缺陷之間的較量
前菜/Appetizer
化學氣相沉積(CVD)法製備的過渡金屬二硫族化物(TMdCs)通常會有大量缺陷,諸如晶界、空穴、雜質等。晶界會制約電子傳輸,空穴會帶來載流子散射和摻雜效應,缺陷勢必會影響TMdCs的光電性質。如今,TMdCs中的非金屬缺位已被廣泛研究,但金屬缺位卻鮮有報導,那麼這兩種缺陷之間究竟有何區別呢?若想解惑,我們首先需要得到一個完美的研究對象並建立一個巧妙的研究方法。
主菜/Main Course
基礎科學研究所(IBS)的集成納米結構物理中心(CINAP)的Young Hee Lee團隊探究了WS2單晶中不同種類缺陷之間的差異,首次表明金屬W缺位較之非金屬S缺位對WS2的性質影響更大。他們通過CVD法製得了由含S缺位的三角區域和含W缺位的三角區域交替拼接而成的六邊形WS2單晶,並通過光致發光光譜(PL)、拉曼光譜和(Raman)和掃描光電子顯微鏡(SPM)研究有力揭示了S缺位和W缺位兩種缺陷的分布。基於此判斷,他們按區域搭建了電極,測試了不同區域的電學性質,發現金屬W缺位對電子遷移率的負面影響較之非金屬S缺位高了足足一個數量級。
餐後甜點/Desser
洞察於微觀,方知真相
大家通常將限制TMdCs電學性質的因素歸因於非金屬硫缺位,殊不知金屬缺位才是影響其宏觀性質的真正罪魁禍首。該工作首先藉助精細表徵實現了對兩種缺陷區域的清晰分辨,緊接著按區域構築器件對材料電學性質進行表徵,從而完美揭示了不同缺位缺陷對材料性質的影響,如此令人驚嘆的工作怎能不發Adv. Mater.!
DOI:10.1002/adma.201605043
Boss
聲明:尊重、保護原創是二維加一貫堅持的原則。原創文章版權歸二維加所有,謝絕任何其他帳號直接複製原創文章。本公眾號轉載的文章,其版權歸原作者或原公眾號所有。轉載、投稿等事宜請聯繫:plus_2d@163.com。
有觀點的2D+
最新鮮二維資訊
最前沿研究進展
最專業牛文評論
支持純原創