中商情報網訊：據悉，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲24日在2020國際第三代半導體論壇上透露，雙循環模式推動國產化替代。預計2020年中國SiC（碳化矽）、GaN（氮化鎵）電力電子和微波射頻產值約為70億元。其中，SiC、GaN電力電子產業產值2020年將達35.35億元，比去年的29.03億元將增長21.77%；GaN微波射頻產業產值2020年將達33.75億元，比去年的26.15億元將增長29%。
半導體行業經過近六十年的發展，半導體材料經歷了三次明顯的換代和發展。第一代半導體材料主要是指矽、鍺元素等單質半導體材料；第二代半導體材料主要是指化合物半導體材料，如砷化鎵、銻化銦；第三代半導體材料主要分為碳化矽SiC和氮化鎵GaN，相比於第一、二代半導體，其具有更高的禁帶寬度、高擊穿電壓、電導率和熱導率，在高溫、高壓、高功率和高頻領域將替代前兩代半導體材料。
資料來源：中商產業研究院整理
半導體材料是半導體產業鏈上遊中的重要組成部分，在集成電路、分立器件等半導體產品生產製造中起到關鍵性的作用。第三代半導體材料以氮化鎵和碳化矽、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等為代表。目前比較成熟的有碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等。因此本文主要研究碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）兩大第三代半導體襯底材料。
其中，碳化矽產業鏈環節主要有襯底片、外延片和器件環節。從事襯底片的國內廠商主要有露笑科技、三安光電、天科合達、山東天嶽等；從事碳化矽外延生長的廠商主要有瀚天天成和東莞天域等；從事碳化矽功率器件的廠商較多，包括華潤微、揚傑科技、泰科天潤、綠能芯創、上海詹芯等。
氮化鎵產業鏈與碳化矽產業鏈環節無較大差別，同樣分為襯底、外延片和器件環節。儘管碳化矽被更多地作為襯底材料，但國內仍有從事氮化鎵單晶生長的企業，主要有蘇州納維、東莞中鎵、上海鎵特和芯元基等；從事氮化鎵外延片的國內廠商主要有三安光電、賽微電子、海陸重工、晶湛半導體、江蘇能華、英諾賽科等；從事氮化鎵器件的廠商主要有三安光電、聞泰科技、賽微電子、聚燦光電、乾照光電等。
在第三代半導體材料產業鏈製造以及應用環節上，SiC可以製造高耐壓、大功率電力電子器件如MOSFET、IGBT、SBD等，用於智能電網、新能源汽車等行業。與矽元器件相比，GaN具有高臨界磁場、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點，是超高頻器件的極佳選擇，適用於5G通信、微波射頻等領域的應用。
中商產業研究院特整理第三代半導體材料氮化鎵概念股相關企業名單如下：
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