳細規範SJ 20293-1993 半導體集成電路JT54LS243、JT54LS245型LS-TTL雙向總線發送器／接收器(3S)詳細規範SJ 20294-1993 半導體集成電路JW1524、1525、1525A、1526、1527、1527A型脈寬調製器詳細規範SJ 20298-1993 半導體集成電路JB555、JB556型時基電路詳細規範SJ 20299-1993 半導體集成電路JF147型JFET輸入運算放大器詳細規範SJ 20300-1993 半導體集成電路JF155、156、157、155A、156A、157A型JFET輸入運算放大器詳細規範SJ 20301-1993 半導體集成電路JF158、JF158A型雙運算放大器詳細規範SJ 20302-1993 半導體集成電路JW1930-12、JW1930-15、JW1932-5型三端低壓差固定正輸出穩壓器詳細規範SJ 20303-1993 半導體集成電路JFOP07、07A、27A、37A、JF714型低失調運算放大器詳細規範SJ 20304-1993 半導體集成電路JW79(M)05、06、09、12、15、18、24三端固定負輸出穩壓器詳細規範SJ 20305-1993 半導體集成電路JW723型多端可調精密穩壓器詳細規範SJ 20306-1993 半導體分立器件FH181A型NPN矽功率達林頓電晶體詳細規範SJ 20307-1993 半導體分立器件FH646型NPN矽功率達林頓電晶體詳細規範SJ 20308-1993 半導體分立器件FH1025型NPN矽功率達林頓電晶體詳細規範SJ 20309-1993 半導體分立器件3DK10型功率開關電晶體詳細規範SJ 20310-1993 半導體分立器件3DD101型功率電晶體詳細規範SJ 20642-1997 半導體光電模塊總規範SJ 20642.1-1998 半導體光電模塊GD81型PIN-FET光接收模塊詳細規範SJ 20642.2-1998 半導體光電模塊GD82型PIN-FET光接收模塊詳細規範SJ 20642.4-1998 半導體光電模塊GH81型光耦合器詳細規範SJ 20642.5-1998 半導體光電模塊GH82型光耦合器詳細規範SJ 20642.6-1998 半導體光電模塊GH83型光耦合器詳細規範SJ 20644.1-2001 半導體光電子器件GD3550Y型PIN光電二極體詳細規範SJ 20644.2-2001 半導體光電子器件GD101型PIN光電二極體詳細規範SJ 20756-1999 半導體分立器件結構相似性應用指南SJ 20758-1999 半導體集成電路 CMOS門陣列器件規SJ 20786-2000 半導體光電組件總規範SJ 20787-2000 半導體橋式整流器熱阻測試方法SJ 20788-2000 半導體二極體熱阻抗測試方法SJ 50033.1-1994 半導體分立器件.3DA150型高頻功率電晶體詳細規範SJ 50033.3-1994 半導體分立器件.GP、GT和GCT級GH21、GH22和GH23型半導體光耦合器詳細規範SJ 50033.4-1994 半導體分立器件.GP和GT級GF 111型半導體紅色發光二極體詳細規範SJ 50033.5-1994 半導體分立器件.GP和GT級GF 311型半導體黃色發光二極體詳細規範SJ 50033.6-1994 半導體分立器件.GP和GT級GF 411型半導體綠色發光二極體詳細規範SJ 50033.8-1994 半導體分立器件.3DK205型功率開關電晶體詳細規範SJ 50033.9-1994 半導體分立器件.3DK206型功率開關電晶體詳細規範SJ 50033.10-1994 半導體分立器件.3DK207型功率開關電晶體詳細規範SJ 50033.11-1994 半導體分立器件.3DK208型功率開關電晶體詳細規範SJ 50033.12-1994 半導體分立器件.3DK209型功率開關電晶體詳細規範SJ 50033.13-1994 半導體分立器件.3DK210型功率開關電晶體詳細規範SJ 50033.14-1994 半導體分立器件.3DK305型功率開關電晶體詳細規範SJ 50033.15-1994 半導體分立器件.3DK306型功率開關電晶體詳細規範SJ 50033.16-1994 半導體分立器件.3DK307型功率開關電晶體詳細規範SJ 50033.17-1994 半導體分立器件.3DK308型功率開關電晶體詳細規範SJ 50033.18-1994 半導體分立器件.2CZ73型矽開關整流二極體詳細規範SJ 50033.19-1994 半導體分立器件.2CZ74型矽開關整流二極體詳細規範SJ 50033.20-1994 半導體分立器件.2CZ101型矽開關整流二極體詳細規範SJ 50033.21-1994 半導體分立器件2CZ75型矽開關整流二極體詳細規範SJ 50033.22-1994 