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【芯城】總投資50億元功率半導體IDM晶片項目落戶杭州蕭山；全球首臺!蘇大維格大型紫外3D直寫光刻設備下線；高速光通信晶片企業賽勒科技完成新一輪數千萬元融資

1.總投資50億元，功率半導體IDM晶片項目落戶杭州蕭山

2.全球首臺！蘇大維格大型紫外3D直寫光刻設備下線

3.華天科技：集成電路和大功率器件產量234.33億隻，同比增長26.11%

4.一期總投資15億元，江蘇亞電集成電路高端溼法裝備總部項目落戶無錫

5.基於矽光子技術的高速光通信晶片企業，賽勒科技完成新一輪數千萬元融資

6.公開課第31期筆記：銳成芯微：打造多樣化eNVM IP，讓SoC平臺選擇更從容

1.總投資50億元，功率半導體IDM晶片項目落戶杭州蕭山

集微網消息（文/圖圖）7月24日，總投資50億元的功率半導體IDM晶片項目籤約儀式在浙江杭州蕭山經濟技術開發區舉行。

圖片來源：蕭山經濟技術開發區

蕭山經濟技術開發區官方消息顯示，隨著客戶及需求的不斷增加，（項目方）現有晶圓廠已經不能滿足企業的產能需求，此次項目在蕭山經濟技術開發區的落地，將打造一個全新的集功率晶片設計、晶圓製造、封裝測試的全產業鏈功率半導體IDM製造基地。

值得注意的是，蕭山經濟技術開發區並未公開IDM項目方的信息。

杭州蕭山區在集成電路領域早有布局。

幾年前，蕭山區曾發布《關於發展信息經濟促進智慧應用三年行動計劃（2016—2018年）通知》指出，將依託華瀾微在國內集成電路設計細分領域的優勢地位，吸引國內外知名集成電路設計上下遊企業入駐，大力發展涉及行動支付、工業控制、數據中心等多個領域的晶片設計產業，努力建設成為國產集成電路晶片設計基地。

2019年8月，杭州市重點打造的首個集成電路產業集聚園區——杭州集成電路設計產業園在杭州蕭山區正式揭牌。（校對/小北）

2.全球首臺！蘇大維格大型紫外3D直寫光刻設備下線

集微網消息（文/小如）據蘇大維格官方透露，大型紫外3D直寫光刻設備iGrapher3000，在蘇大維格科技集團下線，並投入工業運行。

iGrapher3000主要用於大基板上的微納結構形貌的3D光刻，是新穎材料、先進光電子器件的設計、研發和製造的全新平臺。

圖片來源：蘇大維格

iGrapher3000此次安裝在維業達科技有限公司黃光車間，首個工業應用項目是大尺寸透明導電膜的深槽結構微電路模具，並將用於大面積平板成像、柔性導電器件和全息顯示與3D顯示研發和產業化應用。

蘇大維格主要從事微納關鍵技術、高端智能製造設備和功能材料的創新應用，是首批認證的國家高新技術企業。其光刻儀器事業部研製了多種用於MEMS晶片的光刻設備MiScan200（8」~12」）、微納光學的MicroLab（4」~8」）和超表面、裸眼3D顯示、光電子器件研究的納米光刻設備NanoCrystal（8」~32」）。

2020年1月10日，在國家科技獎勵大會上，蘇大維格承擔的「面向柔性光電子的微納製造關鍵技術與應用」成果，獲國家科技進步獎二等獎。（校對/小北）

3.華天科技：集成電路和大功率器件產量234.33億隻，同比增長26.11%

集微網消息（文/圖圖）7月26日，慶祝華天集團成立十四周年表彰大會暨文藝晚會舉行。會上，華天科技集團董事長肖勝利表示，2020年上半年，集團積極開展疫情防控，努力做好復工復產，完成集成電路和大功率器件產量234.33億隻，同比增長26.11%；完成銷售開票47.23億元。

圖片來源：天水華天科技

據悉，在市場需求持續增長的背景下，華天科技也持續擴大其產能規模。（校對/小北）

4.一期總投資15億元，江蘇亞電集成電路高端溼法裝備總部項目落戶無錫

集微網消息（文/圖圖）7月27日，江蘇亞電集成電路高端溼法裝備總部項目籤約儀式在無錫高新區舉行。

圖片來源：無錫高新區在線

無錫高新區在線消息顯示，該項目一期計劃總投資15億元，註冊資本5000萬元，預計2022年營收5億元。亞電科技計劃在獨立法人註冊後三年內啟動科創板上市工作，並將上市主體放在高新區，預計市值超100億元。上市後計劃建設項目二期，用於研發中心的擴張和新品試製基地。

