文章來自於 EDA365 網友HAHA投稿，HAHA在工作當中遇到該問題點，雖說是簡單的概念，但是記憶模糊的知識點導致工作卡殼，所以總結出來分享給大家。
場效應管分為結型場效應管和絕緣柵型場效應管。
絕緣柵型場效應管的柵極與源極、柵極和漏極之間均採用 SiO2 絕緣層隔離，又因柵極為金屬鋁，又稱為 MOS 管。
它的柵—源之間電阻比結型場效應管大得多，可達歐以上，並且比結型場效應管溫度穩定性好，集成化時工藝簡單，而廣泛應用於大規模集成電路。
MOS 管又分為 PMOS 和 NMOS ，每一類又分為增強型和耗盡型兩種。
1、當柵—源之間不加電壓時，源漏之間只是背向的 PN 節，不存在導電溝道，即使源漏之間加電壓，也不會有漏極電流。
2、當=0，且>0 時，由於 SiO2 的存在。柵極電流為零，柵極金屬層將聚集正電荷，它們排斥P型襯底靠近 SiO2 一側的空穴，使之剩下不能移動的負離子區，形成耗盡層。
當增大，耗盡層增寬，將襯底的自由電子吸到耗盡層與絕緣層之間形成 N 型薄層，稱為反型層。反型層就構成了 d—s 之間的導電溝道。溝道剛形成的 g—s 電壓稱為開啟電壓（th）。
當是大於（th）的一個確定值時，若在 d—s 之間加正向電壓，則產生一定的漏電流。
當較小時，的增大使線性增大，溝道沿 S—D 方向逐漸變窄。
一旦增大到是 Ugd=（th），=-（th），溝道在漏極一側出現夾斷點，稱為預夾斷。
繼續增大，夾斷區隨之延長，的增大部分幾乎用於克服夾斷區對漏極電流的阻力。
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