開關電源中肖特基二極體的作用

2020-12-04 電子發燒友

開關電源中肖特基二極體的作用

發表於 2018-01-23 17:01:25

開關電源

開關電源是利用現代電力電子技術,控制開關管開通和關斷的時間比率,維持穩定輸出電壓的一種電源,開關電源一般由脈衝寬度調製(PWM)控制IC和MOSFET構成。隨著電力電子技術的發展和創新,使得開關電源技術也在不斷地創新。目前,開關電源以小型、輕量和高效率的特點被廣泛應用幾乎所有的電子設備,是當今電子信息產業飛速發展不可缺少的一種電源方式。

開關電源產品廣泛應用於工業自動化控制、軍工設備、科研設備、LED照明、工控設備、通訊設備、電力設備、儀器儀表、醫療設備、半導體製冷制熱、空氣淨化器,電子冰箱,液晶顯示器,LED燈具,通訊設備,視聽產品,安防監控,LED燈帶,電腦機箱,數碼產品和儀器類等領域。

肖特基二極體

肖特基二極體是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極,以N型半導體B為負極,利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而製成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子,貴金屬中僅有極少量的自由電子,所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然,金屬A中沒有空穴,也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A,B表面電子濃度逐漸降低,表面電中性被破壞,於是就形成勢壘,其電場方向為B→A。但在該電場作用之下,A中的電子也會產生從A→B的漂移運動,從而消弱了由於擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區後,電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡,便形成了肖特基勢壘。

典型的肖特基整流管的內部電路結構是以N型半導體為基片,在上面形成用砷作摻雜劑的N-外延層。陽極使用鉬或鋁等材料製成阻檔層。用二氧化矽(SiO2)來消除邊緣區域的電場,提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態電阻,其摻雜濃度較H-層要高100%倍。在基片下邊形成N+陰極層,其作用是減小陰極的接觸電阻。通過調整結構參數,N型基片和陽極金屬之間便形成肖特基勢壘,如圖所示。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極,N型基片接電源負極)時,肖特基勢壘層變窄,其內阻變小;反之,若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時,肖特基勢壘層則變寬,其內阻變大。

綜上所述,肖特基整流管的結構原理與PN結整流管有很大的區別通常將PN結整流管稱作結整流管,而把金屬-半導管整流管叫作肖特基整流管,採用矽平面工藝製造的鋁矽肖特基二極體也已問世,這不僅可節省貴金屬,大幅度降低成本,還改善了參數的一致性。

肖特基二極體是一種熱載流子二極體。肖特基二極體也被稱為肖特基勢壘二極體是一種低功耗、超高速半導體器件,肖特基二極體被廣泛應用於變頻器、開關電源、驅動器等電路,作為低壓、高頻、大電流整流二極體、保護二極體、續流二極體等使用,肖特基二極體在微波通信等電路中作整流二極體、小信號檢波二極體使用。那麼武漢辦公家具 肖特基二極體作用是什麼呢?下面就是小編對於肖特基二極體具有介紹。

生活電器!品質保障!幾大類上百款任你選! 點擊查看》》

肖特基二極體-原理

肖特基二極體是由貴金屬金、鋁、銀、鉑等A為正極,以N型半導體B為負極,然後利用二者接觸面之間上形成的勢壘一種具有整流特性製成的金屬半導體器件。肖特基二極體由於N型半導體中存在大量電子,而貴金屬中僅有少量自由電子,肖特基二極體中的電子便從濃度高的B向濃度低A中擴散。肖特基二極體金屬A中沒有空穴,不存在空穴自A向B擴散運動。隨著肖特基二極體中電子不斷從B擴散到A,B的表面電子濃度逐漸降低,表面電中性破壞,於是形成勢壘。