半導體分立器件2CC51E型矽電調變容二極體詳細規範SJ 50033.24-1994 半導體分立器件3DK310型功率開關電晶體詳細規範SJ 50033.25-1994 半導體分立器件2CW1001～2CW1005型矽電壓調整二極體詳細規範SJ 50033.26-1994 半導體分立器件2CW1006～2CW1015型矽電壓調整二極體詳細規範SJ 50033.27-1994 半導體分立器件2EC600系列砷化鎵變容二極體詳細規範SJ 50033.28-1994 半導體分立器件2CV334、2CV3338型微帶混頻二極體詳細規範SJ 50033.29-1994 半導體分立器件EK20型砷化鎵高速開關組件詳細規範SJ 50033.30-1994 半導體分立器件.3DD155型功率電晶體詳細規範SJ 50033.31-1994 半導體分立器件.FH101型NPN矽功率達林頓電晶體詳細規範SJ 50033.32-1994 半導體分立器件.3DK312型功率開關電晶體詳細規範SJ 50033.33-1994 半導體分立器件.F1121型NPN矽功率達林頓電晶體詳細規範SJ 50033.34-1994 半導體分立器件.F1129型NPN矽功率達林頓電晶體詳細規範SJ 50033.35-1994 GH30型半導體高速光耦合器詳細規範SJ 50033.36-1994 半導體分立器件.3CD050型功率電晶體詳細規範SJ 50033.37-1994 半導體分立器件.3DD164型功率電晶體詳細規範SJ 50033.38-1994 半導體分立器件.CS4856～CS4861型矽N溝道耗盡型場效應電晶體詳細規範SJ 50033.39-1994 半導體分立器件.2CZ106型矽開關整流二極體詳細規範SJ 50033.40-1994 GT11型半導體矽NPN光敏電晶體詳細規範SJ 50033.41-1994 GR9414型半導體紅外發射二極體詳細規範SJ 50033.42-1994 半導體分立器件.CSO467型砷化鎵微波場效應電晶體詳細規範SJ 50033.43-1994 半導體分立器件.2CZ104型矽開關整流二極體詳細規範SJ 50033.44-1994 半導體分立器件2CZ105型矽開關整流二極體詳細規範SJ 50033.45-1994 半導體分立器件2CZ58型矽整流二極體詳細規範SJ 50033.46-1994 半導體分立器件.2CZ59型矽整流二極體詳細規範SJ 50033.47-1994 半導體分立器件.2CZ117型矽整流二極體詳細規範SJ 50033.48-1994 半導體分立器件.2DV8CP型矽微波檢波二極體詳細規範SJ 50033.49-1994 半導體分立器件.2CJ4220系列階躍二極體詳細規範SJ 50033.50-1994 半導體分立器件QL73型矽三相橋式整流器詳細規範SJ 50033.51-1994 半導體分立器件CS0558型砷化鎵微波雙柵場效應電晶體詳細規範SJ 50033.52-1994 半導體分立器件.CS0529型砷化鎵微波功率場效應電晶體詳細規範SJ 50033.53-1994 半導體分立器件.CS0530、CS0531型砷化鎵微波功率場效應電晶體詳細規範SJ 50033.54-1994 半導體分立器件.CS0532型砷化鎵微波功率場效應電晶體詳細規範SJ 50033.55-1994 半導體分立器件.2CK82型矽開關二極體詳細規範SJ 50033.56-1994 半導體分立器件.2CK85型矽開關二極體詳細規範SJ 50033.57-1995 半導體光電子器件GF115型紅色發光二極體詳細規範SJ 50033.58-1995 半導體光電子器件GF413型綠色發光二極體詳細規範SJ 50033.59-1995 半導體分立器件3DK39型功率開關電晶體詳細規範SJ 50033.60-1995 半導體分立器件3DK40型功率開關電晶體詳細規範SJ 50033.61-1995 半導體分立器件3DK6547型高壓功率開關電晶體詳細規範SJ 50033.62-1995 半導體分立器件.3DK406型高壓功率開關電晶體詳細規範SJ 50033.63-1995 半導體分立器件.3CD020型低頻大功率電晶體詳細規範SJ 50033.64-1995 半導體分立器件.3CD010型低頻大功率電晶體詳細規範SJ 50033.65-1995 半導體分立器件.3DD175型低頻大功率電晶體詳細規範SJ 50033.66-1995 半導體分立器件.3DD880型低頻大功率電晶體詳細規範SJ 50033.67-1995 半導體分立器件.3DD103型高壓低頻大功率電晶體詳細規範SJ 50033.68-1995 半導體分立器件.BT51型NPN矽小功率差分對電晶體詳細規範SJ 50033.69-1995 半導體分立器件.PIN30系列PIN二極體詳細規範SJ 50033.70-1995 半導體分立器件.PIN35系列PIN二極體詳細規範SJ 