IR 推出4×5 PQFN功率模塊封裝的25V IRFH4257D FastIRFET雙功率...

2020-11-25 電子產品世界

　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出採用高性能4×5 PQFN 功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。這項新的封裝拓展了IR的功率模塊系列的功能，使其可用於更低功率的緊湊型設計，適合12V輸入DC-DC同步降壓應用，包括先進的電信和網絡通信設備、伺服器、顯示適配器、桌上型電腦、超極本 (Ultrabook) 及筆記本電腦等應用。

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/266916.htm

　　

 

　　IRFH4257D採用IR的新一代矽技術和封裝專利技術，以緊湊的4×5功率模塊提供卓越的熱性能、低導通電阻 (RDS(on)) 和柵極電荷 (Qg) ，帶來一流的功率密度和更低的開關損耗。

　　IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「與IR的其它FastIRFET器件一樣，IRFH4257D可與各種控制器或驅動器共同操作，為單相位或多相位應用提供靈活的設計，同時實現更高的電流、效率和頻率。隨著 IRFH4257D加入IR的功率模塊系列，設計師可選擇能滿足其設計要求的 4×5或5×6 PQFN封裝。」

　　IRFH4257D符合工業級標準和第一級溼度敏感度 (MSL1) 標準，所採用的物料清單環保、不含鉛，並符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。

　　

