英飛凌推出OptiMOS調壓MOSFET和DrMOS系列

　　英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應用電力電子會議和產品展示會上，推出OptiMOS 25V器件系列，壯大OptiMOS 功率 MOSFET產品陣容。該系列器件經過優化，適合應用於計算機伺服器電源的電壓調節電路和電信/數據通信的開關。這種全新的MOSFET還被集成進滿足英特爾DrMOS規範的TDA21220 DrMOS。

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　　通過大幅降低三個關鍵的能效優值(FOM)，這種全新的器件無論在任何負載條件下，都可使MOSFET功耗降低20%，同時達到更高的性能。此外，更高的功率密度還能讓典型電源的降壓轉換器的佔板空間縮小40%以上。

　　例如，在一個六相穩壓器設計中，採用一個5V柵極驅動的全新25V OptiMOS器件，在輸出電流為30A 至180A條件下，能效可超過90%，最高可達93%。這主要歸功於該器件具備行業最低的導通電阻、最低的柵極電荷以及最低的輸出電容等特性。英飛凌聲稱，它是全球第一家能夠提供同時具備這樣三種特性的器件的功率MOSFET供應商。

　　據幾家市場研究公司的預測，2011年伺服器保有量將達到6,000萬臺。這些伺服器的平均功耗為600瓦，總耗電量高達36,000兆瓦。這些伺服器的用電量每減少1%，即可節省360兆瓦的電能，相當於一座水電站的裝機容量。此外，更高效的電源的製冷需求相應降低，從而進一步減少耗電量。

　　英飛凌科技低壓MOSFET產品線負責人Richard Kuncic指出：「更高效地使用能源，也就是說消耗更少的電能，是確保未來能源安全的最有效的途徑，英飛凌將為此做出巨大貢獻。英飛凌為工業、電信、消費類電子設備和家電等領域的產品提供非常強大和高效的MOSFET解決方案。我們設立了MOSFET的性能標杆。我們矢志鞏固我們作為MOSFET器件頭號供應商的地位，使電源儘可能達到最高能效。通過推出這個全新的25V OptiMOS器件系列，我們能夠讓客戶設計出功耗和成本更低的產品。」

　　電源設計人員可通過採用25V OptiMOS器件，減少產品的用電量，降低其熱負載，甚至縮小其尺寸。這些改進對於數據中心運營商而言十分有益，因為伺服器運行及製冷所發生的電費，是數據中心最大的運營成本項目。最終用戶同樣非常重視縮小整個系統的體積。

　　英飛凌全新推出的25V OptiMOS分立式器件採用三種封裝形式：SuperSO8、CanPAK和超小的S3O8封裝。S3O8封裝尺寸僅為3.3 毫米 x 3.3毫米。若採用S3O8封裝，一個六相轉換器的外形尺寸僅為1,120平方毫米，比另外兩種封裝分別縮小45%至 55%。全新推出的DrMOS器件——TDA21220——是一個多片封裝，集成了兩個全新的OptiMOS電晶體和一個驅動IC。它的能效比市場上同類解決方案高2%至4%。

　　相對於採用低導通電阻溝槽技術和超低柵極電荷橫向MOSFET概念的器件，OptiMOS25V器件在能效優值方面表現更為出色。在導通電阻相同的情況下，全新的OptiMOS 25V器件的柵極電荷，比採用最接近的溝槽工藝製造的器件低35%，而其輸出電荷比最佳的橫向MOSFET器件低一半。