50033.71-1995 半導體分立器件.PIN342型PIN二極體詳細規範SJ 50033.72-1995 半導體分立器件.PIN323型PIN二極體詳細規範SJ 50033.73-1995 半導體分立器件.QL74型矽單相橋式整流器詳細規範SJ 50033.74-1995 半導體分立器件.3DA325型矽微波功率電晶體詳細規範SJ 50033.75-1995 半導體分立器件.3DG135型矽超高頻小功率電晶體詳細規範SJ 50033.76-1995 半導體分立器件.3DG218型矽微波低噪聲電晶體詳細規範SJ 50033.77-1995 半導體分立器件.3DA331矽微波功率電晶體詳細規範SJ 50033.78-1995 半導體分立器件.CS0464型砷化鎵微波場效應電晶體詳細規範SJ 50033.79-1995 半導體分立器件.CS0536型砷化鎵微波功率場效應電晶體詳細規範SJ 50033.80-1995 半導體分立器件.CS0513型砷化鎵微波功率場效應電晶體詳細規範SJ 50033.81-1995 半導體分立器件.CS0524型砷化鎵微波功率場效應電晶體詳細規範SJ 50033.82-1995 半導體分立器件.3DK100型NPN矽小功率開關電晶體詳細規範SJ 50033.83-1995 半導體分立器件.CS139型矽P溝道MOS增強型場效應電晶體詳細規範SJ 50033.84-1995 半導體分立器件.CS140型矽N溝道MOS耗盡型場效應電晶體.詳細規範SJ 50033.85-1995 半導體分立器件.CS141型矽N溝道MOS耗盡型場效應電晶體詳細規範SJ 50033.86-1995 半導體分立器件.CS5114～CS5116型矽P溝道耗盡型場效應電晶體詳細規範SJ 50033.87-1995 半導體分立器件.CS4091～CS4093型矽N溝道耗盡型場效應電晶體詳細規範SJ 50033.88-1995 半導體分立器件.CS6760和CS6762型矽N溝道增強型場效應電晶體詳細規範SJ 50033.89-1995 半導體分立器件.CS6768和CS6770型矽N溝道增強型場效應電晶體詳細規範SJ 50033.90-1995 半導體分立器件.3DK106型NPN矽小功率開關電晶體詳細規範SJ 50033.91-1995 半導體分立器件 3CD030型低頻大功率電晶體詳細規範SJ 50033.92-1995 半導體分立器件 3CD100型低頻大功率電晶體詳細規範SJ 50033.93-1995 半導體分立器件3DG142型NPN矽高頻低噪聲小功率電晶體詳細規範SJ 50033.94-1995 半導體分立器件3DG143型NPN矽高頻低噪聲小功率電晶體詳細規範SJ 50033.95-1995 半導體分立器件3DG144型NPN矽高頻低噪聲小功率電晶體詳細規範SJ 50033.96-1995 半導體分立器件3DG216型NPN矽小功率差分對電晶體詳細規範SJ 50033.97-1995 半導體分立器件2CJ4011、2CJ4012、2CJ4021、2CJ4022型階躍恢復二極體詳細規範SJ 50033.98-1995 半導體分立器件2CJ4211、2CJ4212型階躍恢復二極體詳細規範SJ 50033.99-1995 半導體光電子器件GF511型橙／綠雙色發光二極體詳細規範SJ 50033.100-1995 半導體分立器件2CJ60型階躍恢復二極體詳細規範SJ 50033.101-1995 GJ1325型半導體雷射二極體組件詳細規範SJ 50033.103-1996 半導體分立器件.3DA89型高頻功率電晶體詳細規範SJ 50033.104-1996 半導體分立器件3DK002型功率開關電晶體詳細規範SJ 50033.105-1996 半導體分立器件3DK404型功率開關電晶體詳細規範SJ 50033.106-1996 半導體分立器件CS203型砷化鎵微波低噪聲場效應電晶體詳細規範SJ 50033.107-1996 半導體分立器件2EY621、2EY622、2EY623型體效應二極體詳細規範SJ 50033.108-1996 半導體分立器件2EY5671、2EY5672型體效應二極體詳細規範SJ 50033.109-1996 半導體光電子器件GJ9031T、GJ9032T和GJ9034T型半導體雷射二極體詳細規範SJ 50033.110-1996 半導體光電子器件GR9413型紅外發射二極體詳細規範SJ 50033.111-1996 半導體光電子器件GT16型矽NPN光電電晶體詳細規範SJ 50033.112-1996 半導體光電子器件GD3251Y型光電二極體詳細規範SJ 50033.113-1996 半導體光電子器件GD3252Y型光電二極體詳細規範SJ 50033.114-1996 半導體光電子器件GD3283Y型位敏探測器詳細規範SJ 