肖特基二極體-優點

肖特基二極體具有開關頻率高、正向壓降低等優點,但肖特基二極體的反向擊穿電壓比較低,一般不會高於60V,最高僅約為100V,以致於限制了肖特基二極體的應用範圍。在變壓器次級用100V以上的高頻整流二極體、開關電源和功率因數校正電路中的功率開關器件續流二極體、RCD緩衝器電路中用600V~1.2kV之間的高速二極體、PFC升壓用600V二極體等情況下時,只有使用快速恢復外延二極體和超快速恢復二極體。現在的肖特基二極體已取得了突破性的進展,150V和200V高壓已經上市,使用新型材料製作的超過1kV的肖特基二極體也研製成功。

肖特基二極體-作用

肖特基二極體又被稱為肖特基勢壘二極體(簡稱 SBD),是一種低功耗、超高速半導體器件。肖特基二極體最顯著的特點是反向恢復時間極短,正嚮導通壓降僅為0.4V左右。肖特基二極體多用作高頻、大電流整流二極體、低壓、續流二極體、保護二極體、小信號檢波二極體、微波通信等電路中作整流二極體等處使用。肖特基二極體在通信電源、變頻器等中比較常見。肖特基二極體在雙極型電晶體的開關電路裡面,通過在連接二極體來箝位。

肖特基二極體-特點

由於肖特基二極體基勢壘高度低於PN結勢壘高度,故肖特基二極體正嚮導通門限電壓和正向壓降都比PN結二極體低。由於肖特基二極體是一種多數載流子導電器件,不存在少數載流子壽命和反向恢復等問題。肖特基二極體的反向恢復時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間,完全不同於PN結二極體反向恢復時間。由於肖特基二極體的反向恢復電荷少,故肖特基二極體開關速度極快,開關損耗也極小,特別適合於高頻應用。

肖特基二極體-應用

肖特基二極體的結構及特點使其適合於在低壓、大電流輸出等場合用作高頻整流,在高頻率下用於檢波和混頻,肖特基二極體在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用肖特基二極體,在高速計算機中也被廣泛採用。除了普通PN結二極體的特性參數之外,肖特基二極體用於檢波和混頻的電氣參數還包括中頻阻抗,指的就是肖特基二極體施加額定本振功率時對指定中頻所呈現的阻抗。以上就是小編對於肖特基二極體具體介紹,希望對大家有所借鑑作用。

開關電源中肖特基二極體的作用

變換器把直流電壓或電流變換為高頻方波電壓或電流,經變壓器升壓或降壓後,再經整流平滑濾波變為直流電壓或電流,在變壓器的輸出端設有輸出整流濾波迴路,對直流變換後的電壓進行整流與濾波,使之得到穩定的輸出。因為整流二極體D存在著反向恢復時間,在導通瞬間會引起較大的尖峰電流,它不僅增加了D本身的功耗,而且使開關管流過過大的浪湧電流,增加了開通瞬間的功耗。一般採用快速恢復二極體或肖特基二極體作為整流二極體,當輸出整流二極體兩端加反壓時,由於二極體中貯存電荷,也將有較大的浪湧電流產生,因此在二極體及輸出電壓中將有很大的噪聲。在整流二極體上並接一RC迴路,可吸收上述幹擾,有效防止浪湧

