射極跟隨器輸出電路的靜態功耗

圖2.9舉例說明了一個ECL或GAAS射極跟隨器輸出電路。該電路在HI和LO兩個狀態都有電流流過。

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對於10KH和10G產品系列，兩者的邏輯HI和LO輸出電壓都是相近的，儘管不同的ECL和GAAS射極耦合邏輯系列在溫度軌跡特性上存在細微的判別。這些邏輯電路通常採用-5.2的電源供電。高電平輸出（多數情況下是正的）標稱值為-0.9V，而低電平輸出為-1.7V。

射極耦合邏輯電路需要有一個下拉電阻，通常用來端接到-5.2V或者中間電壓-2.0V。這裡我們介紹一下這兩種情況下的計算。

當輸出電壓通過一個戴維南等效電阻R下拉至VT時：

由-5.2V供電的ECL邏輯電路通過電阻R下拉至-5.2V時，代入這些數值，上式可簡化為：

VCC=0（正電壓）
VHI=-0.9（標稱邏輯高電平）
VLO=-1.7（標稱邏輯低電平）
VT=-5.2（下拉電壓）

P靜態=4.91/R

同樣的電路通過電阻R下拉至-2.0V時，式
可以簡化為：

VCC=0（正電壓）
VHI=0.9（標準邏輯高電平）
VLO=-1.7（標稱邏輯低電平）
VT=-2.0（下拉電壓）

P靜態=0.75/R

對於相同的電阻值，使用-2.0V端接時表現出明顯的功耗優勢。這是因為當電源電壓被下拉到-2.0V時，下拉電阻汲取電流也較小。小電流意味著低功耗。較小的電流還意味著電路從HI轉換到LO時需要更長的下降時間。

由於輸出電路是一個射隨器，上升時間不受下拉電流的影響。圖2.9中標明了10KH系列的ECL邏輯電晶體Q1的發射極等效串聯電阻RE的阻值約等於7歐，當給負載電容C充電時，源電流遠大於下拉電流，因此充電時間常數等於它們的乘積：TRC=REC

TRC是輸出電路從低電平狀態上升到高電平的63%時所需的時間。上升到高電平的90%所需的時間將是它的兩倍多一點，簡單RC電路的10~90%上升時間是：

該時間常數，見上式，通常小於電晶體Q1的開啟時間，因此輸出電路的上升時間通常等於電晶體Q1的開啟時間。

在下降沿，電晶體Q1截止，不再有電流流過發射極。只有電容C通過下拉電阻放電，這就是功率和上升時間的關係開始起作用的地方。下降時間直接與電容C放電的速度成正比。功耗與靜態下拉電流成正比。不管下拉電阻是連接到-5.2V，都需要一個大電流迅速地將電容C放電。

圖2.9顯示了電流衰減的波形。在D時刻，電晶體Q1截止。輸出電壓在時間常數RPDC內衰減至電壓VT。在E時刻，電壓已降到VLO，而電晶體Q1開始翻轉，阻止了輸出電壓的進一步衰減，電壓始終保持在VLO。

如果Q1完全截止，從10%到90%的下降時間是：