50033.116-1997 半導體分立器件2CK29型矽大電流開關二極體詳細規範SJ 50033.117-1997 半導體分立器件2CK38型矽大電流開關二極體詳細規範SJ 50033.118-1997 半導體分立器件2EK31型砷化鉀開關二極體詳細規範SJ 50033.119-1997 半導體分立器件CS204型砷化鉀微波功率場效應電晶體詳細規範SJ 50033.120-1997 半導體分立器件CS205型砷化鉀微波功率場效應電晶體詳細規範SJ 50033.121-1997 半導體分立器件CS3458～CS3460型矽N溝道結型場效應電晶體詳細規範SJ 50033.122-1997 半導體分立器件CS3684～CS3687型矽N溝道結型場效應電晶體詳細規範SJ 50033.123-1997 半導體分立器件PIN62317型矽PIN大功率二極體詳細規範SJ 50033.124-1997 半導體分立器件PIN101～105型矽PIN大功率二極體詳細規範SJ 50033.125-1997 半導體分立器件PIN11～15型矽PIN二極體詳細規範SJ 50033.126-1997 半導體分立器件2DK13型矽肖特基開關整流二極體詳細規範SJ 50033.127-1997 半導體分立器件2DK14型矽肖特基開關整流二極體詳細規範SJ 50033.128-1997 半導體分立器件2DK15型矽肖特基開關整流二極體詳細規範SJ 50033.129-1997 半導體分立器件3DD155型低頻大功率電晶體詳細規範SJ 50033.130-1997 半導體分立器件3DD159型低頻大功率電晶體詳細規範SJ 50033.131-1997 半導體分立器件3DD157型低頻大功率電晶體詳細規範SJ 50033.132-1997 半導體分立器件3DD260型低頻大功率電晶體詳細規範SJ 50033.133-1997 半導體分立器件SY5629～5665A型瞬態電壓抑制二極體詳細規範SJ 50033.134-1997 半導體分立器件3DD167型低頻大功率電晶體詳細規範SJ 50033.136-1997 半導體光電子器件GF116型紅色發光二極體詳細規範SJ 50033.137-1997 半導體光電子器件GF216型橙色發光二極體詳細規範SJ 50033.138-1998 半導體光電子器件GF318型黃色發光二極體詳細規範SJ 50033.140-1999 半導體分立器件3DA502型矽微波脈衝功率電晶體詳細規範SJ 50033.141-1999 半導體分立器件2EK150型砷化鎵高速開關二極體詳細規範SJ 50033.142-1999 半導體光電子器件GF4112型綠色發光二極體詳細規範SJ 50033.143-1999 半導體光電子器件GF1120型紅色發光二極體詳細規範SJ 50033.144-1999 半導體分立器件2CW50～78型玻璃鈍化封裝矽電壓調整二極體詳細規範SJ 50033.145-2000 半導體分立器件3DA503型矽微波脈衝功率電晶體詳細規範SJ 50033.146-2000 半導體分立器件3DA601型C波段矽雙極型功率電晶體詳細規範SJ 50033.147-2000 半導體光電子器件GF1121型LED指示燈詳細規範SJ 50033.148-2000 半導體分立器件3DK35B～F功率開關電晶體詳細規範SJ 50033.149-2000 半導體分立器件2CW100～121型玻璃鈍化封裝矽電壓調整二極體詳細規範SJ 50033.150-2002 半導體分立器件2DW230-236型矽電壓基準二極體詳細規範SJ 50033.151-2002 半導體分立器件 2DW14～18型低噪聲矽電壓基準二極體詳細規範SJ 50033.152-2002 半導體分立器件 2CKI40型微波開關二極體詳細規範SJ 50033.153-2002 半導體分立器件 2CK141型微波開關二極體詳細規範SJ 50033.154-2002 半導體分立器件 3DG251型矽超高頻低噪聲電晶體詳細規範SJ 50033.155-2002 半導體分立器件 3DG252型矽微波線性電晶體詳細規範SJ 50033.156-2002 半導體分立器件 3DA505型矽微波脈衝功率電晶體詳細規範SJ 50033.157-2002 半導體分立器件 3DA506型矽微波脈衝功率電晶體詳細規範SJ 50033.159-2002 半導體分立器件 3DG142型矽超高頻低噪聲電晶體詳細規範SJ 50033.160-2002 半導體分立器件 3DG122型矽超高頻小功率電晶體詳細規範SJ 50033.161-2002 半導體分立器件2CW210～251型矽電壓調整二極體詳細規範SJ 50597.1-1994 半導體集成電路JT54LS85型LS-TTL四位數比較器詳細規範SJ 50597.2-1994 半導體集成電路JH2014型HTL觸發器詳細規範SJ 