此外，亞電科技還計劃在無錫高新區設立獨立法人，作為公司研發、測試、銷售總部，招聘本土和國外技術及研發人才，建立12英寸及以上溼法刻蝕清洗設備的研發、測試、銷售中心。

亞電科技官方消息顯示，江蘇亞電科技有限公司成立於2019年3月26日，是半導體晶圓行業溼法製程服務商，專注於晶圓前道溼法刻蝕清洗技術，是國內首批推進半導體高端設備國產化的企業之一。目前公司的主營業務有溼法刻蝕清洗設備和半導體廠務工程，擁有泰州和無錫兩個基地。（校對/小北）

5.基於矽光子技術的高速光通信晶片企業，賽勒科技完成新一輪數千萬元融資

集微網消息（文/依然）近日，南通賽勒光電科技有限公司（簡稱：賽勒科技）宣布完成新一輪數千萬元融資，領投方為新一代技術型VC耀途資本，本輪融資將主要用於技術迭代與量產上線。

賽勒科技成立於2018年3月，是一家矽光晶片及產品解決方案提供商，重點開發基於矽光子技術的高速率、小型化、低成本、低功耗的高速光通信晶片，旨在為數據中心、無線5G網絡、傳輸網等領域客戶提供高性價比的光通信晶片解決方案。

據耀途資本官方消息，賽勒科技核心成員均來自世界著名高校研究所、一流公司等世界上最早開發矽光子的隊伍，比如麻省理工學院、中國科學院、朗訊Lucent（原AT&T實驗室）以及Finisar等。賽勒科技創始人、董事長兼CEO甘甫烷本碩畢業於上海交通大學，博士畢業於麻省理工學院。麻省理工學院在矽光子有幾十年的積累，是世界上最早進行矽光子研究的隊伍，成功孵化了多家矽光子公司。

從2009年開始，甘甫烷擔任中科院上海微系統與信息技術研究所研究員，建立了矽光子研究組。在此期間，他主持了國家重點研發計劃、中科院戰略先導項目、上海市科技重大專項矽光子專項等多個項目。甘甫烷同時還是一位連續創業者，在賽勒科技之前，他曾先後在美國、中國創立兩家光電企業，後者成功在新三板上市。

光器件未來的主流發展方向是矽光子技術。矽光子技術將傳統產品的多個分立器件集成在單一晶片上，簡化了封裝過程，良品率也得以提升。同時，矽晶片可以集成多個傳輸通道，將推動矽光子解決方案在短距離NRZ/PAM4高速光通信、長距離高速相干通信等光通信領域更廣泛的應用。（校對/圖圖）

6.公開課第31期筆記：銳成芯微：打造多樣化eNVM IP，讓SoC平臺選擇更從容

集微網消息 集微直播間自開播以來獲得了大量來自行業的關注與好評。其中「集微公開課」欄目聯合行業頭部企業，通過線上直播的方式分享精彩主題內容，同時設立直播間文字提問互動環節。集微網希望將「集微公開課」欄目打造成中國ICT產業最專業、優質的線上培訓課程，深化產教融合，助力中國ICT產業發展。

第31期「集微公開課」於7月28日（周二）上午10:00直播，邀請到成都銳成芯微科技股份有限公司器件研發總監王明博士，帶來以《ACTT多樣化嵌入式存儲IP，讓SoC平臺選擇更從容--邏輯工藝和特種工藝上的嵌入式eNVM方案》為主題的精彩演講。

點這裡觀看回放

隨著5G、AI、物聯網等技術的發展，在應用層面，像消費電子、工業、汽車、數據中心等領域的存儲技術在不斷演進；晶片技術發展方面，摩爾定律的演進也對存儲技術提出了更高的要求。

面對多樣化的存儲市場需求，需要產業鏈上下遊企業以豐富的產品矩陣來應對。

成都銳成芯微作為本土IP提供商，面向全球客戶不僅可提供專業、豐富的超低功耗模擬IP、數模混合IP，還可向客戶提供多樣化、高可靠性eNVM解決方案。

後摩爾定律時代特色工藝對eNVM的需求

伴隨著摩爾定律接近物理極限和研發成本限制，開始向後摩爾定律時代發展。

成都銳成芯微器件研發總監王明博士指出，在後摩爾定律時代，器件價值、性能的提升，已經不完全依靠工藝製程的提升，而是通過增加模擬/射頻、高壓電源以及各種傳感器、驅動器等多種功能實現，SiP、SoC已成為業界公認的提升途徑。