 電荷放大器相關文章:電荷放大器原理

相關焦點

  • IR推出一系列高集成、超小型µIPM功率模塊
    全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列正在申請專利的高集成、超小型µIPM功率模塊，適用於高效率家電和輕工業應用
  • 英飛凌推出基於PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOS™源極底置25 V...
    打開APP 英飛凌推出基於PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOS™源極底置25 V功率MOSFET 發表於 2020-02-18 17:50:08
  • 英飛凌OptiMOS™源極底置功率MOSFET系列新添PQFN封裝的40 V裝置
    繼2 月份推出 25 V 裝置後，英飛凌又推出了 OptiMOS™ 40 V 低電壓功率 MOSFET，採用源極底置 (SD, Source-Down) PQFN 封裝，尺寸為 3.3mm x 3.3 mm。這款 40 V SD MOSFET 適用於伺服器的 SMPS、電信和 OR-ing，還適用於電池保護、電動工具和充電器等應用。
  • Vishay推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件
    Vishay推出新型第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列的首款器件。該器件具有破紀錄的導通電阻性能和導通電阻與柵極電荷乘積指標。
  • 光模塊封裝類型及技術參數
    25G/40G光模塊 SFP28光模塊基於SFP+的封裝模式，傳輸速率25Gbps，適用於單個25GE接入埠，功耗低，埠密度較高，可節省網絡部署成本，被廣泛應用於25G乙太網和100G乙太網中。
  • ...60V TrenchFET第四代n溝道功率MOSFET 專用於標準柵極驅動電路
    打開APP Vishay 60V TrenchFET第四代n溝道功率MOSFET 專用於標準柵極驅動電路 廠商供稿 發表於 2019-08-12 10:51:25
  • 美國國家半導體推出針對增強型氮化鎵功率FET的100V半橋柵極驅動器
    （美國紐約證券交易所上市代碼：NSM）今天宣布，推出業界首款針對高壓電源轉換器的增強型氮化鎵（GaN）功率場效應電晶體（FET）而優化的100V半橋柵極驅動器。美國國家半導體新推出的LM5113是一款高度集成的高邊和低邊GaN FET驅動器，與使用分立驅動器的設計相比，其可減少75％的組件數量，並還能縮小多達85％的印刷電路板（PCB）面積。         磚式電源模塊和通信基礎設施設備的設計人員需要以最小的外形尺寸實現更高的功效。
  • TI發布業內首款80V半橋GaN FET模塊
    近日，德州儀器推出了業內首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場效應電晶體 (FET) 功率級原型機。　　TI高壓電源解決方案業務部副總裁Steve Lambouses表示：「過去基於GaN的電源設計面對的一大挑戰是與驅動GaN FET有關的不確定性，以及由封裝方式和設計布局布線所導致的寄生效應。我們將採用先進、易於設計封裝的經優化集成模塊、驅動器和高頻控制器，組成的完整、可靠電源轉換生態系統，從而使設計人員可以充分實現GaN技術在電源應用方面的全部潛能。」
  • Vishay推出PowerPAK SC-75封裝p通道功率MOSFET系列
    Vishay推出PowerPAK SC-75封裝p通道功率MOSFET系列
  • 英飛凌推出25V OptiMOS調壓MOSFET和DrMOS
    英飛凌推出25V OptiMOS調壓MOSFET和DrMOS系列     為提高計算和電信產品的能效，英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應用電力電子會議和產品展示會上，推出OptiMOS 25V器件系列，壯大OptiMOS?
  • Vishay發布新款40V TrenchFET功率器件MOSFET
    （NYSE股市代號：VSH）宣布，發布新的8mm x 8mm x 1.8mm Power PAK8x8L封裝40VTrenchFET 功率MOSFET-SQJQ402E，目的是為汽車應用提供可替代常用D2PAK和DPAK封裝，實現大電流，並能節省空間和功耗的方案。
  • 三相1200V/450A SiC MOSFET電動汽車智能功率模塊
    三相1200V/450A SiC MOSFET電動汽車智能功率模塊 Pierre Delatte 發表於 2020-06-12 14:25:34 作者：CISSOID
  • 雷射焊錫機在IGBT模塊封裝焊接中的優勢分析
    IGBT模塊是由IGBT晶片（絕緣柵雙極型電晶體）和FWD晶片（續流二極體晶片）通過特定的電路橋封裝而成的模塊化半導體產品。因其具備節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點，按照其電壓的高低，可以分為高壓GBT模塊、中壓GBT模塊以及低壓GBT模塊。其中雷射焊錫加工後的低壓GBT模塊主要應用在消費電子領域，中壓GBT模塊應用在家電、新能源汽車領域；高壓GBT模塊應用在智能電網、風力發電等領域。
  • Vicor推出首款輻射容錯 DC-DC轉換器電源模塊
    打開APP Vicor推出首款輻射容錯 DC-DC轉換器電源模塊 Vicor 發表於 2021-01-07 09:13:55 波音衛星使用
  • 臺灣倢通科技推出2.4GHz射頻前端模塊TM2006
    倢通科技股份有限公司(Taiwan Microelectronics) 推出晶片型2.4GHz射頻前端模塊TM2006.TM2006為採用砷化鉀晶片與QFN 3x3 mm 16L的封裝技術之高集成射頻前端模塊, 內部集成了PA、LNA、輸出端之RF Switch。 TM2006 可簡化2.4GHz射頻產品於之設計與調試。可降低成本並大幅提升量產良率。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/122974.htm
  • DC/DC模塊提供業界最高的功率和效率
    PKU4300D新系列1／16磚封裝DC／DC模塊可提供業界最高的功率和效率 對於ICT、電信和工業市場中的分布式和中間總線等應用，高級總線轉換器旨在替代部署在這些應用中的一系列終端用戶電路板上的1／8磚器件 Flex電源模塊（Flex Power Modules）近日宣布推出新型1／16磚12V輸出DC／DC轉換器模塊——該模塊可提供200W
  • 曾正:SiC功率器件的封裝測試與系統集成
    、4 章分別介紹了SiC 器件的電學和熱學特性。第2～5章介紹了SiC器件的基本結構和性能表徵。再次，歸納SiC 功率模塊的現狀，並從寄生電感、結-殼熱阻和壽命的角度對比Si 和SiC 功率模塊的差異，揭示SiC 功率模塊在大電流、低熱阻和高可靠封裝技術方面的技術難題。最後，為了適應低感、低熱阻和高可靠的目標，介紹多種改進的SiC功率模塊封裝技術。
  • TLP250功率驅動模塊在IRF840 MOSFET中的應用(圖)
    摘 要：介紹了功率器件驅動模塊tlp250的結構和使用方法，給出了其與功率mosfet和dsp控制器接口的硬體電路圖。目前，功率mosfet的指標達到耐壓600v、電流70a、工作頻率100khz的水平，在開關電源、辦公設備、中小功率電機調速中得到廣泛的應用，使功率變換裝置實現高效率和小型化。---因為主電路電壓均為高電壓、大電流情況，而控制單元為弱電電路，所以它們之間必須採取光電隔離措施，以提高系統抗幹擾措施，可採用帶光電隔離的mosfet驅動晶片tlp250。
  • TD-SCDMA功率放大器模塊SKY77161的性能特點及應用
    > Skyworks Solutions公司推出的業界第一個TD-SCDMA功率放大器（PA）模塊SKY77161，它的緊湊尺寸只有4x4mm.TD-SCDMA作為三種新興的標準之一，中國將在從集中於語音的手機應用過度到更複雜的語音，無線數據和多媒體服務中採用它。
  • 曾正：SiC功率器件的封裝測試與系統集成
    典型SiC器件的熱網絡模型▋ 第5 章 SiC 器件的擴容第3、4 章分別介紹了SiC 器件的電學和熱學特性。再次，歸納SiC 功率模塊的現狀，並從寄生電感、結-殼熱阻和壽命的角度對比Si 和SiC 功率模塊的差異，揭示SiC 功率模塊在大電流、低熱阻和高可靠封裝技術方面的技術難題。最後，為了適應低感、低熱阻和高可靠的目標，介紹多種改進的SiC功率模塊封裝技術。