50597.3-1994 半導體集成電路JH009,JH2010型HTL與非門詳細規範SJ 50597.5-1994 半導體集成電路JF725、JF725A型高精度運算放大器詳細規範SJ 50597.6-1994 半導體集成電路JC4049.JC4050型CMOS緩衝器電平轉換器詳細規範SJ 50597.7-1994 半導體集成電路JT54S74和JT54S175型S-TTL觸發器詳細規範SJ 50597.8-1994半導體集成電路Jμ80286-6、Jμ80286-8、Jμ80286-10型微處理器詳細規範SJ 50597.9-1994 半導體集成電路Jμ80287-6、Jμ80287-8、Jμ80287-10型協處理器詳細規範SJ 50597.10-1994 半導體集成電路Jμ82258-6、Jμ82258-8型DMA控制器詳細規範SJ 50597.11-1994 半導體集成電路Jμ82289型總線仲裁器詳細規範SJ 50597.12-1994 半導體集成電路Jμ320C25-40、Jμ320C25-50型數位訊號處理器詳細規範SJ 50597.15-1994 半導體集成電路.JT54LS247型LS-TTL電路BCD-七段解碼器 驅動器詳細規範SJ 50597.18-1994 半導體集成電路.JT54LS33型LS-TTL四2輸入或非門(OC)詳細規範SJ 50597.19-1994 半導體集成電路.JT54LS136型LS-TTL四異或門(OC)詳細規範SJ 50597.20-1994 半導體集成電路.JDAC08、JDAC08A型乘法並行8位D A轉換器詳細規範SJ 50597.21-1994 半導體集成電路.JADC1001型通用8位二進位輸出A D轉換器詳細規範SJ 50597.22-1994 半導體集成電路.JF709、JF709A型通用運算放大器詳細規範SJ 50597.23-1994 半導體集成電路.JJ710型電壓比較器詳細規範SJ 50597.24-1994 半導體集成電路.JF3140、JF3140A型BiMOS高輸入阻抗運算放大器詳細規範SJ 50597.25-1994 半導體集成電路.JF7650型CMOS高精度運算放大器詳細規範SJ 50597.26-1994 半導體集成電路.JF14573型CMOS四程控運算放大器詳細規範SJ 50597.27-1994 半導體集成電路.JC4067型CMOS16選1模擬開關詳細規範SJ 50597.28-1994 半導體集成電路.JC4504型CMOS六TTL CMOS-CMOS電平轉換器詳細規範SJ 50597.29-1994 半導體集成電路.JC4585型CMOS4位數值比較器詳細規範SJ 50597.30-1995 半導體集成電路.JC40106型CMOS反相器(有斯密特觸發器)詳細規範SJ 50597.33-1995 半導體集成電路.JB200型CMOS雙路單刀單擲模擬開關詳細規範SJ 50597.34-1995 半導體集成電路.JC4085、JC4086、JC4070、JC4077型CMOS門電路詳細規範SJ 50597.35-1995 半導體集成電路.JC4520型CMOS雙4位二進位同步計數器詳細規範SJ 50597.37-1995 半導體集成電路.JSCI45152型CMOS並行輸入鎖相環頻率合成器詳細規範SJ 50597.38-1995 半導體集成電路.JM2148H型NMOS 1024×4位靜態隨機存取存儲器詳細規範SJ 50597.39-1996 半導體集成電路JC54HC221型HCMOS雙單穩態觸發器(斯密特觸發輸入)詳細規範SJ 50597.40-1996 半導體集成電路JC54HC75、JC54HC259、JC54HC373、JC54HC533和JC54HC573型HCMOS鎖存器詳細規範SJ 50597.41-1996 半導體集成電路.JE10531型ECL雙D主從觸發器詳細規範SJ 50597.43-1997 半導體集成電路JF36型低噪聲寬帶放大器詳細規範SJ 50597.44-1997 半導體集成電路JB42型數據機詳細規範SJ 50597.45-1997 半導體集成電路JJ55107、JJ55108、JJ55113、JJ55114、JJ55115線接收器／驅動器詳細規範SJ 50597.50-1997 半導體集成電路JT54F74型FTTL雙上升沿D觸發器詳細規範SJ 50597.51-1999 半導體集成電路 JW1846／JW1847型電流型脈衝寬度調製控制器詳細規範SJ 50597.52-2000 半導體集成電路 JB537型電壓頻率轉換器詳細規範SJ 50597.53-2000 半導體集成電路 JB3081、JB3082型電晶體陣列詳細規範SJ 50597.54-2002 半導體集成電路JW431精密可調電壓基準源詳細規範SJ 50597.55-2002 半導體集成電路JSC320C25型數位訊號處理器詳細規範SJ 