從存儲角度來看，SiP Flash因為I/O toggle，一般耗電比SoC多30%；SiP Flash需要將數據拷貝到SRAM裡面，上電時間較長；速度方面，SoC可支持的帶寬是x16/x32/x64/x128，不受PIN腳限制；SoC在安全性、可靠性方面高於SiP。

王明博士表示，儘管從成本角度來看SiP可能優於SoC，但綜合看SoC有著相當大的市場需求。相應的SoC中的嵌入式存儲方案需求也是日益增長。

SoC中eNVM嵌入式非易失性存儲器，根據應用領域其主要功能分為6類，即身份信息、安全密鑰、參數設置、固件代碼、功能選擇與修正。

特色工藝產品與應用場景密切相關，不同的特色工藝對NVM都有著不同需求。王明博士分享中介紹了一些特色工藝，包括 : NVM工藝、 BCD工藝、HV工藝、CIS工藝、MEMS工藝等。

特色工藝平臺上如何實現eNVM方案

eNVM是在邏輯工藝平臺的基礎上開發的特殊工藝，通過這種工藝生產出帶有非揮發存儲器模塊的晶片。eNVM憑藉其能耗低、非易失性、密度高、延遲低等優點也愈發受到市場的青睞。

MTP、OTP、eFlash、poly-fuse、ROM是較為常見的嵌入式存儲方案。成都銳成芯微針對特色工藝上不同的應用場景和需求，把公司的技術進行分類，包括ACTT LogicFlash、ACTT OTP、ACTT LogicFlash Pro、ACTT eFuse等，可為客戶提供一站式的eNVM解決方案。

王明博士著重介紹了LogicFlash技術，其特點為容量大、面積小、成本低、擦寫次數超過一萬次，可滿足嚴格的汽車電子認證標準。該技術與CMOS邏輯工藝、BCD工藝完全兼容，做無須增加光罩的情況下，可為客戶的SOC提供小面積、高密度、低功耗、高可靠性、高速讀寫的嵌入式儲存技術。

據悉，目前，成都銳成芯微在NVM儲存器上擁有多項專利，並開發了與多種不同特色工藝，兼容40nm/55nm/90nm/0.11um/0.18um上的OTP/MTP/Flash解決方案。

多樣化的eNVM方案滿足不同應用需求

成都銳成芯微的eNVM IP已廣泛應用在MCU、PMIC、RF SoC、Analog IC以及汽車電子等應用領域，其優良的性能和高可靠性深受客戶信賴。

王明博士例舉了成都銳成芯微具有代表性eNVM方案在不同特色工藝上的應用實例，例如：基於RF工藝的光通信晶片、基於Green工藝的電子菸專用MCU晶片、基於混合工藝的VCM驅動 AF/OIS控制器、基於BCD工藝的汽車電子的鋰電池晶片等應用實例。

在汽車電子鋰電池晶片方面，基於成都銳成芯微0.18um BCD工藝平臺的方案，可滿足客戶對高可靠性的需求，可達到汽車電子Grade-1級別；數據可編程/擦除次數達1萬次以上；eNVM主要用於存儲代碼，容量4K*8bit。

在音頻晶片方面，成都銳成芯微提供的基於0.11um HV工藝平臺的方案，可滿足客戶對IP面積要足夠小；寫電壓支持4～7V；eNVM主要用於trim，容量2*16bit等需求。

在VCM驅動 AF/OIS控制器方面，基於0.11um 混合工藝的eNVM方案，具有寬電壓域操作, 1.2/3.3v雙電源供電、待機低功耗等特點；eNVM主要用於code storage，容量2K16。

在電子菸專用MCU晶片方面，基於0.153um Green工藝eNVM方案，可滿足產品減少光罩層次，低成本；5V單電源供電；eNVM主要用於代碼存儲，容量2K*8bit等需求。

通過不斷加大研發投入，優化設計，成都銳成芯微eNVM方案在IP面積、測試時間、使用功耗和擦寫能力方面都具有突出優勢，同時在保持高性能的條件下，不斷提升成本競爭力。

王明博士表示，目前，成都銳成芯微的eNVM技術已同國內外眾多家晶圓代工廠展開合作，在幾十個工藝節點上完成矽驗證，覆蓋從55nm-180nm多個工藝節點，Logic/MS、BCD、HV、SiGe等多種工藝平臺，同時，和眾多國內外晶片設計公司達成合作協議，支持客戶的新產品導入及量產。

（校對/kaka）

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