姚遠香 發表於 2019-03-28 14:43:23
金屬-氧化物半導體場效應電晶體,簡稱金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效電晶體(field-effect transistor)。MOSFET依照其「通道」(工作載流子)的極性不同,可分為「N型」與「P型」 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
下圖是典型平面N溝道增強型NMOSFET的剖面圖。它用一塊P型矽半導體材料作襯底,在其面上擴散了兩個N型區,再在上面覆蓋一層二氧化矽(SiO2)絕緣層,最後在N區上方用腐蝕的方法做成兩個孔,用金屬化的方法分別在絕緣層上及兩個孔內做成三個電極:G(柵極)、S(源極)及D(漏極),如圖所示。從圖1中可以看出柵極G與漏極D及源極S是絕緣的,D與S之間有兩個PN結。一般情況下,襯底與源極在內部連接在一起,這樣,相當於D與S之間有一個PN結。
圖1是常見的N溝道增強型MOSFET的基本結構圖。為了改善某些參數的特性,如提高工作電流、提高工作電壓、降低導通電阻、提高開關特性等有不同的結構及工藝,構成所謂VMOS、DMOS、TMOS等結構。雖然有不同的結構,但其工作原理是相同的,這裡就不一一介紹了。
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