50597.56-2002 半導體集成電路JW920型PIN驅動器詳細規範SJ 50597.57-2003 半導體集成電路JW584／JW584A型可編程電壓基準詳細規範SJ 50597.58-2003 半導體集成電路JB726型限幅放大鑑頻器詳細規範SJ 50597.59-2003 半導體集成電路JB523型寬帶對數放大器詳細規範SJ 51420.3-2003 半導體集成電路陶瓷針柵陣列外殼詳細規範SJ/T 10037-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路(Cu402型4位微處理器SJ/T 10038-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CC4008型CMPS4位二進位超前進合加器SJ/T 10039-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CC4028型CMOS4線-10線解碼器(BCD輸入)SJ/T 10040-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CC4019型 CMOS 四2選1數據選擇器SJ/T 10041-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CC4014型 CMOS 8位移位寄存器SJ/T 10042-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CT54LS00／CT74LS00型,四2輸入與非門SJ/T 10043-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CT54LS112／CT742S112型雙丁降沿J-K觸發器SJ/T 10044-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CT54LS273／CT74LS283型4位二進位超前進位全加器SJ/T 10045-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CT54LS138／CT742S138型3線-8線解碼器SJ/T 10048-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CT54LS158／CT74LS169型4位二進位同步加／減計數器SJ/T 10068-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CH2005型雙寸降沿J-K觸發器SJ/T 10069-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CH2019型4線-10線解碼器口(BCD輸入)SJ/T 10070-1991 電子元器詳細規範 半導體集成電路CH2021型4位二進位同步加／減計數器 (雙時鐘)SJ/T 10072-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CE8602型500MHz÷2分頻器SJ/T 10073-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CW7915型三端負穩壓器(可供認證用)SJ/T 10075-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CJ75361型雙TTL-MOS驅動器SJ/T 10076-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CJ710型電壓比較器SJ/T 10077-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CJ75491型MOS-LED顯示驅動器SJ/T 10078-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CT54107／CT74107型雙主從J-K觸發器 (有清除端)SJ/T 10079-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CT54182／CT74182型超前進位產生器SJ/T 10080-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電器CT5442／CT7442型4線-10線解碼器 (BCD輸入)SJ/T 10081-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CT54153／CT74153型雙4選1數據選擇器SJ/T 