安森美半導體推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用於高要求的應用

近日，推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），推出另兩個碳化矽（SiC） MOSFET系列，擴展了其寬禁帶（WBG）器件系列。 這些新器件適用於各種高要求的高增長應用，包括太陽能逆變器、電動汽車（EV）車載充電、不間斷電源（UPS）、伺服器電源和EV充電樁，提供的性能水平是矽（Si） MOSFET根本無法實現的。

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202003/410831.htm

安森美半導體的新的1200伏（V）和900 V N溝道SiC MOSFET提供比矽更快的開關性能和更高的可靠性。快速本徵二極體具有低反向恢復電荷，顯著降低損耗，提高工作頻率以及整體方案的功率密度。

小晶片尺寸進一步增強高頻工作，達至更小的器件電容和更低的門極電荷-Qg（低至220 nC），從而降低在高頻下工作時的開關損耗。這些增強功能比基於Si的MOSFET提高能效，降低電磁幹擾（EMI），並可使用更少（或更小）的無源器件。極強固的SiC MOSFET比Si器件提供更高的浪湧額定值、更好的雪崩能力和更高的抗短路性能，從而提供更高的可靠性和更長的使用壽命，這對高要求的現代電源應用至關重要。較低的正向電壓提供無閾值的導通狀態特性，減少器件導通時產生的靜態損耗。

1200 V器件的額定電流高達103 A（最大I_D），而900 V器件的額定電流高達118 A。對於需要更高電流的應用，安森美半導體的MOSFET可易於並聯運行，因其正溫係數/不受溫度影響。

安森美半導體電源方案部功率MOSFET分部副總裁/總經理Gary Straker針對新的SiC MOSFET器件說：「如果設計工程師要達到現代可再生能源、汽車、IT和電信應用要求的具挑戰性的高能效和功率密度目標，他們需要高性能、高可靠性的MOSFET器件。安森美半導體的WBG SiC MOSFET提升性能至超越矽器件所能提供的，包括更低的損耗，更高的工作溫度，更快的開關速度，改善的EMI和更高的可靠性。安森美半導體為進一步支援工程界，還提供廣泛的資源和工具，簡化和加速設計流程。」

安森美半導體的所有SiC MOSFET都不含鉛和滷化物，針對汽車應用的器件都符合AEC-Q100車規和生產件批准程序（PPAP）。所有器件都採用行業標準的TO-247或D2PAK封裝。

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