總體來講,紅光半導體雷射器與氦氖雷射器相比各有其優勢和劣勢。本文對氦氖雷射器與半導體雷射的優缺點進行一些簡述,希望對不同應用的客戶在選擇雷射器時產生些許幫助。
第一、 雷射功率穩定性對比
半導體雷射器模塊的核心部件為半導體雷射管,即LD(Laser Diode),絕大多數半導體雷射器模塊生產廠家均是購買來LD 然後進行裝配的。
半導體雷射管(LD)的雷射輸出功率會隨其殼體的溫度變化而有較大變化。下圖為一個典型的半導體雷射管的功率-電流曲線,從圖中可以看到對於同一電流輸入的情況,不同的殼體溫度會導致雷射管輸出的功率的產生變化。
圖1 半導體雷射管的功率-電流曲線
半導體雷射器模塊從散熱方式上可以簡單的分為兩種:帶溫控(TEC)的半導體雷射器與不帶溫控的半導體雷射器。對於指示或對準等應用,即對雷射功率穩定性及雷射噪聲要求不高的應用,不帶溫控的半導體雷射器模塊因其低廉的價格而被大量使用。而對於需要較高雷射功率,或對雷射功率穩定性及雷射噪聲要求較高的應用,一般均採用帶溫控的半導體雷射器。另外,溫控對於延長半導體雷射器的壽命有很大的幫助。
氦氖雷射器是一種氣體雷射器,其結構如下圖
圖2 氦氖雷射器結構圖