性價比一流:英飛凌推出面向低頻率應用的600 V CoolMOS S7超結MOSFET

2020-12-05 華強電子網

性價比一流：英飛凌推出面向低頻率應用的600 V CoolMOS S7超結MOSFET

來源：華強電子網 作者： 時間：2020-03-03 13:53

英飛凌 低頻率 應用

　　英飛凌科技股份公司成功開發出滿足最高效率和質量要求的解決方案。對於MOSFET低頻率開關應用而言，新推出的600 V CoolMOS  S7系列產品可帶來領先的功率密度和能效。CoolMOS S7系列產品的主要特點包括導通性能優化、熱阻改進以及高脈衝電流能力，並且具備最高質量標準。該器件適合的應用包括有源橋式整流器、逆變極、PLC、功率固態繼電器和固態斷路器等。此外，10 m? CoolMOS S7 MOSFET是業界RDS(on)最小的器件。

　　該產品系列專為低頻率的開關應用而開發，旨在降低它們的導通損耗，確保響應速度最快和效率最高。CoolMOS S7器件甚至實現了比CoolMOS 7產品更低的RDS(on) x A，因而能夠成功地抵消開關損耗，最終實現導通電阻降低和成本節省。對於高壓開關而言，CoolMOS S7產品擁有市面上最低的導通電阻(RDS(on))。此外，10 mΩ晶片採用創新的頂面冷卻QDPAK封裝，22 mΩ晶片採用先進的小型TO無引腳(TOLL)SMD封裝。這些MOSFET可助力實現經濟、簡化、緊湊、模塊化和高效的設計。設計出來的系統可以輕鬆滿足法規要求和能效認證標準(如適用於SMPS的Titanium?標準)，也能滿足功率預算，減少零部件數量和散熱器需求，同時降低總擁有成本(TCO)。



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