英飛凌率先推出1200V碳化矽IPM的CoolSiC

2021-01-13 電子發燒友
打開APP
英飛凌率先推出1200V碳化矽IPM的CoolSiC

英飛凌工業半導體 發表於 2021-01-08 11:34:51

英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出了1200V碳化矽(SiC)集成功率模塊(IPM),並在今年大規模推出了SiC解決方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列是業界在這一電壓級別上的第一款產品。該系列為變頻驅動應用中的三相交流電動機和永磁電動機提供了一種緊湊的變頻解決方案,具有出色的導熱性能和寬的開關頻率範圍。具體應用包括工業電機驅動器、泵驅動器和用於暖通空調(HVAC)的有源濾波器。

 

CIPOS Maxi IPM集成了改進的6通道1200V絕緣體上矽(SOI)柵極驅動器和六個CoolSiC MOSFET,以提高系統可靠性,優化PCB尺寸和系統成本。這個新的家族成員採用DIP 36x23D封裝。這使其成為1200V IPM的最小封裝,具有同類產品中最高的功率密度和最佳性能。IM828系列的隔離雙列直插式封裝具有出色的熱性能和電氣隔離性,滿足高要求設計的EMI和過載保護要求。

該SiC IPM堅固耐用的6通道SOI柵極驅動器提供內置的死區時間,以防止瞬態損壞。它還在所有通道上提供欠壓鎖定(UVLO)功能,並具備過流關斷保護功能。憑藉其多功能引腳,該IPM可針對不同用途提供高度的設計靈活性。除了保護功能外,IPM還配備了獨立的UL認證溫度熱敏電阻。可以採樣發射極引腳以監視相電流,從而使該器件易於控制。

供貨情況

現在可以訂購CIPOS Maxi IM828系列。該系列還包括面向額定功率高達4.8kW的20A IM828-XCC。

關於英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球領先的半導體科技公司,我們讓人們的生活更加便利、安全和環保。英飛凌的微電子產品和解決方案將帶您通往美好的未來。2020財年(截止9月30日),公司的銷售額達85億歐元,在全球範圍內擁有約46,700名員工。2020年4月,英飛凌正式完成了對賽普拉斯半導體公司的收購,成功躋身全球十大半導體製造商之一。

