電子元器件最常用的封裝形式都有哪些
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201611/339477.htm1、BGA(ballgridarray)球形觸點陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式製作出球形凸點用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI晶片，然後用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP(四側引腳扁平封裝)小。
例如，引腳中心距為1.5mm的360引腳BGA僅為31mm見方;而引腳中心距為0.5mm的304引腳QFP為40mm見方。而且BGA不用擔心QFP那樣的引腳變形問題。該封裝是美國Motorola公司開發的，首先在可攜式電話等設備中被採用，今後在美國有可能在個人計算機中普及。最初，BGA的引腳(凸點)中心距為1.5mm，引腳數為225。現在也有一些LSI廠家正在開發500引腳的BGA。BGA的問題是回流焊後的外觀檢查。現在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認為，由於焊接的中心距較大，連接可以看作是穩定的，只能通過功能檢查來處理。美國Motorola公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為GPAC(見OMPAC和GPAC)。
2、BQFP(quadflatpackagewithbumper)帶緩衝墊的四側引腳扁平封裝。QFP封裝之一，在封裝本體的四個角設置突起(緩衝墊)以防止在運送過程中引腳發生彎曲變形。美國半導體廠家主要在微處理器和ASIC等電路中採用此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數從84到196左右(見QFP)。
3、碰焊PGA(buttjointpingridarray)表面貼裝型PGA的別稱(見表面貼裝型PGA)。
4、C-(ceramic)表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在實際中經常使用的記號。
5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用於ECLRAM，DSP(數位訊號處理器)等電路。帶有玻璃窗口的Cerdip用於紫外線擦除型EPROM以及內部帶有EPROM的微機電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數從8到42。在日本，此封裝表示為DIP-G(G即玻璃密封的意思)。
6、Cerquad表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用於封裝DSP等的邏輯LSI電路。帶有窗口的Cerquad用於封裝 EPROM電路。散熱性比塑料QFP好，在自然空冷條件下可容許1.5～2W的功率。但封裝成本比塑料QFP高3～5倍。引腳中心距有1.27mm、 0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多種規格。引腳數從32到368。
7、CLCC(ceramicleadedchipcarrier)帶引腳的陶瓷晶片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形。帶有窗口的用於封裝紫外線擦除型EPROM以及帶有EPROM的微機電路等。此封裝也稱為QFJ、QFJ-G(見QFJ)
8、COB(chiponboard板上晶片封裝，是裸晶片貼裝技術之一，半導體晶片交接貼裝在印刷線路板上，晶片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，晶片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，並用樹脂覆蓋以確保可靠性。雖然COB是最簡單的裸晶片貼裝技術，但它的封裝密度遠不如TAB和倒片焊技術。
9、DFP(dualflatpackage)雙側引腳扁平封裝。是SOP的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法，現在已基本上不用。
10、DIC(dualin-lineceramicpackage)陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP).