打開APP閱讀更多精彩內容

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容圖片侵權或者其他問題,請聯繫本站作侵刪。 侵權投訴

相關焦點

  • 肖特基二極體原理_肖特基二極體作用
    打開APP 肖特基二極體原理_肖特基二極體作用 發表於 2019-08-09 11:04:21 因為N型半導體中存在著大量的電子,貴金屬中僅有極少量的自由電子,所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然,金屬A中沒有空穴,也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A,B表面電子濃度逐漸降低,表面電中性被破壞,於是就形成勢壘,其電場方向為B→A。但在該電場作用之下,A中的電子也會產生從A→B的漂移運動,從而消弱了由於擴散運動而形成的電場。
  • 肖特基二極體應用_肖特基二極體應用電路_肖特基二極體在數字電路...
    肖特基二極體的內部結構   肖特基(Schottky)二極體也稱肖特基勢壘二極體(簡稱SBD),是由金屬與半導體接觸形成的勢壘層為基礎製成的二極體如圖 1所示,其主要特點是正嚮導通壓降小(約0.45V),反向恢復時間短和開關損耗小,是一種低功耗、超高速半導體器件。
  • 開關電源中的二極體詳細資料說明
    肖特基二極體和快恢復二極體到底區別在哪? 快恢復二極體從名稱上很好理解,肖特基二極體是以人名命名,由於製造工藝完全不同,是肖特基博士的一個創新。 肖特基二極體是以其發明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極體(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。
  • 肖特基二極體與普通二極體有什麼區別?
    但在該電場作用之下,A中的電子也會產生從A→B的漂移運動,從而消弱了由於擴散運動而形成的電場。在基片下邊形成N+陰極層,其作用是減小陰極的接觸電阻。 通過調整結構參數,N型基片和陽極金屬之間便形成肖特基勢壘,如圖所示。
  • 深入了解開關電源中的二極體!
    通常在開關電源連續模式反向恢復過程中,二極體流過較大的反向電流同時承受了較大的反向電壓,因此造成了很大的反向恢復損耗,所以一般選反向恢復時間越短的越好,在電壓應力較低的情況下肖特基是首選。在CCM PFC中,為了降低這個損耗,通常的超快恢復二極體(標稱反向恢復時間十幾到幾十ns)仍然差強人意,需要用到SiC二極體。
  • 快恢復二極體與肖特基二極體有何區別?如何應用
    一、快恢復二極體恢復二極體,簡稱FRD,它是一種具有開關特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極體,與普通二極體一樣具有單向導電性,主要應用於開關電源、脈寬調製器、變頻器等電子電路中,主要作為高頻整流二極體、續流二極體或阻尼二極體使用。
  • 來聊一聊,肖特基二極體
    因為N型半導體中存在著大量的電子,貴金屬中僅有極少量的自由電子,所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然,金屬A中沒有空穴,也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A,B表面電子濃度逐漸降低,表面電中性被破壞,於是就形成勢壘,其電場方向為B→A。但在該電場作用之下,A中的電子也會產生從A→B的漂移運動,從而消弱了由於擴散運動而形成的電場。
  • 深度挖掘肖特基二極體應用要點
    肖特基二極體廣泛應用於開關電源中,每一個從事電子行業的人都有聽過肖特基,但我們是否真正了解,肖特基內部結構、應用範圍以及為什麼肖特基廣泛應用於高頻開關電源中?
  • 肖特基二極體和快恢復二極體有什麼區別詳解
    在基片下邊形成N+陰極層,其作用是減小陰極的接觸電阻。通過調整結構參數,N型基片和陽極金屬之間便形成肖特基勢壘,如圖所示。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極,N型基片接電源負極)時,肖特基勢壘層變窄,其內阻變小;反之,若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時,肖特基勢壘層則變寬,其內阻變大。
  • 一起學習「肖特基二極體」的工作的原理和特性
    但是有兩種很常用的二極體類型,肖特基二極體和齊納二極體(穩壓二極體)我們了解這兩種二極體類型有何不同,以及它在電路中的作用,我們先從肖特基二極體開始以IN5818為例其中一項就是傳導損耗低,正如前面提到的當電流通過二極體時。
  • 採用額外的肖特基二極體減少幹擾