10082-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CT54195／CT74195型4位移位寄存器 (並行存取,J-K輸入)SJ/T 10083-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路,CT54161／CT74161型4 位二進位同步計數器(異步清除)SJ/T 10085-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CT54H74／CT74H74型雙上升沿D觸發器 (有預置端,清除端)SJ/T 10139-1991 半導體調頻廣播接收機用中頻變壓器SJ/T 10149-1991 電子元器件圖形庫 半導體分立器件圖形SJ/T 10175-1991 半導體集成電路多層陶瓷雙列直插外殼詳細規範SJ/T 10176-1991 半導體集成電路金屬菱形外殼詳細規範SJ/T 10253-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CC4046型CMOS數字鎖相環詳細規範SJ/T 10257-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CD3220CP型帶 ALC雙前置放大器SJ/T 10258-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CD1405CP型五點LED電平顯示驅動器SJ/T 10259-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CD2822CP型 雙音頻功率放大器SJ/T 10260-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CD7232CS型 雙音頻功率放大器SJ/T 10261-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CD7343GS型鎖相環調頻立體聲解碼器SJ/T 10263-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CD7666GP型雙五點LED電平顯示驅動器SJ/T 10264-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CD3161CS型雙前置放大器SJ/T 10265-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CD7668GP型帶ALC雙前置放大器SJ/T 10266-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CF714型精密運算放大器SJ/T 10268-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CF253型低功耗運算放大器SJ/T 10307-1992 半導體集成電路陶瓷熔封扁平外殼詳細規範SJ/T 10308-1992 半導體集成電路陶瓷扁平外殼詳細規範SJ/T 10401-1993 半導體集成音響電路馬達穩速電路測試方法的基本原理SJ/T 10402-1993 半導體集成音響電路自動選曲電路測試方法的基本原理SJ/T 10414-1993 半導體器件用焊料SJ/T 10427.1-1993 半導體集成電路音響電路調頻變頻器測試方法的基本原理SJ/T 10427.2-1993 半導體集成電路音響電路中頻放大器測試方法的基本原理SJ/T 10585-1994 半導體分立器件表面安裝器件外型尺寸及引線框架尺寸SJ/T 10685-1995 半導體調幅廣播收音機用中頻變壓器及振蕩線圈SJ/T 10696-1996 半導體分立器件QL50型機動車用九管橋式整流組件詳細規範SJ/T 10705-1996 半導體器件鍵合絲表面質量檢查方法SJ/T 10734-1996 半導體集成電路文字符號 電參數文字符號SJ/T 10735-1996 半導體集成電路TTL電路測試方法的基本原理SJ/T 10736-1996 半導體集成電路HTL電路測試方法的基本原理SJ/T 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2214.8-1982 半導體光敏三極體暗電流的測試方法SJ 2214.9-1982 半導體光敏二、三極體脈衝上升、下降時間的測試方法SJ 2214.10-1982 半導體光敏二、三極體光電流的測試方法SJ 2215.1-1982 半導體光耦合器測試方法總則SJ 2215.2-1982 