問題:射頻PA+FEM 加上屏蔽罩的傳導雜散更差(DCS 的二三次諧波),不知是何原因,請賜教!
可能原因三個 :
1. 匹配組件受Shielding Cover 影響 以至於阻抗偏了
如下圖 :
若Shielding Cover 跟匹配組件太近 其寄生效應改變其電感或電容值
以至於阻抗改變 那當然傳導諧波變大
尤其是早期0402 組件更容易這樣 但現在0201 組件很少會這樣了
2. RF 訊號洩漏到PA 的Vcc
當你蓋上屏蔽罩時 PA 會把RF 訊號 輻射或耦合到屏蔽罩上方
也就是說 屏蔽罩上方 會有殘留的TX 訊號
若屏蔽罩接地良好 那麼這些殘留的TX 訊號 會通通流到GND
若屏蔽罩接地良好 那麼這些殘留的TX 訊號
一部分流到GND 一部分會再反射
若反射的TX 訊號 打到PA 的Vcc 那當然TX 性能就劣化
3. 屏蔽罩跟PA 離太近 之間的寄生效應 改變了PA 特性
驗證方式 :
第一種現在很少見了 所以就不提
第二種的話 可以這樣驗證 如下圖:
因為你說沒加屏蔽罩時 其傳導雜散會比較好
因此 如果在沒加屏蔽罩狀況下 你用這種方式
其傳導雜散變得跟加了屏蔽罩時一樣差
那兇手就可能是來自這原因
值得注意的是 那個DC Block 要加
避免Vcc 的直流電源 回灌到PA 或CMW500
第三種的話 在沒加屏蔽罩狀況下
在PA 上方先貼個膠帶 再隨便放個金屬片
一樣 你說沒加屏蔽罩時 其傳導雜散會比較好
因此 如果在沒加屏蔽罩狀況下 你用這種方式
若其傳導雜散變得跟加了屏蔽罩時一樣差
那兇手就可能是來自這原因
解決方案:
第一種現在很少見了 所以就不提
第二種的話
因為兇手是來自RF 訊號灌入Vcc 所以你在Vcc 那邊
擺放一個落地電容 讓灌入Vcc 的RF 訊號流到GND
既然你主頻是DCS 以0201 的電容來講 你就放個18 pF
第三種只能改結構
要嘛把屏蔽罩跟PA 之間距離拉大
不然就是PA 上方直接開天窗
-END-
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