    在負載點(POL)降壓轉換器領域,同步變化的高邊和低邊有源開關已被廣泛使用。圖1顯示了具有理想開關的此類電路。與使用無源肖特基二極體作為低邊開關的架構相比,此類開關穩壓器具有多項優勢。
  • 碳化矽肖特基二極體在PFC電路中的應用!-國晶微半導體
    這些優點使得基於SiC製成的肖特基勢壘二極體表現出高的溫度特性(允許最高工作溫度達到300℃,是Si材料的2倍)、高的反向耐壓、低的導通電阻和高的開關頻率。以上特點能使電源系統中的串聯開關器件體積最小化,開關頻率的提高也使系統的體積進一步縮小。2.SiC二極體穩態和暫態特性對PFC的影響連續模式Boost變換器的基本拓撲結構所示。
  • 肖特基二極體
    肖特基二極體是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極,以N型半導體B為負極,利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而製成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子,貴金屬中僅有極少量的自由電子,所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然,金屬A中沒有空穴,也就不存在空穴自A向B的擴散運動。
  • 肖特基二極體和快恢復二極體有什麼區別呢
    快恢復二極體(簡稱FRD)是一種具有開關特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極體,主要應用於開關電源、PWM脈寬調製器、變頻器等電子電路中,作為高頻整流二極體、續流二極體或阻尼二極體使用。快恢復二極體的內部結構與普通PN結二極體不同,它屬於PIN結型二極體,即在P型矽材料與N型矽材料中間增加了基區I,構成PIN矽片。
  • 什麼是碳化矽肖特基二極體?-國晶微半導體
    碳化矽肖特基二極體是具有低正向電壓降和非常快的開關能力的二極體。因此,它們用於電路需要在極低電壓下工作的應用,以及所有類型的高速開關應用,如發電機、探測器和射頻應用。肖特基二極體比標準二極體有許多優越的特性,因為它的結構不同。傳統的二極體是由PN結組成的。這個PN結在P和N材料之間形成一個耗盡層。
  • 肖特基二極體壓降多少 如何減少壓降
    肖特基二極體   肖特基二極體是以其發明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極體(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理製作的,而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理製作的。
  • 碳化矽肖特基二極體的優點及應用
    碳化矽肖特基二極體的優點   碳化矽SiC的能帶間隔為矽的2.8倍(寬禁帶),達到3.09電子伏特。例如,商用的矽肖特基的電壓小於300V,而第一個商用的碳化矽肖特基二極體的擊穿電壓已達到600V。   (3)碳化矽有高的熱導率,因此碳化矽功率器件有低的結到環境的熱阻。   (4)碳化矽器件可工作在高溫,碳化矽器件已有工作在600ºC的報導,而矽器件的最大工作溫度僅為150ºC.   (5)碳化矽具有很高的抗輻照能力。
  • 根據雪崩性能選擇肖特基二極體
    肖特基二極體是這種應用的首選器件,因為它們具有很低的前向壓降性能。本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201610/309797.htm雖然肖特基二極體能夠很好地滿足上述要求,但它們必須支持ISO7637-2脈衝,因此通常選用具有高擊穿電壓的產品以便通過負脈衝1和脈衝3a測試--但這無助於取得最好的前向壓降性能,因為肖特基二極體固有的折衷性能遵循這樣的規則:擊穿電壓越高,前向壓降就越大。
  • 如何區分肖特基、快恢復和超快恢復二極體
    在高頻、大電流整流以及續流電路中,大量使用了快恢復二極體(FBR)、超快恢復二極體(SRD)和肖特基二極體(SBD)。   超快恢復二極體(簡稱fred)是一種具有開關特性好、反向恢復時間超短的半導體二極體,常用來給高頻逆變裝置的開關器件作續流、吸收、箝位、隔離、輸出和輸入整流器,使開關器件的功能得到充分發揮。超快恢復二極體是用電設備高頻化(20khz以上)和高頻設備固態化發展不可或缺的重要器件。
  • 二極體正負極如何判斷,快速學會肖特基二極體正負極判斷方法
    二極體正負極的判斷素來是個難題,原因不在於二極體正負極判斷的標準有多難,而是二極體的種類太多。相關工作人員只有牢記每種二極體正負極的判斷方法,才能在實際運用中快速判斷出某種類型的二極體正負極。本文中以肖特基二極體為例,教大家準確判斷它的正負極。