半導體光耦合器(二極體)正向壓降的測試方法SJ 2215.3-1982 半導體光耦合器(二極體)正向電流的測試方法SJ 2215.4-1982 半導體光耦合器(二極體)反向電流的測試方法SJ 2215.5-1982 半導體光耦合器(二極體)反向擊穿電壓的測試方法SJ 2215.6-1982 半導體光耦合器(二極體)結電容的測試方法SJ 2215.7-1982 半導體光耦合器集電極-發射極反向擊穿電壓的測試方法SJ 2215.8-1982 半導體光耦合器輸出飽和壓降的測試方法SJ 2215.9-1982 半導體光耦合器(三極體)反向截止電流的測試方法SJ 2215.10-1982 半導體光耦合器直流電流傳輸比的測試方法SJ 2215.12-1982 半導體光耦合器入出間隔離電容的測試方法SJ 2215.13-1982 半導體光耦合器入出間絕緣電阻的測試方法SJ 2215.14-1982 半導體光耦合器入出間絕緣電壓的測試方法SJ 2220-1982 半導體達林頓型光耦合器SJ 2355.1-1983 半導體發光器件測試方法 總則SJ 2355.2-1983 半導體發光器件測試方法 正向壓降的測試方法SJ 2355.3-1983 半導體發光器件測試方法 反向電流的測試方法SJ 2355.4-1983 半導體發光器件測試方法 結電容的測試方法SJ 2355.5-1983 半導體發光器件測試方法 法向光強和半強度角的測試方法SJ 2355.6-1983 半導體發光器件測試方法 光通量的測試方法SJ 2355.7-1983 半導體發光器件測試方法 發光峰值波長和光譜半寬度的測試方法SJ 2658-1986 半導體紅外發光二極體測試方法SJ 2684-1986 半導體發光(可見光)器件 外形尺寸SJ 2749-1987 半導體雷射二極體測試方法SJ 2750-1987 半導體雷射二極體外形尺寸SJ 2757-1987 重摻半導體載流子濃度的紅外反射測試方法SJ 2849-1988 半導體分立器件 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半導體集成電路CD7232CS型 雙音頻功率放大器SJ 10261-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CD7343GS型鎖相環調頻立體聲解碼器SJ 10264-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CD3161CS型雙前置放大器SJ 10265-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CD7668GP型帶ALC雙前置放大器SJ 10266-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CF714型精密運算放大器SJ 10268-1991 電子元器件詳細規範 半導體集成電路CF253型低功耗運算放大器SJ/T 10424-1993 半導體器件用鈍化封裝玻璃粉SJ/T 10482-1994 半導體中深能級的瞬態電容測試方法SJ 20173-1992 半導體分立器件3DK2218(2218A、2219、2219A)型NPN矽小功率開關電晶體詳細規範SJ 2218-1982 半導體光敏二極體型光耦合器SJ 20182-1992 半導體分立器件3CT682、683、685～692和3CT5206型反向阻斷閘流電晶體詳細規範SJ 1102-1976 反向阻斷型普通半導體閘流管(普通可控整流器)SJ/T 10400-1993 半導體集成音響電路圖示均衡電路測試方法的基本原理SJ 2106-82 CS49型N溝道結型場效應小功率半導體開關三極體JB/T 2423-1999 電力半導體器件 型號編制方法SJ 2101-82 CS44型N溝道結型場效應小功率半導體開關三極體SJ 1619-1980 半導體管電視廣播接收機用中頻變壓器及可調線圈SJ 2247-1982 半導體光電子器件外形尺寸JB/T 5537-2006 半導體壓力傳感器SJ 2095-1982 CS38型N溝道結型場效應小功率半導體開關三極體YS/T 641-2007半導體器件鍵合用鋁絲JB/T 5835-2005電力半導體器件用門極組合件JB/T 5842-2005電力半導體器件用管芯定位環JB/T 5843-2005電力半導體器件用接插件JB/T 8320-1996電力半導體器件工藝用塗層石英玻璃管JB/T 8453-1996半導體變流器第5部分不間斷電源設備用開關(UPS開關)JB/T 8669-1997中頻感應加熱用半導體變頻裝置JB/T 10501-2005電力半導體器件用管殼瓷件JB 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