11、DIL(dualin-line)DIP的別稱(見DIP)。歐洲半導體廠家多用此名稱。
12、DIP(dualin-linepackage)。雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是最普及的插裝型封裝，應用範圍包括標準邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數從6到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm的封裝分別稱為skinnyDIP和 slimDIP(窄體型DIP)。但多數情況下並不加區分，只簡單地統稱為DIP。另外，用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP也稱為cerdip(見 cerdip)。
13、DSO(dualsmallout-lint)雙側引腳小外形封裝。SOP的別稱(見SOP)。部分半導體廠家採用此名稱。
14、DICP(dualtapecarrierpackage)雙側引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳製作在絕緣帶上並從封裝兩側引出。由於利用的是TAB(自動帶載焊接)技術，封裝外形非常薄。常用於液晶顯示驅動LSI，但多數為定製品。另外，0.5mm厚的存儲器LSI簿形封裝正處於開發階段。在日本，按照EIAJ(日本電子機械工業)會標準規定，將DICP命名為DTP。
15、DIP(dualtapecarrierpackage)同上。日本電子機械工業會標準對DTCP的命名(見DTCP)。
16、FP(flatpackage)扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP或SOP(見QFP和SOP)的別稱。部分半導體廠家採用此名稱。
17、flip-chip倒焊晶片。裸晶片封裝技術之一，在LSI晶片的電極區製作好金屬凸點，然後把金屬凸點與印刷基板上的電極區進行壓焊連接。封裝的佔有面積基本上與晶片尺寸相同。是所有封裝技術中體積最小、最薄的一種。但如果基板的熱膨脹係數與LSI晶片不同，就會在接合處產生反應，從而影響連接的可靠性。因此必須用樹脂來加固LSI 晶片，並使用熱膨脹係數基本相同的基板材料。
18、FQFP(finepitchquadflatpackage)小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小於0.65mm的QFP(見QFP)。部分導導體廠家採用此名稱。
19、CPAC(globetoppadarraycarrier)美國Motorola公司對BGA的別稱(見BGA)。
20、CQFP(quadfiatpackagewithguardring)帶保護環的四側引腳扁平封裝。塑料QFP之一，引腳用樹脂保護環掩蔽，以防止彎曲變形。在把LSI組裝在印刷基板上之前，從保護環處切斷引腳並使其成為海鷗翼狀(L形狀)。這種封裝在美國Motorola公司已批量生產。引腳中心距0.5mm，引腳數最多為208左右。
21、H-(withheatsink)表示帶散熱器的標記。例如，HSOP表示帶散熱器的SOP。
22、pingridarray(surfacemounttype)表面貼裝型PGA。通常PGA為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA在封裝的底面有陳列狀的引腳，其長度從1.5mm到2.0mm。貼裝採用與印刷基板碰焊的方法，因而也稱為碰焊PGA。因為引腳中心距只有 1.27mm，比插裝型PGA小一半，所以封裝本體可製作得不怎麼大，而引腳數比插裝型多(250～528)，是大規模邏輯LSI用的封裝。封裝的基材有多層陶瓷基板和玻璃環氧樹脂印刷基數。以多層陶瓷基材製作封裝已經實用化。
23、JLCC(J-leadedchipcarrier)J形引腳晶片載體。指帶窗口CLCC和帶窗口的陶瓷QFJ的別稱(見CLCC和QFJ)。部分半導體廠家採用的名稱。
24、LCC(Leadlesschipcarrier)無引腳晶片載體。指陶瓷基板的四個側面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。
是高速和高頻IC用封裝，也稱為陶瓷QFN或QFN-C(見QFN)。
25、LGA(landgridarray)觸點陳列封裝。即在底面製作有陣列狀態坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可。現已實用的有227觸點(1.27mm中心距)和447觸點(2.54mm中心距)的陶瓷LGA，應用於高速邏輯LSI電路。LGA與QFP相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由於引線的阻抗小，對於高速LSI是很適用的。但由於插座製作複雜，成本高，現在基本上不怎麼使用。預計今後對其需求會有所增加。
26、LOC(leadonchip)晶片上引線封裝。LSI封裝技術之一，引線框架的前端處於晶片上方的一種結構，晶片的中心附近製作有凸焊點，用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在晶片側面附近的結構相比，在相同大小的封裝中容納的晶片達1mm左右寬度。
27、LQFP(lowprofilequadflatpackage)薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP，是日本電子機械工業會根據制定的新QFP外形規格所用的名稱。
28、L-QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁，晶片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI開發的一種封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率。現已開發出了208引腳(0.5mm中心距)和160引腳 (0.65mm中心距)的LSI邏輯用封裝，並於1993年10月開始投入批量生產。
29、MCM(multi-chipmodule)多晶片組件。將多塊半導體裸晶片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據基板材料可分為MCM-L，MCM-C和MCM-D三大類。
MCM-L是使用通常的玻璃環氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎麼高，成本較低。
MCM-C是用厚膜技術形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件，與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類似。兩者無明顯差別。布線密度高於MCM-L。
MCM-D是用薄膜技術形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al作為基板的組件。
布線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。