上海2012年9月7日電 /美通社/ -- 深迪半導體(上海)有限公司(Senodia Technologies (Shanghai) Co., Ltd )首款三軸MEMS磁傳感器 -- ST480MQ正式亮相。隨著多軸傳感器在消費電子終端的越發普及,深迪半導體不斷擴大相關產品線,該款產品也成為中國首款採用霍爾效應技術(Hall)的三軸MEMS磁傳感器。
繼10天前深迪半導體發布單軸汽車級MEMS陀螺儀產品(相關連結:http://www.prnasia.com/story/67066-1.shtml),深迪再推磁傳感器。藉此,深迪產品線已涵蓋三軸消費級、單軸汽車級MEMS陀螺儀和三軸MEMS磁傳感器,也進一步構築了深迪的六軸、九軸傳感器方案。
MEMS磁傳感器的主要應用領域包括電子羅盤、位基服務及GPS盲點輔助定位等,目前已廣泛採用在智慧型手機、平板電腦、遊戲手柄和GPS導航設備中。ST480MQ主要面向的即是手機、平板電腦等各類移動終端市場。
由於消費終端尺寸輕薄的導向日趨風行,因此對於MEMS傳感器的尺寸、集成度和可靠性日益嚴苛,多傳感器融合方案也是必然趨勢。ST480MQ推出後,深迪可自制的產品已涵蓋陀螺儀和磁傳感器,向六軸、九軸慣性組合方案又向前邁進一步。
- 霍爾效應(Hall)的技術優勢
採用Hall技術是當前MEMS磁傳感器主流的發展方向。Hall技術磁傳感器的優點是體積小,功耗低,成本低廉,接口電路簡單,特別適用於強磁場的測量。同時,採用磁集極(IMC)技術能夠很大程度上彌補Hall傳感器的弱點,靈敏度、測量精確度和響應時間能夠大幅提高,並增強了片內處理電路的功能,完全可以滿足消費電子的需要。
Hall技術另一個巨大優勢是,能夠使磁傳感元件與ASIC集成於同一塊晶片,從而實現單晶片的解決方案,發揮單晶片、高集成、高可靠性、超小封裝、低成本的優勢。而採用各向異性磁阻技術(ARM)等則尚無法實現單晶片解決方案。
- 產品特徵和性能指標
測量範圍:+/-48 gauss
工作溫度範圍:-40攝氏度~ 85攝氏度
解析度:0.3 uT/LSB (Z軸),0.2 uT/LSB(X/Y軸)
工作電流:420 uA
待機電流:2 uA
尺寸:3×3×0.85mm
封裝形式:QFN
IIC/SPI接口
16bit ADC
ST480MQ已可提供工程樣品,2012年第四季度實現批量生產。ST480MQ採用的是3×3×0.85mm的QFN封裝,深迪同時表示,尺寸為2×2×0.85mm,採用BGA封裝的ST480MB亦即將在第四季度中亮相。