原文標題:英飛凌率先推出1200V碳化矽IPM的CoolSiC™ CIPOS™ Maxi

文章出處:【微信公眾號:英飛凌工業半導體】歡迎添加關注!文章轉載請註明出處。

責任編輯:haq

打開APP閱讀更多精彩內容

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容圖片侵權或者其他問題,請聯繫本站作侵刪。 侵權投訴

相關焦點

  • 英飛凌新一代650V碳化矽MOSFET的性能和應用分析
    2020年2月,碳化矽的領導廠商之一英飛凌祭出了650V CoolSiC™ MOSFET,帶來了堅固可靠性和高性能。它是如何定義性能和應用場景的?下一步產品計劃如何?碳化矽業的難點在哪裡?陳清源據悉,此次英飛凌推出了8款650V CoolSiC™ MOSFET產品,採用2種插件TO-247封裝,既可採用典型的TO-247 三引腳封裝,也支持開關損耗更低的TO-247 四引腳封裝(如下圖)。
  • 英飛凌 CoolSiC™ 技術助力光寶科技推出 80 PLUS 鈦金認證的...
    由北美 80 PLUS 計劃 (80 PLUS initiative) 於 2004 年推出的測量標準,可用於評估及認證交換式電源供應器 (SMPS) 的效率。若SMPS 能在定義負載條件下達到 80% 以上的效率,即可獲得認證。取得 80 PLUS 認證的解決方案有助於降低因數位化而日益提高的電力需求。
  • 英飛凌:從JFET到 MOSFET, CoolSiC™每一步都是認真的!
    過去20年,以英飛凌為主的功率半導體廠家推出、發展一代又一代的Si基IGBT,推動了功率器件市場的可持續進步。然而在即將到來的未來,隨著對能源高效、智能、安全、便捷等更加深刻的要求,僅僅靠相對成熟的IGBT產品,難免會捉襟見肘。新型的複合半導體——SiC材料,將成為打開能源高效利用的另一把鑰匙。
  • 英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應用帶來最佳可靠性和性能水平
    近日,英飛凌科技股份公司進一步擴展其碳化矽(SiC)產品組合,推出650V器件。本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202002/410275.htm「隨著新產品的發布,英飛凌完善了其600V/650V細分領域的矽基、碳化矽以及氮化鎵功率半導體產品組合,」英飛凌電源管理及多元化市場事業部高壓轉換業務高級總監Steffen Metzger表示,「這凸顯了我們在市場中的獨特地位:英飛凌是市場上唯一一家能夠提供涵蓋矽、碳化矽和氮化鎵等材料的全系列功率產品的製造商
  • 德國英飛凌公司推出1700伏高電壓碳化矽功率器件
    原標題:德國英飛凌公司推出1700伏高電壓碳化矽功率器件【據英國電子周刊網站6月1日報導】近日,德國英飛凌在其CoolSiC MOSFET產品中增加了1700伏碳化矽場效應電晶體,其目標是三相轉換系統中的輔助電源,如電機驅動、可再生能源、充電基礎設施和高壓直流系統
  • 英飛凌:擴大現有產能 加速研發碳化矽產品
    英飛凌中華區汽車電子副總裁徐輝向大家分享了相關技術的最新進展。英飛凌科技公司於1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,於1999年獨立,2000年上市。早在1993年,西門子就推出了第一代的IGBT的系列產品。2007年,英飛凌正式推出了汽車級的IGBT,至今已有10年的歷史。
  • 英飛凌推出具備出色耐用性的1200V電平轉換三相SOI EiceDRIVER™
    打開APP 英飛凌推出具備出色耐用性的1200V電平轉換三相SOI EiceDRIVER™ 英飛凌 發表於 2020-12-04 13:36:15
  • 英飛凌推出具備出色耐用性的1200 V電平轉換三相SOI EiceDRIVER
    原標題:英飛凌推出具備出色耐用性的1200 V電平轉換三相SOI EiceDRIVER   英飛凌
  • 提高車載充電器效率 英飛凌推首款車用碳化矽產品
    蓋世汽車訊 據外媒報導,在今年的紐倫堡PCIM歐洲展會上,英飛凌(Infineon)推出了首款車用碳化矽產品,肖特基(Schottky)二極體,並為其新創了一個品牌名CoolSiC。此二極體專為混合動力車和電動車中的車載充電器(OBC)應用而設計。
  • 1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能與高可靠性
    英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。 作者 Marc Buschkühle 英飛凌科技股份公司本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201706/361134.htm
  • 如何利用英飛凌最新一代1200V TRENCHSTOP™IGBT6單管設計400ADC...
    本文介紹的就是如何利用英飛凌最新一代1200V TRENCHSTOP™IGBT6單管設計400ADC三相可攜式逆變(MAG/MIG/MMA)焊機。 對於英飛凌最新一代1200V TRENCHSTOP™ IGBT6,可以參考英飛凌官網連結(文末點擊「閱讀原文」),在英飛凌工業半導體官方微信公眾號文章 新一代1200V  TRENCHSTOP™ IGBT6為高頻應用帶來更高能效 也已經有過介紹,這裡就不再贅述。
  • 碳化矽:第三代半導體核心材料
    砷化鎵(GaAs)、磷化銦(lnP)等作為第二代化半導體因其高頻性能較好主要用於射頻領域,碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)等第三代半導體,因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。以碳化矽為材料的功率模塊具備低開關損耗、高環境溫度耐受性和高開關頻率的特點,因此採用碳化矽SiC材料的新一代電控效率更高、體積更小並且重量更低。
  • Microchip最新通過認證的700和1200V碳化矽肖特基勢壘二極體功率器件
    打開APP Microchip最新通過認證的700和1200V碳化矽肖特基勢壘二極體功率器件 Microchip微芯 發表於 2020-11-18 16:22:04
  • 英飛凌推出25V OptiMOS調壓MOSFET和DrMOS
    打開APP 英飛凌推出25V OptiMOS調壓MOSFET和DrMOS 佚名 發表於 2010-03-01 11:20:47
  • 比較1200V碳化矽MOSFET和Si IGBT的主要特色
    考量到幫浦、風扇和伺服驅動等工業傳動都必須持續運轉,利用碳化矽MOSFET便有可能提升能源效率,並大幅降低能耗。   本文將比較1200V碳化矽MOSFET和Si IGBT的主要特色,兩者皆採ACEPACK封裝,請見表1。
  • 英飛凌給出了專業的應用建議
    L3bEETC-電子工程專輯Cree推出了首款商用900V SiC功率MOSFET,而且於近期宣布推出Wolfspeed 650V碳化矽MOSFET產品組合;Microchip和ROHM均已發布了新的SiC MOSFET和二極體;英飛凌在2017年底推出了氮化鎵器件,今年二月推出了八款650V CoolSiC MOSFET器件;另外,意法半導體和安森美半導體在
  • 碳化矽與矽相比有何優勢?
    SiC組件的知名供貨商包括意法半導體(ST)、Cree/Wolfspeed、羅姆、英飛凌、安森美半導體(On Semiconductor)以及三菱(Mitsubishi Electric)。 Cree推出了首款商用900V SiC功率MOSFET以及Wolfspeed 650V碳化矽MOSFET產品組合;Microchip和ROHM均已發布SiC MOSFET和二極體;英飛凌在推出了8款650V CoolSiC MOSFET器件。。.。。.由此看出各大廠商在SiC材料方面均有所布局並有著自己的發展策略。 碳化矽較矽有何性能優勢?
  • 碳化矽器件的分類及典型應用
    更低的導通電阻使得碳化矽電力電子器件具有更小的導通損耗,從而能獲得更高的整機效率。   (2)具有更高的擊穿電壓。例如:商業化的矽肖特基二極體通常耐壓在300V以下,而首個商業化的碳化矽肖特基二極體的電壓定額就已經達到了600V;首個商業化的碳化矽MOSFET電壓定額為1200V,而常用的矽MOSFET大多在1kV以下。
  • 致瞻科技獲Pre-A輪融資 碳化矽產業仍「新芽」頻出
    《科創板日報》(廈門,記者 李子健)訊 ,特斯拉在業界率先全面採用碳化矽替代IGBT後,碳化矽產業在國內資本市場嶄露鋒芒。近日,碳化矽半導體器件供應商致瞻科技(上海)有限公司(下稱「致瞻科技」)獲得Pre-A輪融資,投資方包括毅達資本。
  • 性價比一流:英飛凌推出面向低頻率應用的600 V CoolMOS S7超結MOSFET
    性價比一流:英飛凌推出面向低頻率應用的600 V CoolMOS S7超結MOSFET